ابتدا، خواص ساختاری، مغناطیسی و الکتریکی منگنایت های pr1-xagxmno3 با استفاده از طیفهای پراش پرتو ایکس و تحلیل آنها، تصاویر sem، پذیرفتاری مغناطیسی متناوب ، مقاومت الکتریکی، مغناطو مقاومت، مغناطش برحسب دما ، حلقه پسماند، گرمای ویژه و مغناطوگرما مورد مطالعه قرار گرفته اند. شواهدی ارائه شده اند که نشان می دهند به احتمال خیلی زیاد ag در جایگاه pr جانشین نمی شود بلکه به صورت نقره فلزی در مرزدانه ها قرار می گیرد. مطالعه پذیرفتاری مغناطیسی متناوب نشان می دهد که دیواره حوزه های مغناطیسی در این منگنایت ها رفتارهایی جالب توجه و غیرعادی از خود نشان می دهند. برای توصیف این رفتارها یک سازوکار مبتنی بر میخکوبی دیواره ها در مرزدانه ها ارائه شده است. خارج شدن دسته جمعی دیواره ها از مرزدانه ها به همراه جابجایی های نسبتاً بزرگ باعث به وجود آمدن یک برآمدگی در پذیرفتاری مغناطیسی در دمایی کمتر از دمای گذار می شود. برای یک چنین اتفاقی، میدان اعمالی می بایست بیشتر از یک حد آستانه باشد. نتایج نشان می دهند که جفت شدگی بین دانه ای در مرزدانه ها نقش مهمی در دینامیک دیواره حوزه های مغناطیسی دارد. یک پسماند گرمایی جالب در پذیرفتاری مغناطیسی در دماهای کمتر از دمای برآمدگی مشاهده شد و به برگشت ناپذیری گرمایی در میخکوب شدن دیواره ها نسبت داده شده است. وابستگی پذیرفتاری به بسامد با توجه به وابستگی زمان واهلش دیواره ها به دما مورد بررسی قرار گرفته است. مغناطوگرمای نمونه ها مورد بحث قرار گرفته است. یک تغییر در علامت مغناطوگرما (مغناطوگرمای معکوس) در حدود 80 کلوین در نمونه 0.05= x مشاهده شده است که به حضور هم زمان دو فاز فرومغناطیس و پادفرومغناطیس کج شده در این نمونه ارتباط داده شده است. اندازه گیری مقاومت الکتریکی بر حسب دما نشان می دهد که نمونه ها عایق-گونه رفتار می کنند و گذار فاز عایق - فلز در آنها رخ نمی دهد. در قسمت دوم، خواص مغناطیسی و ساختاری نانوذرات ترکیب پادفرومغناطیس lafeo3، نانوذرات ni/nio و نانوذرات nio با استفاده از طیف های پراش پرتو ایکس و تحلیل آنها، تصاویر tem و fe-sem، مغناطش برحسب دما و حلقه پسماند مورد بررسی قرار گرفته اند. رفتارهای مغناطیسی نانوذرات lafeo3 در قالب یک مدل مغزه/پوسته و با در نظر گرفتن یک پوسته فرومغناطیس گونه و یک مغزه پادفرومغناطیس برای ذرات قابل توصیف هستند. برای اولین بار ظهور پدیده بایاس تبادلی (جابجایی حلقه پسماند در راستای میدان بعد از سردسازی نمونه در میدان 50koe) در نانوذرات lafeo3 گزارش شده است. این پدیده به جفت شدگی تبادلی بین پوسته فرومغناطیس و مغزه پادفرومغناطیس ذرات ارتباط داده شده است. نتایج نشان می دهند که افزایش میدان بایاس تبادلی در دماهای پایین با کاهش در میدان وادارندگی همراه است. این رفتار با در نظرگرفتن فعالسازی گرمایی مغزه پادفرومغناطیس ذرات توصیف شده است. نانوذرات ni/nio با یک روش نسبتاً جدید ساخته شده اند. مزیت این روش این است که درصد نیکل به آسانی با دمای ساخت قابل کنترل است. تحلیل نتایج نشان می دهد که نانوذرات ni/nio را می توان به صورت مجموعه ای از گشتاورهای فرومغناطیس به علاوه یک حالت بی نظم ساختاری و مغناطیسی در nio که باعث بروز رفتار شیشه اسپینی در دماهای پایین می شود، در نظر گرفت. یک روش نسبتاً ساده و سریع جهت ساخت نانوذرات nio ارائه شده است که قابلیت استفاده برای سایر اکسیدهای فلزی را هم دارد.

آلیاژهای حافظه پذیر فرومغناطیس هویسلری ni50 mn50-xinx با 16و15=x به روش آلیاژسازی مکانیکی ساخته شدند. در مورد ترکیب 16=x، با استفاده از الگوی پراش پرتو ایکس، تصاویر sem و نقشه های رنگی، به ترتیب ساختار مواد، اندازه و شکل دانه ها و نحوه توزیع عناصر در این ترکیب در طی ساعات مختلف آسیاب کاری بررسی شد. پس از 20 ساعت آسیاب کاری پودر اولیه، مشخص شد که این نمونه مخلوطی از فازهای مارتنزیت و آستنیت را در ساختار خود دارد. به منظور تک فاز شدن، نمونه تحت عملیات حرارتی قرار گرفت و در دماهای 800 و 900 درجه سانتیگراد بازپخت شد و به دوصورت سردسازی آرام و سردسازی سریع در مخلوط آب و یخ، به حدود دمای اتاق رسید. در این فرآیند مشخص شد که بازپخت نمونه موجب بهبود نظم بلوری و تقویت خواص مغناطیسی ماده می شود؛ خصوصا برای نمونه ای که پس از بازپخت به سرعت سرد شده که در آن، فاز l21 آستنیت، ساختار اصلی ماده را تشکیل می دهد و رفتار پذیرفتاری مغناطیسی آن نیز گذارهای ساختاری و مغناطیسی را نشان می دهد. با بررسی تأثیر دمای بازپخت بر خواص ساختاری و مغناطیسی نمونه ها، مشخص شد که افزایش دمای بازپخت باعث تک فاز شدن ساختار و تقویت خواص مغناطیسی نمونه ها می شود. در مورد ترکیب 15=x، از همان ابتدا پس از 20 ساعت آسیاب کاری، نمونه به صورت تک فاز با ساختار l21 مشاهده شد و بازپخت و سردسازی سریع آن نشان داد که همچون نمونه های قبلی، با افزایش دمای بازپخت، نظم بلوری افزایش یافته و از لحاظ مغناطیسی تقویت می شود. علاوه بر اینها، تأثیر ذوب ماده بر خواص مختلف این دو ترکیب مطالعه گردید و مشاهده شد که پس از ذوب، ساختار نسبتا پایداری در ماده شکل می گیرد. به طوری که عملیات حرارتی پس از آن، تأثیر چندانی بر خواص ساختاری آن ندارد. هرچند که در ترکیب 16=x، گذاری پهن در پذیرفتاری مغناطیسی به وجود می آید.

در این پژوهش، پودرهای نانوذرات مگنتیت (fe3o4) که دارای ساختار اسپینلی می باشند، با استفاده از روش همرسوبی تهیه شده است. در بخش اول، نانوذرات مگنتیت در شرایط ساخت متفاوت، مانند عامل رسوب کننده ی naoh یا nh4oh، دما، ph و اتمسفر آرگون ساخته شده اند. سپس، این نانوذرات با استفاده از ابزارهای مشخصه یابی متعددی همچون آنالیز پراش پرتو ایکس، آنالیز طیف سنجی مادون قرمز (ftir)، آنالیز حرارتی نمونه ها(tg)، مغناطش سنج ارتعاشی(vsm) و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی(fesem)، مورد بررسی ساختاری و مغناطیسی قرار گرفته است. مواد اولیه ی مورد استفاده در این بخش عبارتند از: کلرید آهن، سولفات آهن، naoh، nh4oh و آب مقطر. در این بخش، ابتدا نانوذراتی با عامل رسوب naoh ساخته می شود ولی از آنجائیکه تحلیل نتایج vsm آن ، نشان می دهد که نمونه مورد نظر دارای مغناطش اشباع پایینی است؛ به-همین علت، نانوذراتی با عامل رسوب nh4oh ساخته شده است. نانوذرات ساخته شده با استفاده از این عامل رسوب، دارای مغناطش اشباع بالایی، حدود 83% از مغناطش نمونه ی حجمی مگنتیت می باشد ولی ابرپارامغناطیس نیستند. در نتیجه، به منظور ساخت نانوذرات ابرپارامغناطیس مگنتیت، ph و دمای ساخت نمونه تغییر داده شده است؛ در نتیجه ی این کار، نانوذراتی با اندازه ی کوچکتر، ابرپارامغناطیس و با مغناطش اشباع بالا(حدود 86درصد حالت حجمی مگنتیت) ساخته شده است. در بخش دوم این پژوهش، به منظور کاربردی کردن این نانوذرات در صنعت، برروی دو نمونه از نانوذرات که ابرپارامغناطیس بودند ولی اندازه ی نانوذراتشان متفاوت بود، پوششی ازکنگر، با استفاده از رابط aptes، قرار داده شده است. در این بخش نیز با استفاده از آنالیز حرارتی (tg)، آنالیز پراش پرتو ایکس، آنالیز طیف سنجی مادون قرمز(ftir) و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، خواص ساختاری نمونه ها بررسی شده و سپس به منظور بررسی درصد جذب فلزات سنگین از آب آلوده صنعتی، از تست icp-oes استفاده شده است. نتایج نشان می دهند که با قرارگیری این پوشش ها برروی نانوذرات مگنتیت، اندازه ی نانوذرات کاهش پیدا کرده و همچنین کلوخه ای بودن و آگلومری نانوذرات کاهش چشم گیری پیدا می کنند. همچنین، نتایج حاصل از تست icp-oes نیز نشان می دهد که هرچه درصد پوشش کنگر برروی نانوذرات بیشتر باشد، درصد جذب هم افزایش می یابد و می توان از این پوشش برای حذف فلزاتی چون کروم، منگنز و نیکل استفاده کرد.

در این پژوهش، نمونه های منگنایت (25/0 x ??0) la0.5ca0.5 mn1-xcoxo3 به روش تجزیه ی حرارتی نیترات ها و استات های مواد اولیه در حضور اسید سیتریک ساخته شدند و ویژگی های ساختاری، مغناطیسی و الکتریکی آن ها مورد بررسی قرار گرفت. تحلیل ریتولد پراش های پرتو ایکس نشان داد که همه ی نمونه ها دارای ساختار بلوری ارتورومبیک با گروه فضایی pnma می باشند. در همه ی نمونه های پخت شده در دماهای 800 (800s) و 1350 (1350s) درجه ی سانتی گراد، در ابتدا حجم یاخته ی واحد نمونه ها با افزایش میزان آلایش کبالت تا 025/0x= به صورت منظم تغییر نکرده است و پس از آن با افزایش بیشتر میزان آلایش، حجم یاخته ی واحد نمونه ی 05/0=x دچار کاهش شدید شده است. از آنجا که اندازه ی میانگین شعاع یون های (? 585/0) mnav بین شعاع یونی (? 65/0) +2co و (? 55/0) +3co قرار دارد، ممکن است که در ترکیب های 025/0 x ??0، یون های کبالت به شکل +2co و +3co وجود داشته باشند و نوعی بازتوزیع یونی به شکل+2co + +4mn ?+3co + +3mn در نمونه های 025/0 x ??0 رخ داده باشد. بر خلاف آن با افزایش بیشتر میزان آلایش کبالت، بازتوزیع یونی آهسته تر انجام شده و بیشتر یون های کبالت در سیستم به شکل +3co در نمونه ها ظاهر می شوند. کاهش شدید حجم یاخته ی واحد در نمونه ی 05/0=x را نیز می توان براساس زیاد شدن یون های +3co در سیستم که کوچک تر از یون های mnav هستند، توضیح داد. تصاویر fe-sem نیز تشکیل دانه های میکرومتری و نانومتری را به ترتیب در نمونه های 1350s و 800s تأیید می کنند. در نمونه های 1350s ، در ابتدا با افزایش میزان آلایش تا 025/0=x ، مغناطش (m) و گشتاور مغناطیسی موثر (µeff) افزایش یافته و پس از آن با افزایش بیشتر میزان آلایش تا 05/0=x ، مغناطش و گشتاور مغناطیسی موثر کاهش می یابند. اندازه-گیری های پذیرفتاری مغناطیسی متناوب نشان داد که در همه ی نمونه های 1350s، با افزایش میزان آلایش کبالت حالت نظم بار تضعیف می شود. نمونه های با آلایش کم پخت شده در دمای 1350 درجه ی سانتی گراد، پسماند گرمایی دارند که به دلیل وجود هم زمان دو فاز فرومغناطیس و پادفرومغناطیس و پدیده ی جدایی فاز است. ما هم چنین یک ویژگی از رفتار پسماند گرمایی در نمونه-های 1350s را گزارش کردیم که همان معکوس شدن جهت پسماند گرمایی در نمونه های با میزان آلایش 05/0 x ?? 0075/0 است. نکته ی جالب توجه این پژوهش در این است که درصد کمی از آلایش کبالت (5/0 درصد) می تواند در نمونه ی آلایش نشده ی عایق پخت شده در دمای 1350 درجه ی سانتی گراد، گذار عایق-فلز ایجاد کند. اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی نمونه های 800s نشان داد که همگی این نمونه ها دارای گذار فاز پارامغناطیس به فرومغناطیس هستند و اثری از حالت نظم بار در این نمونه ها مشاهده نشد. اندازه گیری مقاومت الکتریکی نمونه های 800s نیز بیان گر آن است که همگی نمونه های پخت شده در دمای 800 درجه ی سانتی گراد، رفتاری عایق گونه دارند و گذار عایق-فلزدر این نمونه ها مشاهده نشد.

چکیده در این پایان نامه خواص مغناطیسی، الکتریکی و ساختاری نمونه های حجمی بس بلور ولایه نازک ترکیب منگنایت la0.85ca0.15mno3 مورد بررسی قرار گرفته اند. نمونه اولیه به روش سل ژل تهیه شد و سپس نمونه ها در دو دمای 1150 و 1350 درجه سانتی گراد کلوخه سازی شدند. خواص مغناطیسی نمونه های کپه ای توسط پذیرفتاری مغناطیسی متناوب ( مولفه حقیقی و موهومی ) مورد بررسی قرار گرفت. پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها در بسامد و میدان های مختلف اندازه گیری شد. اندازه گیری ها نشان دادند که در نمونه های پخت شده در 1350 و همچنین در نمونه های حجمی پخت شده در 1150 یک افت وابسته به بسامد ( یک قله وابسته به بسامد در منحنی موهومی ) به وجود می آید. منشا این رفتار احتمالاً ناشی از شیشه اسپینی می باشد. لایه نشانی منگنایت la0.85ca0.15mno3 روی زیرلایه های si و laalo3توسط روش لیزر پالسی (pld) انجام شد. نتایج پراش اشعه ایکس نشان می دهند که لایه تک بلور با رشد جهت مند در راستای c روی زیرلایه شکل گرفته است. اثرات تابش لیزر و میدان مغناطیسی روی مقاومت الکتریکی لایه، لایه نشانی شده روی زیر لایه lao و نمونه کپه ای سایش یافته پخت شده در1350 درجه سانتی گراد مورد بررسی قرار گرفت. گرمای ایجاد شده توسط تابش باعث یک جابه جایی دمایی در کل نمودار می شود. همچنین در دماهای پایین یک کاهش مقاومت احتمالاً بدلیل اثر رسانایی نوری در نمونه ها دیده می شود. اعمال میدان در منگنایت ها سبب کاهش مقاومت الکتریکی می شود که این پدیده مغناطومقاومت بزرگ نامیده می شود. همچنین مقدار مغناطومقاومت به زاویه بین میدان مغناطیسی و جهت جریان الکتریکی بستگی دارد(مغناطومقاومت ناهمسانگرد).در این پروژه،مغناطومقاومت ناهمسانگرد در نمونه حجمی و لایه نازک در میدان koe10 مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهند که در نمونه حجمی در تمام بازه دمایی مقاومت حالت موازی ( ?_?) کمتر از مقاومت حالت عمود ( ?_?)است. امّا در نمونه لایه نازک در فاز عایق گونه مقاومت حالت موازی ( ?_?)کمتر از حالت عمود ( ?_?)است، امّا در فاز رساناگونه حالت?_?<?_?رخ می دهد .

اثر بایاس تبادلی اولین بار در بین سال های 1956-1957 توسط میکل جون و بین، در ذرات ریز فرومغناطیس کبالت (co) با یک پوسته پادفرومغناطیس اکسید کبالت (coo) کشف شد. این اثر عبارت است از جابجایی حلقه پسماند در راستای محور میدان، و معمولاً هنگامی رخ می دهد که یک ساختار با فصل مشترک fm/afm را، در حضور یک میدان مغناطیسی خارجی تا دمای پایین تر از دمای نیل فاز پادفرومغناطیس سرد کنیم. از زمان کشف این پدیده تحقیقات بسیاری جهت جستجو و فهم این پدیده در ساختارهای مختلف از قبیل هسته-پوسته، دولایه ای ها و مواد غیرهمگن انجام شده است. اثر بایاس تبادلی به طور گسترده برای ساختارهای co/coo گزارش شده است و در مورادی کمی برای لایه های نازک co/co3o4 گزراش شده است. این اثر همچنین در نانوذرات co3o4 مشاهده شده است، که قسمت فرومغناطیس آن را به اثرات سطحی نانوذرات یا نانوسیم ها نسبت می دهند. در این پژوهش، ما اثر بایاس تبادلی را برای نانوساختارهایی که دارای هر دو فاز پادفرومغناطیس coo و co3o4 گزارش می کنیم. نانوذرات کبالت/اکسید کبالت با استفاده از استات کبالت و پلی وینیل استات به عنوان پیش ماده و بازپخت در دمای بین 300-600 درجه سانتی گراد ساخته شدند. مشخصه یابی ساختاری مواد ساخته شده با استفاده از تحلیل xrd و تحلیل گرانی سنجی (tg-dsc) انجام گرفت. همچنین ریخت شناسی و توزیع اندازه ذرات با استفاده از tem مورد مطالعه قرار گرفت. اندازه گیری های مغناطیسی بر روی مواد نیز توسط اسکوئید (squid) انجام گرفت. نمونه دمای پایینc) °300( از فازهای co و coo و co3o4 تشکیل شده است در حالی که نمونه دمای بالاتر c) °600( تنها از فاز co3o4 تشکیل شده است. اثر بایاس تبادلی در تمام نمونه ها مشاهده می شود. اثر بایاس تبادلی در نمونه c°300 دز زیر دمای 230 کلوین (دمای قفل شدگی فاز coo) مشاهده می شود. در حالی که برای نمونه های با دمای بازپخت بالاتر در زیر دمای 35 کلوین(زیر دمای نیل فاز co3o4) مشاهده می شود. در این پژوهش نقش coo و co3o4 در خواص مغناطیسی ساختارهای کبالت/اکسید کبالت و و سازوکار حاکم بر اثر بایاس تبادلی مورد مطالعه قرار گرفته است

نانوذرات فریت های اسپینلی به دلیل ویژگی های مغناطیسی منحصر به فردشان در عرصه پزشکی و صنعت کاربرد گسترده ای دارند. این ویژگی ها به روش و شرایط ساخت، اندازه ذرات، عناصر آلایش دهنده و ... بستگی دارند. یکی از اهداف محققان بهبود ویژگی های مغناطیسی نانوذرات مغناطیسی با آلایش است. در این پژوهش، نانوذرات فریت نیکل آلایش یافته با کبالت nicoxfe2-xo4 به روش سل- ژل خود احتراقی ساخته شدند. این پژوهش متشکل از دو بخش است. در بخش اول اثر جانشانی co بر ویژگی های ساختاری و مغناطیسی فریت نیکل و در بخش دوم اثر دمای باز پخت روی ویژگی های ساختاری و مغناطیسی آن ها بررسی شد. مشخصه یابی و بررسی ویژگی های ساختاری و مغناطیسی نمونه ها با استفاده از آنالیز پراش پرتو ایکس (xrd)، آنالیز طیف سنجی مادون قرمز (ftir)، آنالیز میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem) و مغناطش سنج ارتعاشی (vsm) صورت گرفت. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه ها ساختار اسپینلی با گروه فضایی fd-3m را مشخص کرد و در نتیجه برازش نمونه ها با نرم افزار maud ساختار اسپینلی آمیخته برای فریت nicoxfe2-xo4 تایید شد. تصاویر fesem نشان داد که نمونه ها در ابعاد نانومتری هستند. بررسی منحنی پسماند مغناطیسی نمونه ها نشان داد که با افزایش میزان جانشانی کبالت مغناطش کمی کاهش می یابد و وادارندگی نمونه ها به علت ثابت ناهمسانگردی مغناطو بلوری بالای کبالت به شدت افزایش می یابد. در بخش دوم نمونه های پخت شده در دو دمای c˚ 500 و c˚ 1000 مطالعه شدند.کاهش پهنای قله های الگوی پراش پرتو ایکس، نشان دهنده افزایش اندازه بلورک هاست. نتایج حاصل از vsm افزایش مغناطش با افزایش دما را نشان داد که می تواند مربوط به عواملی چون: 1- کاهش نقص ها و ناکاملی های شبکه باشد. 2- مطابق مدل هسته-پوسته، که با افزایش دما نسبت سطح (لایه سطحی بی نظم) به حجم ( قسمت مرکزی با نظم مغناطیسی) کاهش می یابد و مغناطش با حذف اثرات سطحی افزایش می یابد. از طرفی با افزایش دمای باز پخت به دلیل بازتوزیع کاتیون ها (که با برازش الگوی xrd با نرم افزار maud تایید شد) انتظار کاهش مغناطش را داشتیم زیرا با جانشانی کبالت در جایگاه هشت وجهی و افزایش یون های آهن در جایگاه چهار وجهی انتظارکاهش مغناطش را داریم. در اثر رقابت بین این عامل و دو عامل ذکر شده با افزایش دمای بازپخت مغناطش کمی کاهش می¬یابد. با افزایش دما میدان وادارندگی کاهش می¬یابد زیرا در ساختار های چند حوزه با افزایش اندازه ذرات وادارندگی کاهش می یابد.

در این تحقیق تاثیر آلایش کروم در خواص ساختاری، مغناطیسی و الکتریکی منگنایت x= 0,0.002, 0.005, 0.01, 0.03)) la0.5ca0.5mn1-xcrxo3 مورد بررسی قرار گرفته است.نمونه ها به دو صورت سل- ژل و آسیاب حالت جامد استاتهای مواد اولیه در حضور اسید سیتریک ساخته شدند. خصوصیات مختلف این ترکیب از قبیل ساختار بلوری، خصوصیات الکتریکی و مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفت. به کمک طیف پراش پرتو ایکس و نرم افزار fullprof و تحلیل ریتولد ساختار بلوری نمونه های (lcmo) اورتورومبیک با گروه فضایی pnma ، به دست آمد. با استفاده از اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی متناوب نمونه ها یک گذار فاز پارامغناطیس به فرومغناطیس برای همه نمونه ها مشاهده شد و نتایج نشان داد که با افزایش آلایش کروم ، فاز پادفرومغناطیس به همراه نظم بار در نمونه ها ضعیف تر شده اند. همچنین به علت وجود همزمان دو فاز فرومغناطیس و پادفرومغناطیس در نمونه ها و پدیده جدایی فاز که ناشی از گذار فاز مرتبه اول است در پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها یک پسماند حرارتی وجود دارد. به منظور مشاهده بهتر رفتار این پسماند، پذیرفتاری مغناطیسی نمونه های 005/0، 002/0، 0/0 = x تاسه مرتبه تکرار و مشاهده شد که پذیرفتاری نمونه ها پس از هر بار تکرار در دماهای پایین کاهش می یابد. که این رفتار برای نمونه های با آلایش کمتر و به خصوص نمونه خالص محسوس تر است. اندازه گیری مقاومت الکتریکی نمونه خالص نشان داد که این نمونه رفتار عایق گونه با یک پسماند قابل ملاحظه ویک رفتار پله مانند که نشان-دهنده گذار نظم بار است دارد. در نمونه های آلایش یافته با کروم مقدار مقاومت الکتریکی به شدت کاهش می یابد.

امروزه با توجه به ویژگی های مفید و منحصر به فرد نانو ذرات مغناطیسی، استفاده از آن ها در علوم مختلفی مورد توجه قرار گرفته است. به سبب این که ویژگی های مغناطیسی نانو ذارت، تأثیر زیادی از روش ساخت آن ها می پذیرد، استفاده از روشی کارآمد، نکته ای کلیدی برای رسیدن به اهداف کاربردی محسوب می شود. روش های ساخت متفاوتی، بسته به هدف سازنده وجود دارد که در این کار ما روش سل ژل را به جهت خلوص و همگنی بالای ذرات و قابلیت کار در دما های نسبتاً کم انتخاب کردیم. مراحل انجام شده در این کار شامل سه بخش است: ساخت نانو ذرات فریت کبالت و بررسی اثر آلایش روی، به صورتco1-xznxfe2o4 (7/0، 5/0، 3/0، 1/0،0=x)، بررسی اثر دمای باز پخت در دو دمای 350 و oc1000 و بررسی اثر پوشش پلی وینیل پیرولیدون(pvp) بر ویژگی های ساختاری و مغناطیسی نانو ذرات فریت co0.3zn0.7fe2o4. پس از ساخت نمونه ها با استفاده از تحلیل-های xrd، fe-sem، tem و ftir به بررسی ویژگی های ساختاری و مورفولوژی سطحی نانو ذرات و با استفاده از تحلیل های vsm و پذیرفتاری ac به اندازه گیری ویژگی های مغناطیسی آن ها پرداختیم. نتایج تحلیل xrd نمونه-های بازپخت شده در دمای oc350، وجود روندی نا منظم در تغییرات ثابت شبکه را نشان می دهد. برازش داده های xrd با استفاده از نرم افزار maud نیز عدم وجود نظم مشخصی در رفتار ثابت شبکه را تأیید می کند. این بی نظمی به نحوه توزیع کاتیون ها در جایگاه های شبکه اسپینلی فریت روی-کبالت نسبت داده می شود. این در حالی است که نمونه های باز پخت شده در دمای oc1000 روند منظمی در تغییرات ثابت شبکه نشان می دهند که علت آن می تواند بهبود ساختار شبکه اسپینلی با افزایش دمای باز پخت و باز توزیع کاتیون ها در ساختار باشد. همچنین کاهش پهنای قله صفحات براگ با افزایش دمای باز پخت، نشان دهنده رشد بلورک ها با افزایش دما است. نتایج تحلیل vsm نمونه های باز پخت شده در دمای oc350، روند کاهشی در رفتار مغناطش بیشینه و میدان وادارندگی را نشان می دهد که کاهش مغناطش ناشی از نحوه احتمالی توزیع کاتیون ها و کاهش مغناطش زیر شبکه b و افزایش مغناطش زیر شبکه a و کاهش وادارندگی ناشی از جانشانی یون های غیر مغناطیسی zn2+ است. در نمونه های باز پخت شده در دمای oc1000، شاهد رفتار افزایشی-کاهشی در مغناطش بیشینه و رفتار کاهشی در وادارندگی هستیم. علت افزایش مغناطش بیشینه تا آلایش 3/0=x، افزایش مغناطش جایگاه های b و کاهش مغناطش جایگاه های a در اثر ورود یون های zn2+ به جایگاه های a و ورود یون های fe3+ به جایگاه های b است. کاهش مغناطش در آلایش های بالا تر به تضعیف برهمکنش های ab نسبت داده می-شود. با افزایش دمای باز پخت نمونه ها، مغناطش بیشینه نیز افزایش می-یابد که به نظر علت اصلی آن، کاهش کج شدگی های اسپین برسطح نانو ذرات با افزایش اندازه بلورک ها است. نتایج تحلیل xrd نمونه co0.3zn0.7fe2o4 باز پخت شده در دمای oc350 پوشش داده شده با مقادیر متفاوت pvp، نشان دهنده عدم تغییر فاز ساختاری نمونه پس از پوشش دهی و کاهش اندازه بلورک ها با افزایش پوشش pvp است. اندازه گیری های مغناطیسی نشان می-دهد که با افزایش مقدار pvp، مغناطش بیشینه نمونه ها کاهش پیدا می کند که علت اصلی آن به غیر مغناطیسی بودن پلیمر pvp و کاهش جرم موثر نسبت داده می شود.

در تحقیق حاضر، به ساخت و بررسی ویژگیهای ساختاری و مغناطیسی فریت کبالت خالص و آلایش یافته با روی ساخته شده در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان های مغناطیسی مختلف پرداخته شده است. در قسمت اول، نمونه ها با فرمول و در غیاب میدان مغناطیسی به روش سل- ژل ساخته شدند. سپس این نانوذرات با بیوپلیمر زئین پوشش داده شدند و به منظور شکل گیری ساختار منظم نانوذرات پوشش داده شده با زئین، آنها را در میدانهای عمود و موازی با سطح نمونه قرار دادیم. در قسمت دوم به بررسی تأثیر میدان مغناطیسی در حین فرایند ساخت نانوذرات فریت کبالت خالص و آلایش یافته با روی پرداخته شده است. نمونه ها با فرمول شیمیایی co1-xznxfe2o4(x=0,0.1) در میدانهای مغناطیسی صفر، 2/0، 4/0 و 8/0 تسلا به روش سل-ژل ساخته شدند.

نظام بانکی از مهمترین اجزای اقتصاد کشور به حساب آمده و جریان ،حیاتی پول آن را به گردش در میآورد. بانکهاهسته اصلیشبکهحفاظتازسیستممالیمحسوبمیشوند. ،بهویژهباتوجهبه اینکهروشهایپولشویینیزطیاینسالهاوبهعلتتوسعهمحصولاتوخدماتبانکی ارائهشده ،روابطمالیپیچیدهتر،پیشرففناوریوافزایشسرعتجریانهایپولیجهانیمبتکرانهترشدهاست. پولشوییوتامینمالیتروریسم،هردومیتوانندبانکهاراتضعیفکنندوشهرتواعتبارتمام بخش مالیراموردتهدیدقراردهند. بنابراینمبارزهباپولشوییوتامینمالیتروریسم،عنصر کلیدیدربهبوداستحکاموسلامتبخشمالیهرکشوراست.لذا این تحقیق در صدد است روشهای ومکانیزمهای مبارزه با پولشویی را در بانک صادرات شهر کرمانشاه مورد بررسی علمی قرار داده تا برخی علل کاستی های موجود روشن شود.در ابتدا با بهره گیری از دیدگاه صاحب نظران ،کارشناسان امور و نتایج تحقیقات قبلی ،مدل مفهومی پژوهش طراحی وسپس با تهیه پرسشنامه روایی وپایایی آن مورد ارزیابی قرار گرفت با توجه به اینکه جامعه آماری این تحقیق کارمندان بانک صادرات بود،پرسشنامه ها بین کارمندان توزیع گردید.n=109)) روش تحقیق مورد استفاده در این پژوهش روش تحقیق توصیفی-پیمایشی بوده وبرای تجزیه وتحلیل داده های حاصله از نرم افزار spss استفاده شده است.با توجه به اینکه آزمون فرضیه ها سطح معنی داری (sig-0.00) برای دامنه کمتر از 05/0 بدست آمده است فرضیه ها مورد تایید قرار گرفته ونتایج حاصله نشان می دهد که بین پولشویی و درآمدهای غیرقانونی،کاریابی،پول پاک و نقل و انتقالات چندگانه ارتباط تنگاتنگی وجود دارد در واقع بیشترین تاثیر را از این عوامل می پذیرد. که در میان این عوامل درآمدهای غیرقانونی بیشترین تاثیر را بر پولشویی داشته در حالی که نقل وانتقالات چندگانه کمترین تاثیر را پولشویی داشته است

تحقیق حاضر، به طراحی، ساخت و سخت سازی پوشش نابازتابنده چندلایه بر بستره سولفید روی با استفاده از مواد ژرمانیوم و سولفید روی در بازه طول موجی ? تا ?? میکرومتر می پردازد. در قسمت اول، موادی که در این ناحیه طول موجی شفاف هستند بررسی شدند و ژرمانیوم و سولفید روی انتخاب شدند. بعد از انتخاب مواد، طراحی نرم افزاری با استفاده از نرم افزار مخصوص لایه های نازک مکلئود (macleod) انجام می شود. بعد از انجام طراحی، بهینه سازی پوشش با استفاده از روش simplex درون نرم افزار انجام می شود. در این روش، بهینه سازی با استفاده از تغییر در ضخامت ها انجام می شود. در این تحقیق، ساخت پوشش های نابازتابنده توسط روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی (pvd) و با استفاده از بوته حرارتی و تفنگ الکترونی انجام می گیرد. در ادامه برای به دست آوردن ضریب شکل دهی مناسب برای بهینه سازی پوشش، ابتدا به طراحی و ساخت پوشش تک لایه ژرمانیوم بر بستره سولفید روی و سولفید روی بر بستره ژرمانیوم می پردازیم. بعد از چندین بار طراحی و ساخت، ضریب شکل دهی نهایی برای سولفید روی، ??/? و برای ژرمانیوم، ??/? به دست آمد. در نهایت به ساخت چهارلایه و شش لایه نابازتابنده پرداخته می شود. به علت زیاد بودن ضخامت شش لایه از ساخت آن صرف نظر شد و در ادامه پوشش چهارلایه مورد مطالعه قرار گرفت. بعد از طراحی، بهینه سازی و ساخت پوشش چهارلایه، جهت استحکام و پایداری پوشش و چسبندگی لایه ها به هم و به بستره، از یک لایه واسط اکسیدایتریوم (y2o3) با ضخامت نانومتری در میان لایه ها استفاده شد. بعد از هر بار طراحی و ساخت پوشش ها، آنها با استفاده از طیف سنج تبدیل فوریه مادون قرمز (ftir)، مورد مطالعه قرار گرفتند. نتایج طیف سنجی نشان می دهد که لایه نشانی پوشش چهارلایه ge/zns/ge/zns بر هر دو وجه بستره سولفید روی میزان عبور را به اندازه تقریبی ?? درصد زیاد می کند و میانگین عبور در بازه ? تا ?? میکرومتر به 92 درصد می رسد. در ادامه، جهت بهبود خواص مکانیکی پوشش، کربن سخت و ژرمانیوم- کربن مورد بررسی قرار گرفتند. آزمون نانوسختی سنجی نشان می دهد که لایه نشانی دولایه ای y2o3/carbon خواص مکانیکی پوشش را تقویت می کند. در نهایت آزمون های محیطی نظیر سایش، چسبندگی، مه نمکی، شوک حرارتی و رطوبت بر روی پوشش انجام می شود. نتایج نشان می دهد که پوشش چهارلایه با لایه محافظ y2o3/carbon، آزمون های محیطی را با موفقیت پشت سر گذاشته است.

در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی نمونه های کپه ای و لایه نازک منگنایتهای la0.85sr0.15mno3 و la0.85ca0.15mno3مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی های مغناطیسی نمونه کپه ای lsmo توسط پذیرفتاری مغناطیسی متناوب مورد بررسی قرار گرفت.لایه نشانی منگنایتهای la0.85sr0.15mno3 و la0.85ca0.15mno3 بر روی زیرلایه (lao) laalo3 با استفاده از روش لیزر پالسی (pld) صورت گرفت. ویژگی های الکتریکی نمونه های کپه ای و لایه نازک منگنایتهای lsmo و lcmo، با اندازه گیری مقاومت الکتریکی نمونه ها در غیاب و حضور میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفت. هدف اصلی این پایان نامه مطالعه پدیده مغناطومقاومت ناهمسانگرد (amr) (وابستگی مقاومت الکتریکی به زاویه بین راستای میدان مغناطیسی و جهت جریان الکتریکی) بوده است. نتایج حاصل از اندازه گیری مغناطومقاومت ناهمسانگرد نشان می دهند که در نمونه های کپه ای و لایه نازک، مقاومت حالت موازی (r_?) کمتر از مقاومت حالت عمود (r_?) است.

زلزله، همواره بعنوان یک پدیده طبیعی ناشی از لرزش زمین مطرح بوده و در مواردی اثر خود را بر انسانها تحمیل کرده است. بعنوان مثال هنگامی زلزله سبب سرخوردن شدید زمین یا وقوع طغیان آب دریاها می گردد. در صورتیکه زلزله بر ساختمان آثار خود را اعمال کند بعنوان یک پدیده خطرناک مدنظر می باشد.