به منظور کاربرد نانوذرات مغناطیسی در محیط های ذخیره سازی اطلاعات، نیاز به نانوذراتی در ابعاد nm 20-2 است تا هر نانوذره به عنوان یک بیت به کار رود. این ذرات می باید از نظر مغناطیسی، فرومغناطیس و دارای ناهمسانگردی مغناطوبلوری بالا (ku= 107 erg/cm3) و همچنین میدان وادارندگی از مرتبه تسلا باشند. دستیابی به این خواص از طریق گذار به فاز منظم l10 حین گرمادهی نانوذرات تا دمای c?600 امکان پذیر است. دمای بازپخت موجب بهم پیوستگی نانوذرات و افزایش اندازه آنها خواهد شد، لذا زیرلایه ای لازم است تا علاوه بر ایجاد توزیع یکنواخت و تک لایه از نانوذرات روی سطح، از بهم پیوستگی آنها حین بازپخت جلوگیری نماید. در این کار، نانوذرات fept پس از ساخت به روش شیمیایی polyol، به دو روش شیمی تر (wet chemistry) و پوشش دهی چرخشی (spin coating) به ترتیب روی زیرلایه های سیلیکان متخلخل و sio2/si نشانده شده اند. پیوندهای ایجاد شده با سطوح، مانع از کلوخه ای شدن ذرات حین بازپخت شده و در نهایت توزیع یکنواختی از نانوذرات روی سطح بدست آمده است. خواص ساختاری و مغناطیسی نانوذرات مورد بررسی قرار گرفته است. تحلیل های tem و fe-sem اندازه ذرات را قبل از گرمادهی، 2/7 nm و پس از گرمادهی 15 nm و تحلیل edx ترکیب عنصری آنها را fe55pt45 نشان داده اند. ظهور قله های جدید در طیف xrd وجود نظم شیمیایی l10 و انتقال جزئی قله ها تغییر ثابتهای شبکه و ایجاد (c/a)<1 را نشان می دهد. تحلیل vsm میزان وادارندگی نانوذرات پس از بازپخت روی بستر معمولی سیلیکان را 7 koe و با نانوذرات 15 nm روی بستر سیلیکان متخلخل را 3/3 koe نشان داده است. خاصیت ابرپارامغناطش نمونه نیز قبل از بازپخت توسط vsm مشخص شده است. همچنین مورفولوژی نانوذرات روی بسترهای سیلیکان از طریق تصاویر fe-sem بررسی شده اند. در این کار، توزیع های یکنواخت و تک لایه از دانه های مغناطیسی با ابعادی حدود 15 nm و میدان وادارندگی از مرتبه تسلا روی بسترهای سیلیکان متخلخل و اکسید سیلیکان ایجاد شده اند.