به منظور مطالعه آستانه تخریب لیزری، لایه های نازک tio2وzro2 به روش تبخیر بیم الکترونی روی زیرلایه bk7 لایه نشانی شدند سپس به مدت 3 ساعت با گرادیانهای مختلف دمایی تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند؛ با استفاده از پراش پرتوی ایکس(xrd)، میکروسکوپ نیروی اتمی(afm)، طیف سنجuv-vis و طیف سنجی فوتوالکترون با پرتوی ایکس(xps)، مشخصات اپتیکی، ساختاری، ریخت شناسی و ترکیب شیمایی بدست آمد. آستانه تخریب لیزری با استفاده لیزر nd:yag در طول موجnm 532 و طول پالس ns12 مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که با کاهش گرادیان دمایی عملیات حرارتی گذردهی اپتیکی افزایش، لبه عبور به طول موجهای کمتر جابجا شده، ضریب شکست کاهش و اندازه دانه افزایش می یابد همچنین آستانه تخریب لیزری تحت تاثیر گرادیان دمایی است و با کاهش گرادیان دمایی کاهش می یابد. برای لایه های tio2 از آنالیز xps اینگونه بر می آید که کاهش نواقص استوکیومتری که دلیل اصلی جذب است؛ جذب را کاهش و آستانه تخریب لیزری را افزایش می دهد، از آنجاییکه گاف انرژی لایه های zro2 دو برابر انرژی فوتون لیزر nm532 است در لایه های نازک zro2جذب دوفوتونی تولید حرارت می کند و سبب ذوب و نهایتا تخریب لیزری می شود.