ساختار مس گونه cis به عنوان ماده جاذب برای سلول های خورشیدی لایه نازک کاربرد تجاری گسترده ای دارد. در این تحقیق روش ساخت لایه نازک ‎ cis ‎و cigs به روش الکتروشیمیایی توضیح داده شده است. ابتدا لایه های ‎ci ‎ و cig با استفاده از روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده اند سپس نمونه ها در کوره تحت دمای 470‎ درجه سانتی گراد سلنیوم دار شده اند. این فرایند بر روی بستری از شیشه های ‎soda-lime ‎ که مولیبدن بر روی آن ها به روش کندوپاش لایه نشانی شده است، انجام شد. پس از ساخت این لایه ها، یک لایه به ضخامت 180nm ‎ فلز آلومینیم به عنوان کاتد بر روی آن ها به روش تبخیر حرارتی لایه نشانی و مشخصه جریان-ولتاژ آن ها اندازه گیری شد. سپس رفتار دیودی آن ها توسط معادلات شاتکی بررسی شد و چهار پارامتر عامل ایده آل، ارتفاع سد پتانسیل، چگالی جریان اشباع معکوس و نسبت یکسوسازی برای هرکدام از آن ها محاسبه شد. با مقایسه این پارامترها برای سه نمونه cis‎ با غلظت های مختلف ایندیم مشخص شد که سه پارامتر عامل ایده آل، ارتفاع سد پتانسیل و نسبت یکسوسازی با افزایش مقدار ایندیم افزایش یافته است و مقدار ارتفاع سد پتانسیل برای همه نمونه ها و نمونه cigs مقدار ‎0.1 ev‎ به دست آمد.