از تصاویر afm جهت بررسی مورفولوژی سطح لایه ها و برای سه نمونه (0c 100، 0c 200و 0c 300)انجام دادیم. نشان داده شد که لایه ها به صورت تقریبا یکدست نهشته شده و در دو دمای 0c 100، 0c 200 نمونه ها به صورت منظم و دانه ای تشکیل یافته است ولی در دمای دیگر خصوصاً بر زیر لایه سیلیکون، سطح صافتر به نظر می رسد. با بررسی طرح پراش اشعه x (xrd) متوجه تشکیل لایه و دانه های بلوری در همه نمونه ها شده و شاهد تغییر اساسی در ساختار بلوری با تغییر دما شده ولی نوع زیرلایه بر ساختار بلوری لایه ها تاثیر چندانی ندارد.در دمای اتاق و دمای 0c 100 ساختار لایه تقریباً به صورت تک بلوری cu3n با جهت ترجیهی (111) تشکیل و در دماهای 300 و 400 درجه، بلورهای cu بر زیرلایه پدیدار میشود و حتی میتوان گفت در دمای 400 درجه و بر زیرلایه سیلیکون بلورهای نیترید مسی وجود ندارد. با گرفتن طیف عبوری و بازتاب لایه های نازک، نهشته بر زیرلایه های کوارتز، در بازه طول موج 200 تا 2700 نانومتر(nm) ، خصوصیات اپتیکی لایه ها از جمله میزان عبور یا، بازتاب و در نتیجه جذب امواج الکترومغناطیسی، ضریب شکست ، ضرایب دی الکتریک و تغییر گاف انرژی فیلمها با افزایش دمای زیرلایه ، بررسی گردید.گاف انرژی با افزایش دمای زیرلایه به شدت کاهش می یابد. تا جاییکه در نمونه 0c 400 گاف انرژی نداشته یعنی لایه به یک رسانا تبدیل می شود.با بررسی طیف عبوری و بازتاب لایه ها برای سه نمونه اول(دمای اتاق، 0c 100، 0c 200) مشاهده گردید در طول موجهای بزرگتر از امواج مرئی، نمودار شبه موجی داشته ولی در نمونه های 0c 300 ، 0c 400 این مورد مشاهده نگردید. در دمای 0c 400 میزان عبور و بازتاب بسیار کم و کمتر از 4 درصد است که نشان می دهد جذب در بازه مربوطه بسیار بالاست