قطعات ساندویچی al/clinpc/al بالایه نشانی به روش تبخیر گرمایی در خلاء ساخته شدند. ضخامت قطعات آماده شده به شرح زیر است : لایه آلومنیوم50nm /لایه کلروایندیوم فتالوسیانین 100nm / لایه آلومنیوم 50nm . در رسانندگی dc جریان این قطعات در بازه ولتاژی 0.04v – 2.5 v وبازه دمایی 303k – 413k اندازه گرفته شده است . سپس نمودارهای lnj بر حسب lnv ، lnj بر حسب 1000/t ، lnj بر حسب v^(1?2) رسم شده است. از نمودار lnj بر حسب lnv مشاهده شد که تا ولتاژ v0.35 اتصال اهمی می باشد. نمودار lnj بر حسب 1000/t در ناحیه اهمی رسم شده و از شیب این نمودار انرژی تراز فرمی و از عرض از مبداء آن تحرک پذیری و در نهایت چگالی حفره های تولیدشده در اثر گرما محاسبه شده است . از نمودار lnj بر حسب v^(1?2) مشاهده شد برای ولتاژهای بالاتر ازv 0.35 اتصال مسدود کننده می باشد و از شیب این نمودار ضریب کاهنده میدان و از عرض از مبداء آن ارتفاع سد شاتکی و عرض شاتکی محاسبه شده است. مشاهده شد که مکانیسم رسانندگی الکتریکی dc تا ولتاژ v0.35 از نوع vrh و در ولتاژ های بالاتر از v0.35 از نوع گسیل شاتکی – ریچاردسون است . نمودار ln ? برحسب 1000/t رسم شده و از شیب این نمودار انرژی فعال سازی محاسبه شده است . تصویر گرفته شده از طریق sem نشان می دهد که ذرات در طول لایه نشانی در ابعاد نانو متر شکل گرفته اند و سطح لایه به صورت دانه دانه بوده است. ساختار و خواص اپتیکی با روش uv در محدوده طول موجی nm800 nm - 300 بررسی شده است و از روی نمودار طیف جذبی بر حسب طول موج ، دو نوار فرکانسی b و q مشخص شده و از روی نمودار بر حسب ?? مقدار انرژی گاف اپتیکی محاسبه شده است .