در دهه های اخیر به علت مصرف گسترده هگزا فریت باریم (bafe12o19) در صنایع الکتریکی و مخابراتی، تحقیقات وسیعی بر روی این ماده انجام گرفته است. دلایل استفاده از این ماده عبارتند از: دارا بودن اشباع مغناطیسی بزرگ، نیروی پسماند زدایی و نا همسانگردی مغناطیسی بزرگ، پایداری شیمیایی عالی، مقاومت به خوردگی خوب و دمای کوری بالا می باشد. هگزا فریت باریم یک ماده شناخته شده جهت کاربرد در ساخت آهنربا های دائمی از زمان کشف آن به وسیله محققین شرکت فیلیپس در آغاز دهه 1950 می باشد که در سالهای اخیر در زمینه هایی همچون: محیط های ذخیره اطلاعات مغناطیسی دانسیته بالا، فیلتر های ماکروویو و پوشش های جاذب رادار نیز به وفور مورد استفاده قرار می گیرد. این گونه کاربرد ها نیازمند موادی با اندازه و شکل کنترل شده و خواص مغناطیسی ویژه هستند. روش تهیه شدیدا بر این گونه خواص تاثیر گذار خواهد بود. به منظور حصول ذرات بسیار ریز فریت باریم با همگنی بالا و اجتناب از پروسه آسیاب کاری، تکنیک های مختلفی همچون: هم رسوبی، هیدروترمال، میکروامولسیون، سل-ژل و....وجود دارد. ویژگی مهم این روشها مخلوط کردن مواد اولیه در حالت یونی می باشد به طوری که کریستالیزاسیون بعدی می تواند در دمای نسبتا پایین رخ دهد و این امر نیز به نوبه خود باعث تولید ذرات با اندازه کوچکتر می شود. فرایند سل-ژل یک روش پیشرفته و نوین جهت سنتز پودرها در مقیاس نانو است که در چند سال اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. توانمندی های فوق العاده این روش باعث توجه روز افزون به این فرایند شده است. روش سل-ژل این مزیت را دارد که پودرهای بسیار ریز با میزان خلوص بالا و همگن تولید می کند و با کنترل فرایند آن می توان پودرهای نانو با اشکال مورد نظر بدست آورد. در این پایان نامه چگونگی تهیه نانو ذرات هگزا فریت باریم به روش سل-ژل و خواص مغناطیسی و ساختاری نانو ذرات بوسیله پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، طیف سنج مادون قرمز (ft-ir) و آنالیز مغناطش سنج نیروی گرادیان متناوب (agfm) مورد مطالعه قرار گرفتند.