از آنجایی که ادعیه و مناجات های پیامبر عظیم الشأن اسلام و اهل بیت کرام او صلوات الله علیهم اجمعین مشتمل بر مضامین عالی عرفانی و توحیدی است، سخت مورد توجه و عنایت ویژه اهل تحقیق و بزرگان دین پژوه بوده و همواره معارف الهی مندرج در این ادعیه به عنوان منبع و مأخذ کمّلین از اولیاء الله برای نیل به مدارج کمال انسانی و سلوک معنوی واقع شده است. و چنانچه می دانیم؛ مباحث مربوط به اسمای حسنا و صفات علیای الهی نیز در آثار محققین از اهل عرفان و در سایر موضوعات عرفان نظری و علمی از جایگاه ویژه ای برخوردار است؛ پس نگارنده نیز حسب ضرورت و اقتضای امر بر آن شد تا دعای عظیم الشأن سحر را که از امام باقر أبی جعفر محمد بن علی علیهم السلام روایت شده است و بزرگانی چون امام خمینی، سیّد ابوالحسن رفیعی قزوینی، میرزا حبیب الله شریف کاشانی و حاج محمد کریم خان کرمانی شرحی بر آن نوشته و گوشه ای از دقائق و معارف آن را به منصّه ظهور رسانده اند، به عنوان موضوع تحقیق برگزیند و با بررسی و مقایسه اهمّ شروح دعای مذکور، به تفحص و تعمق در مباحث عمده اسمای الهی یا همان کارفرمایان عالم هستی و احکام و دیگر مسائل مربوطه آن بپردازد. لذا مهم ترین سوالات این تحقیق حول مسائل اسماء الله و اوصاف ربّانیه از جمله حقیقت اسم، تقسیمات و مراتب اسمای الهی، اسم جامع، حقیقت اسم اعظم، مقام مشیّت، انسان کامل و ... خواهد بود. در این رساله شروح دعای سحر امام خمینی، سید ابوالحسن رفیعی قزوینی و ملا حبیب الله شریف کاشانی مورد مداقه و بررسی قرار گرفته و با نظر به سه جریان فکری حاکم بر آن ها، یعنی کلام، فلسفه و عرفان مبرهن و آشکار می گردد که وصول به حقیقت معانی دعای سحر بدون پذیرش و تلقی نظریه بنیادین عرفان یعنی «وحدت شخصی وجود» امکان ناپذیر است. همچنین بر مدققین و محققین بصیر، عیان خواهد شد که تنها حضرت امام خمینی است که در شرح خود بر اساس همین نظریه سیر نموده و بیش از دیگران در کشف حقایق دعای سحر و پرده برداشتن از اسرار توحیدی آن توفیق حاصل کرده اند.

چکیده این رساله ضمن ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان با کانال از جنس نانولوله کربنی، دو ساختار نوین برای بهبود این افزاره ها و یک ساختار نوین برای افزاره های اثر میدان نانونوار گرافینی پیشنهاد کرده است. اولین ساختار نوین تحت عنوان ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با توزیع ناخالصی خطی در ناحیه کانال(ldc-cntfet) می باشد که نسبت به ساختارهای پایه و تک هاله دارای نوسانات زیرآستانه کمتر و نسبت جریان و بهره ولتاژ بالاتری است. همچنین با اعمال این ساختار، عیب ساختار تک هاله در کاهش جریان اشباع در ناخالصی های بالاترِ کانال، تعدیل شده است. ساختار دوم، ترانزیستور اثر میدان با توزیع ناخالصی دوطرفه (gdh-cntfet) است که نسبت به ساختارهای پایه و هاله دوطرفه مشابه خود از مشخصات کانال کوتاه بهتری برخوردار است و با استفاده از آن می توان از کاهش بیشتر در جریان اشباع جلوگیری کرده و در یک مشخصات کانال کوتاه معین، به افزاره ای با طول کانال کوتاه تر دست یافت. علاوه بر این، افزاره های نانونوارگرافینی نیز به عنوان مکمل افزاره های نانولوله کربنی بررسی شده اند و ساختار نوینِ با توسعه الکتریکی سورس (ese-gnrfet) برای این افزاره ها پیشنهاد شد. ساختار پیشنهادی دارای نوسانات زیرآستانه کمتر، سرعت بالاتر و مشخصه تأخیر در مصرف توان پایین تری نسبت به ساختار پایه می باشد. در کنار پیشنهاد ساختارهای جدید، اثر غیر ایده آلِ همپوشانی نواحی سورس/درین و گیت و اثر عدم توانایی در توزیع ناخالصی آنی در اتصالات، شبیه سازی شده و عملکرد افزاره در حضور این اثرات مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. دیده می شود که لحاظ کردن این موارد غیر ایده آل با توجه به اثری که روی طول موثر کانال دارند، باعث تغییراتی در مشخصات کانال کوتاه افزاره می شوند. همچنین مدار معادل سیگنال کوچک افزاره های نانولوله ای در فرکانس های بالا مورد ارزیابی قرار گرفته و با استفاده از روش های هوشمند، میزان خطای بین نتایج عملی و آزمایشگاهی بیش از 30 درصد کاهش یافته است. عملکرد فرکانسی ساختارهای نوین نانولوله ای بررسی و مناسب ترین ساختار انتخاب گردید. ساختار مذکور برای بدست آوردن حداکثر فرکانس قطع بهینه سازی شده و نشان داده شد که با انتخاب مناسب مشخصات فیزیکی، می توان به افزاره ای با فرکانس قطع حدود سه برابر ساختار پایه دست یافت.

محدودیت های تولید، حمل و نقل و به ویژه اجرا از عواملی هستند که ساخت آرماتورهای با طول بلند را با محدویت مواجه می سازد . میلگردهای فولادی معمولا"به طول 12 متر توسط کارخانجات تولید و در دسترس مصرف کنندگان قرار می گیرند. به دلیل کوتاه بودن ارتفاع ستون ها و یا مشکلات اجرایی دیگر و راحت تر بودن کار با میلگردهای با طول کمتر ، استفاده از وصله در کار آرماتوربندی ضروری می باشد. انتخاب وصله مناسب برای یکپارچگی بتن مسلح از اهمیت خاصی برخوردار است. آیین نامه aci می گوید “ وصله های آرماتورها تنها باید همانند آنچه در مشخصات نقشه-های طراحی مجاز شمرده و یا آنگونه که به وسیله مهندس دارای صلاحیت اجازه داده می شود ساخته شوند” . مسئولیت بزرگ طراحی، مشخصات و عملکرد وصله ها بر عهده مهندسی است که با تحلیل سازه ها و تنش های طراحی، شرایط بوجود آمده احتمالی در ساخت و ساز و شرایط نهایی خدمت می تواند انتخاب های مختلف را ارزیابی و کارآمدترین و اقتصادی ترین روش وصله کردن آرماتورها را انتخاب نماید. روش همپوشانی،که نیاز به در کنار هم قرار گرفتن دو آرماتور موازی دارد ، مدت زیادی است به عنوان روش وصله کردن موثر و اقتصادی شناخته شده است. وصله کردن به روش مکانیکی برای مقاطعی است که دارای حجم زیادی از میلگرد با نمره بالا می باشد. روش جوشی، روشی است که کمتر در سازه های بتن آرمه استفاده می شود و مهندسان آشنایی کمتری با آن دارند. در این بررسی روش جوشی با استفاده از قطعه واسط مورد بررسی آزمایشگاهی و تحلیلی قرار گرفت.

امروزه استفاده از دال های تخت در ساختمان سازی، پارکینگ های طبقاتی و پل ها به دلیل اجرای ساده و هم چنین زیبایی معماری این سیستم؛ کاربرد فراوان پیدا کرده است. با این وجود یکی از مهم ترین مسائل در استفاده از این سیستم سازه ای، خرابی برش منگنه ای در آن می باشد. برش منگنه ای به دلیل این که یک شکست ترد و ناگهانی است، از اهمیت ویژه ای برخوردار بوده و به همین جهت در دهه های اخیر مطالعات زیادی در مورد مقاوم سازی دال های تخت در مقابل این شکست، انجام شده است. از این میان می توان به روش هایی از قبیل نصب تیر در وجه کششی دال در کنار ستون، قرار دادن گل میخ در جهت عمود بر صفحه ی دال، استفاده از صفحات فلزی در وجوه دال و استفاده از کامپوزییت های frp به دو صورت چسباندن کامپوزیت ها به وجه کششی دال در اطراف ستون و قرار دادن این کامپوزیت ها به صورت عمود بر صفحه ی دال اشاره نمود. در این تحقیق نیز سعی می شود با ارائه ی تکنیک جدیدی در مقاوم سازی دال های تخت، ظرفیت برش منگنه ای و هم چنین شکل پذیری آن ها را تا حد امکان افزایش داد. در این تحقیق به مقاوم سازی دال های تخت در مقابل برش منگنه ای به کمک بولت های فولادی، cfrp و gfrp و هم-چنین استفاده از شبکه های cfrp و gfrp پرداخته خواهد شد. بدین منظور به مقاوم سازی ناحیه ی اتصال دالی با ابعاد دهانه 3/6*3/6 متر، تحت بارهای ثقلی مرده و زنده به ترتیب 400 و 500 دکا نیوتن بر متر مربع پرداخته شده است. درصد میلگرد خمشی محاسباتی چنین دالی برابر با 1 درصد می باشد؛ ولی به منظور این که در نمونه های تقویت شده شکست برش منگنه ای اتفاق بیافتد، در نمونه های شبیه سازی شده از حداکثر میلگرد خمشی که برابر با 2/7 درصد می باشد، استفاده شده است. به منظور دست یابی به اهداف این تحقیق، تعداد 31 عدد دال تخت بتن آرمه به ابعاد 125*1800* 1800 میلی متر، شامل یک نمونه ی شاهد بدون تقویت کننده و 30 نمونه ی تقویت شده به کمک پنج روش ذکر شده، به کمک نرم افزار abaqus مدل سازی شدند. این نمونه ها تحت باری متمرکز که توسط یک ورق به ابعاد 10*150*150 میلی متر به مرکز دال اعمال می شود، قرار گرفتند. در هر پنج روش برای جا نمایی تقویت کننده ها در دال های ساخته شده، از دو آرایش شعاعی و متعامد برای قرار گیری تقویت کننده ها استفاده شده است. هم چنین فاصله ی بین این تقویت کننده ها از یک دیگر در هر روش ثابت بوده و برابر با 30، 40 و 50 میلی متر در نظر گرفته شده اند. نتایج حاصل از تحلیل مدل های ساخته شده، نشان داد که استفاده از بولت ها و شبکه های تقویت کننده، باعث افزایش ظرفیت برش منگنه ای و هم چنین افزایش قابل توجه جذب انرژی دال های تخت تقویت شده در مقایسه با دال تقویت نشده، گردید. در بولت-های تقویت کننده ی ساخته شده از کامپوزیت های cfrp و gfrp، با وجود استفاده حدوداً 2/5 برابری کامپوزیت های ذکر شده در مقابل شبکه های تقویت کننده، ولی افزایش ظرفیت برش منگنه ای تقریباً برابری را ایجاد کردند. البته استفاده از بولت های فولادی، cfrp و gfrp در تقویت دال های تخت عملکرد بهتری از خود نشان دادند و باعث جذب انرژی بالاتری در دال ها در مقایسه با دال های تقویت شده با شبکه های cfrp و gfrp، شدند. هم چنین در بین دال های تقویت شده با بولت های تقویت کننده، دال های دارای تقویت کننده هایی با آرایش قرارگیری متعامد و فاصله ی 50 میلی متر از یکدیگر، عملکرد بهتری نسبت به بقیه ی آرایش ها از خود نشان دادند. در ضمن بولت های cfrp در این تحقیق بهترین عملکرد را در تقویت دال های تخت، از خود نشان دادند.

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از نانولوله های کربنی در ترانزیستورهای اثر میدان نتایج بهتری را نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان متعارف نشان داده است. علاوه بر ساختار پایه ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ساختارهای جدیدی برای بهبود عملکرد در بسیاری از مقاله ها ارائه شده است. مانند دیگر ترانزیستورهای اثرمیدان، به حداقل رساندن طول کانال در ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی نیز مد نظر است. با این وجود، با کاهش طول کانال، به اشتراک گذاشتن بار بین مناطق سورس و درین افزایش می یابد و افزاره را با اثرات کانال کوتاه مانند نوسان زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین مواجه می کند. در این پایان نامهبه معرفی ساختار جدید ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با کانال ناخالص شده گام به گام (dsd) پرداخته شده است. در ساختار dsd، کانال به پنج قسمت تقسیم شده است. غلظت ناخالصی کانال از یک طرف بیشینه و برابر با سطح ناخالصی سورس و درین است و به صورت گام به گام به سمت صفر در وسط کانال کاهش می یابد. توزیع ناخالصی در طرف سورس و درینباعث کاهش سد ناشی از القای درین و اثر تونل زنی باند به باند می شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که استفاده از این ساختار منجر به کاهش اثرات کانال کوتاه و افزایش نسبت جریان روشن به خاموش و بهبود عملکرد افزاره در مقایسه با ترانزیستور اثرمیدان نانولوله کربنی پایه می شود.

در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ساختارهای جدید ارائه شده در بهبود اثرهای کانال کوتاه از قبیل جریان نشتی، نوسان های زیرآستانه و کاهش سد ناشی از القای درین پرداخته شده است.هم چنین یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی جدید به منظور کاهش اثرهای کانال کوتاه ارائه شده است.برای شبیه سازی این افزاره ی پیشنهادی از حل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی، برای حل معادله انتقال، استفاده شده است.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.