هدف اصلی این پایان نامه طراحی و شبیه سازی نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ تزریقی قفل شده می باشد. شبیه سازی توسط نرم افزارhspice rf انجام پذیرفته است. در این کار تحقیقی چندین مدار نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ معرفی شده است. با استفاده از روش قفل شدگی تزریقی پارامترهای این نوسان سازها بهبود یافت. در طراحی این مدارها روش های مختلفی برای کاهش نویز فاز، کاهش توان مصرفی و بالا بردن محدوده تنظیم فرکانس به کار گرفته شد. همچنین در این پژوهش روشی جدید جهت تامین سیگنال تزریقی پیشنهاد گردید. مشخصات این نوسان ساز در کل محدوده عملکرد فرکانسی مناسب بوده است. کلیه این نوسان سازها از نوع حلقوی تفاضلی و تک سر بوده اند. طراحی این مدارها با استفاده از فناوری 18/0 میکرومتر cmos tsmc انجام پذیرفته است. محدوده کاری این نوسان سازها بسته به نوع طراحی مدار بین 3/0 تا 10 گیگاهرتز است. از نظر نویز فاز نیز مقادیر بین -111dbc/hz تا -147dbc/hz به دست آمده است. محدوده تنظیم فرکانسی این نوسان سازها بین 9/3 تا 7 گیگاهرتز می باشد. میزان توان مصرفی آنها نیز از 2/1 میلی وات در کمترین فرکانس تا حدود 33 میلی وات در بیشترین فرکانس متغیر بوده است.