در این تحقیق واکنش های تشکیل و احیاء اکسید سطح پلاتین در اسید فسفریک و اکسایش متانل در الکترولیت اسید فسفریک با روش های ولتامتری چرخه ای (cv) و اسپکتروسکپی امپدانس (eis) مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه واکنش های تشکیل و احیاء اکسید سطح پلاتین در اسید فسفریک نشان داد که پیک نشکیل اکسید سطح پلاتین شامل یک پیک منفرد بوده و مکانیزم تشکیل ptoh تک مرحله ای می باشد و در پتانسیل های بالاتر 1/1 ولت، نسبت به الکترود مقایسه ptoh, ag/agcl به pto تبدیل می شود. پتانسیل های مثبت بزرکتر و بهره زمانی طولانی تر پوشش سطحی pto تشکیل شده را افزایش می دهد. با استفاده از منحنی های اسپکتروسکپی امپدانس در پتانسیل های dc مختلف در یافتیم که با افزایش پتانسیل. مقاومت انتقال تشکیل اکسید سطح پلاتین کاهش می یابد و سینتیک واکنش افزایش می یابد و نتایج بدست آمده از cv را تایید می کند. مطالعه اکسایش متانل در الکترولیت 85%h3po4، نشان داد که پیک مربوط به اکسایش متانل در پتانسیل 4/1 ولت، شروع می شود و بعد به حد رسیده و بعد به دیواره اکسایش حلال می پیوندد و فاقد پیک احیایی مربوطه می باشد و با کاهش ph سینتیک اکسایش متانل زیادتر می شود. شدت جریان پیک احیاء اکسید سطح پلاتین با حضور متانل کاهش می یابد و نشان می دهد که متانل در این پتانسیل ها هیدروژن زدایی می شود ولی اکسایش کامل آن در پتانسیل های بالاتر صورت می گیرد. با استفاده از اسپکتروسکپی امپدانس در پتانسیل dc مختلف دریافتیم که با افزایش پتانسیل، مقاومت انتقال بار اکسایش متانل کاهش می یابد و سنتیک واکنش افزایش می یابد و نیز بالاتر از پتانسیل های 8/1 ولت، pto تشکیل شده واکنش اکسایش متانل را کاتالیز می کند و سرعت واکنش را افزایش می دهد. ضریب انتشار بدست آمده در دمای 25 درجه سانتی گراد، cm2/s 0/8 x 10-8، و انرژی اکتیواسیون 35 ki/mol می باشد. با افزایش دما پیک های جذب و واجذب هیدروژن بر روی سطح الکترود پلاتین در محلول اسید فسفریک حذف می شود و نیز سینتیک اکسایش متانل زیادتر می شود.