در این تحقیق بررسی از ویژگی های ساختاری، الکترونی و اپتیکی نانو ورقه های دو بعدی گرافین مانند اکسیدروی آلاییده شده با اتم ناخالصی بور با استفاده از بسته محاسباتی پتانسیل کامل fhi-aimsدر چارچوب نظریه تابعی چگالی انجام شده است. اکسیدروی یک کاندید اصلی برای کاربرد در دستگاه های اپتیکی مانند سلول های خورشیدی و دستگاه های لیزر حالت جامد و ... است. بنابراین آگاهی درباره خواص اپتیکی آن، در طراحی و آنالیز دستگاه های اپتوالکترونیکی بر اساس آن مهم است. تاکنون مطالعه ای روی خواص اپتیکی نانو ورقه های اکسیدروی آلاییده شده با اتم ناخالصی بور صورت نگرفته است. دراین مطالعه به منظور بررسی تأثیر اتم ناخالصی بور روی نانو ورقه های اکسیدروی، ابتدا یکی و سپس دو تا از اتم های اکسیژن ابرسلول را با اتم بور جایگزین کردیم. از کمینه سازی نیروها برای پایدارکردن ساختارها استفاده کردیم و محاسبات واهلش انجام شد تا وقتی که نیروی کل وارد بر اتم ها، به میزان کمتر از0.01ev/? کاهش یافت. به کمک محاسبات قطبش اسپینی برای تمامی نانو ورقه ها، خواص الکترونی از جمله ساختار نواری و چگالی حالت ها(کلی و جزئی) را در پیکربندی های مختلف به دست آوردیم. نتایج محاسبات حاکی از آن است که حالت پایه نانو ورقه اکسیدروی خالص، نیمرسانای غیرمغناطیسی است و در نانو ورقه آلاییده با یک اتم ناخالصی بور خاصیت نیمه فلزی فرومغناطیس ایجاد شد که پتانسیل کاربردی در صنعت اسپینترونیک دارد. قرارگرفتن اتم ناخالصی بور در فواصل مختلف روی نانو ورقه، تغییراتی در ساختار الکترونی نانو ورقه های آلاییده بوجود آورد، به گونه ای که در مقایسه با نانو ورقه خالص گاف نانو ورقه های آلاییده کاهش یافت. با افزایش فاصله ی بین اتم های ناخالصی در فاصله بهینه شده11.394? بین اتم های ناخالصی، مقدار گاف صفر شد و خاصیت فلزی در این نانو ورقه اسپین قطبیده فرومغناطیس ظاهر شد. بررسی چگالی حالت های جزئی نشان می دهد اوربیتال p اتم ناخالصی بور مسئول اصلی ایجاد خاصیت مغناطیسی در این نانو ورقه هاست. در تمامی محاسبات مربوط به خواص اپتیکی نانو ورقه ها در حضور اتم ناخالصی بور، رفتار مولفه های مهم اپتیکی نظیر قسمت موهومی تابع دی الکتریک و طیف ضریب جذب بررسی شده است، در انتها نتایج آنها با یکدیگر مقایسه شده اند. نتایج به دست آمده حاکی از آن است به علت تغییر ساختار نواری در اثر حضور ناخالصی، پاسخ نوری نانو ورقه¬های آلاییده نیز دستخوش تغییراتی شده اند. از طریق آنالیز ساختارهای اصلی طیف ها، این نتیجه حاصل شد در نانو ورقه های آلاییده با دو اتم ناخالصی بور تغییر ویژگی های اپتیکی به فاصله بین دو اتم ناخالصی بستگی دارد و در نواحی انرژی پایین (مرئی و فروسرخ) تغییرات مهمی را نشان می دهند. به طور کلی در نواحی انرژی پایین در مقایسه با نانو ورقه خالص، در اکثر طیف های اپتیکی مربوط به نانو ورقه های آلاییده، جابه جایی قرمز ناشی از تغییر گاف ظاهر شد. پیک های ظاهر شده در نواحی انرژی پایین مربوط به سهم قابل توجه انتقال های درون نواری الکترون های حالت p از اتم ناخالصی بور می باشند. به علت اینکه سلول های خورشیدی بایستی در نواحی انرژی پایین جذب بالایی داشته باشند و با توجه به نتایج به دست آمده در راستای این تحقیق، به منظور بهبود پاسخ نوری نانو ورقه های اکسیدروی و رساندن لبه ی جذب اپتیکی به نواحی انرژی پایین، آلایش اتم های ناخالصی بور روی این نانو ورقه ها، نقش موثری در دست یابی به این هدف دارند و از این نانو ورقه های آلاییده، می توان به عنوان لایه جاذب در سلول های خورشیدی استفاده کرد. خلاصه، مطالعات ما نشان می دهند در تنظیم خواص اپتیکی و الکترونی نانو ورقه های اکسیدروی آلاییده شده با اتم ناخالصی بور می توان تصرف داشت به گونه ای که برای کاربرد در اپتوالکترونیک و اسپینترونیک نانومقیاس مناسب باشند. امید است نتایج محاسبات ما بتوانند به عنوان یک مرجع برای مطالعات آینده به کار روند.

پژوهش حاضر با هدف بررسی تأثیر استفاده از بازی های رایانه ای بر گرایش به تفکر انتقادی، مهارت های اجتماعی و پیشرفت تحصیلی دانش آموزان دختر دوره متوسطه شهرستان اندیمشک انجام شده است. روش ارائه پژوهش توصیفی از نوع علی – مقایسه ای می باشد. نمونه تحقیق شامل 270 نفر از دانش آموزان دختر دبیرستانی شهرستان اندیمشک است که به روش نمونه¬گیری تصادفی خوشه ای چندمرحله ای انتخاب گردیده اند. ابزار جمعآوری داده ها شامل پرسشنامه گرایش به تفکرانتقادی ریکتس، پرسشنامه مهارت¬های اجتماعی کرامتی و یک پرسشنامه محقق ساخته می باشد. نتایج تجزیه و تحلیل داده ها نشان داد که انجام بازی های رایانه ای به طورکلی و بر حسب نوع بر گرایش به تفکرانتقادی دانش-آموزان تأثیر معنی¬داری نداشته است اما انجام این بازی¬ها بر مهارت های اجتماعی و همچنین پیشرفت تحصیلی دانش آموزان موثر بوده است. همچنین نتایج داده ها حاکی از آن است که نوع بازی رایانه ای بر مهارت های اجتماعی و پیشرفت تحصیلی دانش آموزان تأثیر معنی داری نداشته است.

هدف از انجام این تحقیق افزایش آب¬دوستی و به دنبال آن افزایش شار و کاهش میزان گرفتگی غشاهای نانوفیلتراسیون پلی¬آمیدی با استفاده از پلیمر آب¬دوست کیتوسان می¬باشد. ساخت غشا شامل دو مرحله است: غشای اولترافیلتراسیون اولیه توسط فرآیند وارونگی فاز تهیه شد و سپس سطح آن به روش پلیمریزاسیون بین¬سطحی اصلاح گردید. در ادامه غشاهای تهیه شده با روش غوطه¬وری مجدداً اصلاح شدند. اثر غلظت¬های مختلف استفاده از محلول کیتوسان و همچنین اثر زمان غوطه¬وری غشا در محلول کیتوسان به طور جداگانه مورد بررسی قرارگرفت. به منظور بررسی عملکرد غشاهای اصلاح شده و اصلاح نشده با محلول کیتوسان، غشاها با محلول ppm1000 از نمک¬های مختلف تست شدند و میزان شار و احتباس آن¬ها اندازه¬گیری شد. با افزایش غلظت محلول کیتوسان در غشاهای نانوفیلتراسیون پلی¬آمیدی آب¬دوستی و شار آب از 39/2 به l/m2.h59/6 افزایش پیدا کرد. همچنین به منظور بررسی عملکرد ضدگرفتگی از محلول ستیل تری متیل آمونیوم برماید ((ctab استفاده شد که نتایج بهبود عملکرد ضدگرفتگی را بعد از اضافه کردن کیتوسان به سطح غشا نشان می¬دهند. اسپکتروسکوپی ft-ir حضور لایه پلی¬آمیدی و کیتوسان را بر روی سطح غشا تصدیق می کند. تصاویر semو afm نشان می¬دهند که متناسب با افزایش غلظت محلول کیتوسان زبری غشاها کاهش پیدا می¬کند. (مقدار میانگین زبری (sa) بعد از اضافه کردن محلول w/v % 0/3 کیتوسان از 59/9 به 20/7کاهش پیدا می¬کند).