در این پژوهش نانوساختار مس ایندیم دی سلنید (cise) cuinse2 و نانو ساختار روی اکسید(zno) با بکارگیری روش سالوترمال تهیه شدند. از cise به عنوان ناخالصی با گاف انرژی باریک به منظور فعالسازی zno استفاده شد و نانو ساختارهایcuinse2 x% /zno با درصد های مختلفی از cuinse2 با بکارگیری روش سالوترمال تهیه گردید. مقادیر 3و 5 % از cise، منجر به تشکیل نانوذرات روی اکسید دوپه شده با cise و مقادیر 10، 25 و 50 % از cise، نانو کامپوزیتcuinse2 / zno را تشکیل می دهند. این مواد با آنالیزهای پراش اشعه ایکس (xrd)، طیف سنجی زیر قرمز (ft-ir)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و طیف سنجی uv-vis)) شناسایی شدند. تاثیر پارامترهای مختلف نظیر زمان واکنش و حلال روی خلوص محصولات مورد بررسی قرار گرفت. همچنین خواص نوری نانوذرات حاصل با استفاده از گاف انرژی مطالعه شد. فعالیت فوتوکاتالیستی تمام نانوذرات تهیه شده توسط واکنش تخریب فوتوکاتالیستی آلاینده کنگورد مورد بررسی قرار گرفت. در همه موارد، نتایج نشان دهنده افزایش بازده قابل توجه بازده حذف رنگ در حضور نانو ساختارهای cuinse2 x% / zno نسبت به نانوذرات zno سنتزی و توده بود. نمونه (cuinse2 10% / zno) s10 نشان می دهد که حضور مس ایندیوم دی سلنید در این مقیاس، باعث بهبود در خواص فوتوکاتالیستی این نمونه نسبت به سایر نمونه ها شده و در مدت زمان کمتری، راندمان حذف تا 100% افزایش یافت. همچنین در این مطالعه اثر ph اولیه از محلول، غلظت رنگ و زمان واکنش بر خواص فوتوکاتالیستی مورد بررسی قرار گرفت.