در این پژوهش ما رفتار ناشی از آثار سطحی لبه های یک دستگاه نواری شکل ابررسانا را که در یک میدان مغناطیسی اعمالی متناوب عمود قرار گرفته بررسی می کنیم. توزیع میدان مغناطیسی و چگالی جریان الکتریکی را به دست می آوریم و با رسم منحنی مغناطش برای دستگاه هایی با تعداد نوار متفاوت، نشان می دهیم همانگونه که انتظار داریم افزوده شدن سد هندسی لبه به دستگاه می تواند مانع از تخلیه کامل شار مغناطیسی از دستگاه شود و یک پسماند مغناطیسی در دستگاه وجود خواهد داشت که این پسماند با افزایش تعداد نوارها افزایش می یابد. افزودن تعداد نوارها یا گاف ها در یک پهنای معین، می تواند سطح حلقه پسماند را نیز افزایش دهد. همچنین نقش گاف ها در طرد شار مغناطیسی را از طریق محاسبه ی کمیتی به نام « مساحت موثر» بررسی کرده ایم. نمودارهای به دست آمده به وضوح نقش گاف ها در طرد و تخلیه ی شار مغناطیسی از نوارهای ابررسانا را نشان می دهند.