در میان نانوسیم‏های مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیم‏های کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیم‏ها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایه‏ی سدی نقش کلیدی در فرآیند الکترونهشت دارد، در این پروژه برای اولین بار با تغییر دمای لایه‏ی سدی فرآیند الکترونهشت تحت تأثیر قرار گرفت. اگر لایه‏ی سدی در یک دمای یکنواخت قرار گیرد می‏تواند فرآیند الکترونهشت را کنترل کند و همچنین واکنش‏های شیمیایی را که روی سطح لایه‏ی سدی اتفاق می‏افتد را تحت تأثیر قرار دهد و بدین ترتیب خواص مغناطیسی و ساختار بلوری نانوسیم‏ها را دچار تغییر کند. نانوسیم‏های کبالت درون قالب آلومینای حفره‏دار با قطر 30 نانومتر و فاصله‏ی بین حفره‏ای 100 نانومتر توسط فرآیند الکترونهشت پالسی در سه اسیدیته 5/2، 4 و 5 ساخته شدند. اندازه‏گیری حلقه پسماند مغناطیسی در حالت میدان موازی با محور نانوسیم ثابت کرد که افزایش دمای لایه‏ی سدی منجر به افزایش وادارندگی در هر سه اسیدیته می‏شود و برای نمونه های ساخته شده با اسیدیته 4 در دمای لایه‏ی سدی °c48 مقدار وادارندگی 2595 اورستد به دست آمد که تاکنون هیچ گروهی گزارش نشده است و برای اسیدیته 5 وادارندگی در یک بازه‏ی گسترده از 1071 اورستد تا 2725 اورستد دچار تغییر شد. بررسی الگوهای xrd نشان داد که همه‏ی نمونه‏های ساخته شده در فاز hcp هستند و افزایش وادارندگی و نسبت مربعی را می‏توان به دو کمیت بلورینگی و ناهمسانگردی مغناطوبلوری نسبت داد. افرایش دمای لایه‏ی سدی باعث افزایش بلورینگی و همچنین تقویت ناهمسانگردی بلوری با قرار گرفتن محور c در امتداد محور نانوسیم‏ها گردید که در نتیجه افزایش وادارندگی و بهینه شدن خواص مغناطیسی را در پی داشت.