اثرات کانال کوتاه یکی از حساس ترین نکات در ساخت ترانزیستورها در ابعاد کمتر از میکرو ونانو است وبه مانع اصلی فن آوری ساخت ترانزیستور در مقیاس نانوتبدیل شده است و باعث تخریب عملکرد وتغیر ویژگیهای الکتریکی شده است. یک نمونه از اثرات کانال کوتاه اشباع سرعت است که در آن حامل در دستگاه به سرعت به اشباع رسیده با جود آن که حالت اشباع بوجود نیامده است. در سال های اخیر ترانزسیتورهای اثر میدانی مبتنی بر گرافن برای از بین بردن این محدودیت ها پیشنهاد شده اند. ویژگی-های فلزی و نیمه رسانایی گرافن یکی از مهمترین مزایا در طراحی چنین ترانزیستورهایی است. در این پایان نامه ابتدا به بررسی و مدل سازی ترانزسیتورهای اثر میدانی مبتنی بر گرافن پرداختیم و سپس مشخصه جریان – ولتاژ یک ترانزیستور مبتنی بر گرافن رابدست می آوریم و اثر نانو نوار کردن گرافن روی این مشخصه را بررسی می کنیم که اصلی ترین هدف این پایان نامه است. نتایج شبیه سازی برای گرافن نانوریبون فت های یک لایه ودولایه با دوضریب دی الکتریک متفاوت در هرسه مدل موبیلیتی و سرعت حامل ها وجریان ودر سه عرض متفاوت 2و5 و8 را بررسی می کنیم که نتیجه نشان داد هرچه قدر عرض بیشتر می شود به دلیل کوچک شدن گاف انرژی موبیلیتی وسرعت حامل ها وجریان بیشتر می شود واین افزایش در زیر باند اول بیشتر از دوزیرباند دیگر است و همچنین در ثابت دی الکتریک بالا نتایج روبه افزایش است. در آخر تأثیر ضخامت عایق بر جریان را نیز بررسی کردیم ودیدیم که هرچه قدر ضخامت عایق گیت کم میشود جریان افزایش می یابد.