سلول خورشیدی فیلم نازک inpیکی از بهترین انتخاب¬ها برای تبدیل انرژی خورشید به الکتریسیته می¬باشد؛ به دلیل ثابت جذب بالای این نیمه‏هادی( تقریبا? )،شکاف انرژی مستقیم ، مقاومت تابشی بالا و دمای تابکاری کم از بهترین گزینه‏ها در کاربردهای فضایی محسوب می‏شود. در این پایان نامه برای شبیه¬سازی از مدل نفوذ-رانش یک بعدی استفاده شده است. معادلات نفوذ-رانش به روش عددی گامل به کمک نرم¬افزارهای matlab و silvaco حل شده¬اند. در ابتدا نحوه انتقال حامل¬های تولید شده در این نوع سلول¬ها و عواملی که موجب محدودیت کارایی سلول می¬شوند، مورد بررسی قرار گرفته است. از آن جایی که در این دسته سلول¬ها به دلیل ضخامت کم لایه جاذب فاصله¬ی بین اتصال پشتی و ناحیه تخلیه ناچیز است، نور بیشتری به اتصال پشتی می¬رسد و بازترکیب در این ناحیه مکانیسم تلفات اصلی در سلول می¬باشد. از این رو راه¬کارهایی جهت دور کردن حامل¬ها از اتصال پشتی سلول همچون افزودن لایه‏ی پنجره‏ای و bsfبه ساختار مبنا و تدریجی کردن شکاف انرژی لایه‏ی پنجره‏ای مورد ارزیابی قرار گرفته است. در شبیه¬سازی سلول inpدر دمای k 300 با شکاف انرژیev1/35، v853/0voc=، 51/33jsc=، 18/82ff= و راندمان 51/23%، و در شبیه¬سازی سلول پیشنهادی ، v019/1voc=، 43/34jsc=، 88/86ff= و راندمان 5/30% بدست آمده¬ است که نسبت به سلول پایه 99/6% بهبود یافته است.