هدف از این پایان نامه بررسی اثرات غیرخطی ساختاری روی بهره نوری ترانزیستور لیزری ingaas/gaas است.ترانزیستور لیزری tl مورد نظر ما یک ترانزیستور دو قطبی ساختار نامتجانس hbt است که با به کارگیری نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لیزری) را با سرعتی در حدود 10 تا 100 گیگا بایت بر ثانیه مدوله کند. نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لیزری) را با سرعتی در حدود 10 تا 100 گیگا بایت بر ثانیه مدوله کند. بهره نوری دارای تأثیری مستقیم روی پاسخ مدولاسیون ترانزیستور لیزری است.حضور تعدادی از فرآیندها مانند حفره سوزی طیفی ، گرم کنندگی حامل و انتقالات حامل در لیزرهای نیم رسانا در فرمول بهره اصلاحاتی ایجاد می کنند و منجر به ظاهر شدن فاکتور تراکم بهره می شوند.در این کار اثرات غیرخطی ساختاری ناشی از فرآیندهای گیراندازی و فرار حامل به عنوان منشأ تراکم بهره در نظرگرفته شده است.رابطه ی بین این فرآیندها و تراکم بهره با مدل سازی معادلات نرخ برای ترانزیستور لیزری به دست آمده است. با به کار گیری روش پتانسیل تغییر شکل فونون نوری ، نرخ گیراندازی به انرژی اولیه الکترون و طول چاه بستگی پیدا می کند. به این ترتیب بهره نوری نیز می تواند به عنوان تابعی از انرژی اولیه الکترون و طول چاه کوانتومی نوسان داشته باشد. در آخر می توان تغییرات بهره ناشی از اثرات غیرخطی ساختاری را روی پاسخ مدولاسیون سیگنال کوچک ترانزیستور لیزری مورد بررسی قرار داد.