در سال های اخیر خواص ساختاری و دی الکتریک مواد فروالکتریک و ترکیبات وابسته به آن ها با فرمول شیمیایی abo3 به صورت گسترده مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف از این پژوهش، سنتز تیتانات باریم- استرانسیم همراه با افزودنی بیسموت با استفاده از روش سل- ژل و بررسی تأثیر افزودن بیسموت بر ساختار و خواص دی الکتریکی ترکیب مورد نظر جهت دست یابی به خواص کاربردی تر می باشد. ساختار و خواص این ماده خصوصاً دمای کوری به شدت به عواملی نظیر ترکیب شیمیایی و مواد افزودنی وابسته است و با تغییر این پارامترها می توان به خواص دلخواه رسید. بدین منظور، سل پایدار تیتانات باریم- استرانسیم با نسبت های مولی بهینه تهیه و درصدهای متفاوت از بیسموت در آن به روش سل- ژل دوپت شد. محصول نهایی جهت تشکیل فاز پرووسکایت در دماهای 650، 750 و 850 درجه سانتی گراد عملیات حرارتی شد و نهایتاً خواص ساختاری و دی الکتریک آن به وسیله دستگاه های xrd، sem، tg-dta، ftir و lrc مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایج بیانگر این است که با ورود مقادیر مختلف عنصر بیسموت به ترکیب، کاهش اندازه دانه تا 29 نانومتر در 5 درصد اتمی ماده دوپت رخ داده است. همچنین آزمایشات خواص دی الکتریک نشان دادند که با افزایش دما و فرکانس، ثابت دی الکتریک و اتلاف الکتریکی هر دو کاهش یافتند. بر این اساس درصد بهینه ماده دوپت با توجه به شرایط کاری نمونه قابل تعیین می باشد. علاوه بر آن با افزایش ماده دوپت، دمای کوری از 100 درجه سانتی گراد برای تیتانات باریم استرانسیم به 65 درجه سانتی گراد برای تیتانات باریم استرانسیم با 4 درصد بیسموت تغییر کرده است که افزایش ثابت دی الکتریک در حوالی دمای اتاق را نتیجه می دهد.