بر اساس مشخصه های i-v و بررسی های ریزساختار های سطح نمونه ها معلوم شد که نمونه لایه نشانی شده با دمای زیرلایه حدود 180 درجه سانتیگراد دارای کمترین مقاومت ویژه تماس و زبری سطح است. نمونه های با دمای زیرلایه کمتر از 130 درجه سانتیگراد دارای ریخت شناسی ضعیف و سطح غیریکنواختی بودند. همچنین برای نمونه های با دمای لایه نشانی بیشتر از 230 درجه سانتیگراد مقاومت ویژه تماس، سطوحی با ساختار سوزنی و زبری سطح بالاتری نسبت به دیگر نمونه ها بدست آمد.

نانومیله های tio2 به دلیل ترابرد بسیار بالای الکترون، پایداری فیزیکی و شیمیایی بالا گزینه مناسبی برای استفاده در بسیاری از افزاره ها مانند سلول های خورشیدی، آشکارسازهای فرابنفش و سنسورهای الکتریکی هستند. نانومیله های tio2 عمدتا با روش هایی مانند cvd,pvd,mocvd و آندایزینگ و .. ساخته می شوند که بسیار هزینه بر است. در این روش ها و عمده روش های شیمیایی نیز معمولا نانومیله ها در راستاهای مختلفی بدست می آیند. در این پروژه به روش شیمیایی نسبتا ساده و کنترل پذیر هیدروترمال فیلمی از نانوساختارهای یک بعدی منظم عمود رشد یافته بر بستر شیشه رسانای شفاف (fto) ساخته شد. در این پروژه، نانومیله های تک کریستال tio2 به روش هیدروترمال در دمای ?150در محیط دواسیدی سنتز شدند. به منظور بررسی طول های مختلف میله ها، آزمایش ها در سه غلظت مختلف پیش ماده ttip),tio2) انجام می شوند. به منظور مشخصه یابی این فیلم ها آنالیزهای اسپکتروسکوپی مرئی-فرابنفش (uv-vis) ، انرژی پراکندگی اشعهx (edax)، میکروسکوپ الکترونی روبشی(sem) ، پراش پرتو (xrd) x مورد استفاده قرار گرفتند. تصاویر sem نشان می دهند که نانومیله های tio2 به شکل کاملا عمود و منظم بر روی زیرلایه تشکیل شده اند، افزایش مقدار ttip ازm 0.5 به m 1 باعث افزایش طول میله ها از ?m 1.5 تا ?m 2 می شود اما با افزایش بیشتر مقدار ttip، افزایشی در طول میله ها مشاهده نمی شود و همچنین قطر نانومیله ها در حدود nm 50 است که با تغییر غلظت پیش ماده تغییر نمی کنند. edax وجود عناصر ti وo را در نمونه نشان می دهد. آنالیز xrd نشان می دهد نانومیله های تک کریستال tio2 ساختار تتراگونال روتایل دارند.

هرگاه افزاره ی نیمه رسانایی به وسیله ی رابط فلزی در مدار قرار گیرد، بازده افزاره می تواند تحت تاثیر تماس فلز-نیمه رسانا تغییر کند. تماس فلز-نیمه رسانای اهمی، علاوه بر داشتن مقاومت تماسی پایین و نمودار ولتاژ-جریانِ خطی، می بایست از پایداری گرمایی مناسبی برخوردار باشد. در این پژوهش ابتدا تماس های اهمی و شاتکی مورد بررسی قرار گرفته است. سپس با بررسی های انجام شده، بهترین گزینه ی فلزات تماسی به نانوساختار zno انتخاب گردید. zno نیمه رسانایی با ویژگی های ممتاز برای افزاره های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی است. zno آلایش شده توسط al که به روش سُل-ژل تهیه گردید، روی ویفر سیلیکان لایه نشانی شد. به منظور ایجاد تماس، به ترتیب فلزّات ti، al و au روی zno لایه نشانی گردید. جهت اندازه-گیری مقاومت تماسی ویژه، طرح tlm دایروی از طریق فرآیند لیتوگرافی روی نمونه ها منتقل شد. سپس نمونه ها در دماهای مختلف بازپخت شدند. برای تایید اهمی شدن تماس و همچنین یافتن بهترین دمای بازپختِ دارای مقاومت تماسی ویژه ی کمتر، مشخصه یابی الکتریکی (i-v) انجام شد. اندازه گیری ها نشان داد که دمای بازپخت 350? کمترین مقاومت تماسی ویژه را دارد. میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) تصاویر با وضوح بالایی از سطح و سطح مقطع عرضی نمونه ها را به منظور بررسی ریخت شناسی و ناهمواری سطح نمونه ها فراهم آورد. تصاویر نشان داد که با افزایش دمای بازپخت، ناهمواری سطح زیادتر شده و منجر به تشکیل سطحی غیر یکنواخت گردیده است. همچنین طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس (edx) که تحلیل عنصری و مشخصه یابی شیمیایی را امکان پذیر می کند، علت اتفاقات روی داده را به خوبی بیان می کند.