اسپینترونیک فصل مشترک مغناطیس و الکترونیک است. پایه اصلی اسپینترونیک ها استفاده صحیح از جریان های اسپینی در حضور جریان های الکتریکی اصلی، است. امروزه استفاده ازاسپین الکترون باعث ایجاد توانایی ها و ظرفیت های جدیدی در وسایل الکتریکی و الکترواپتیکی می شود. تولید نیم رساناهای مغناطیسی رقیق یک روش مهم برای بکارگیری هم زمان اسپین و بار الکترون، و ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در مواد اکسیدی است. اخیراً، چندین سیستم که دارای خاصیت فرومغناطیسی در دمای اتاق هستند معرفی شده اند. اما بیش تر این سیستم ها از عنصر فلز واسطه یا عنصر فلز خاکی کمیاب به عنوان ناخالصی استفاده می کنند. ما می خواهیم خاصیت فرومغناطیسی موجود در مواد اکسیدی بدون عناصر مغناطیسی رایج را بررسی کنیم. جایگزینی نیتروژن بجای اکسیژن در مواد اکسیدی غیرمغناطیسی ساده منجر به حفره هایی در حالت های 2p اتم n بشکل گشتاورهای مغناطیسی موضعی می شود. به همین دلیل در این مطالعه، به روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل و در چارچوب نظریه تابعی چگالی، خاصیت فرومغناطیسی اکسید استرانسیوم آلائیده با نیتروژن، که ناخالصی نیتروژن فلز نیست و sro اکسید عایق غیرمغناطیسی است را بررسی می کنیم. بررسی ساختار نواری، چگالی حالت های کلی و جزئی آلیاژ sro1-xnx به ازای مقادیر مختلف x،نشان می دهد که حالت 2p اتم n برای جهت اسپین پایین تأثیر اصلی را در ایجاد رسانش و خاصیت فرومغناطیسی این ترکیبات دارد و بزرگ ترین گشتاور محاسبه شده معادل?b 0/86برای n به ازای 25 درصد ناخالصی n در sro است. همچنین طیف elnes لبه k اکسیژن و نیتروژن در sro0.75n0.25 محاسبه و با نتایج تجربی مقایسه شده است که تطابق مطلوبی با نتایج تجربی موجود دارند. نتایج حاصل از طیف elnes نشان می دهد که گذار الکترون مغزه از حالت 1sبه حالت نیمه پر شده ی p1/2 و p3/2 کم ترین اتلاف انرژی و بیش ترین تأثیر را در ایجاد این ساختارها برعهده دارد.