مواد ترموالکتریک گرادیان دمایی را به الکتریسیته تبدیل می کنند و همچنین قادر به انجام عکس این عمل می باشند . اما ترموالکتریک ها به خاطر کمیت شایستگی پایین خود ، که در کارآیی آنها نقش تعیین کننده ای دارد ، محدودیت کاربردی دارند . از طرفی کمیت شایستگی نانوساختار های یک بعدی به مراتب از همتای کپه ای بزرگ تر است . در این میان نانوسیم سیلیکون به خاطر ویژگی های بدیع از اهمیت بسیاری برخوردار است . در این پایان نامه سعی شده است با مطالعه عوامل موثر بر کمیت شایستگی نانوسیم سیلیکون به مقدار کارآمدی برای آن دست یابیم . ابتدا مدل نانوسیم سیلیکون و ساختار باند الکترونی و چگالی حالت های مربوط به آن را معرفی کرده و تابع توزیع غیر تعادلی را توسط تقریب زمان واهلش و معادلات نیمه کلاسیک حرکت به دست می آوریم . در بخش بعد با استفاده از مدل شرایط مرزی ناحیه ی بریلوئن و فاکتور فوکس-ساندهایمر رسانندگی گرمایی فونون را محاسبه می کنیم . سپس به سهم الکترونی انتقال ترموالکتریکی پرداخته و با کمک تابع توزیع غیرتعادلی و انتگرال های چگالی جریان روابطی برای رسانندگی گرمایی الکترون،رسانندگی الکتریکی و ضریب سی بک تعریف می کنیم . در نهایت با بررسی اثر غلظت الکترون ، سطح مقطع نانوسیم ، دما و زمان واهلش ، در مورد شرایط مناسب جهت بهینه سازی کمیت شایستگی بحث می کنیم .