با رشد روزافزون تکنولوژی،و تلاش برای نیل به ابعاد کوچکتر، مصرف کمتر و بازده بیشتر اسپینترونیک توانسته است سهم به سزایی از تحقیقات تئوری وتجربی را به به خویش اختصاص دهد. در این زمینه اثراتی مانند gmrو tmrو اخیرا پدیده گشتاور انتقالی اسپینی مطرح شده است. از آن جا که انتظار می رود پدیده انتقال اسپین نقش مهمی در حوزه در حال رشد الکترونیک اسپینی داشته باشد، این اثر به طور ویژه مورد توجه قرار گرفته است. دلیل اهمیت در تحقیقات امروزی، ساخت وسایل اسپینترونیکی با استفاده از مواد آلی برای اهداف بزرگ از توجه خاصی برخوردار شده است. یکی از کاندیدهای بسیار خوب در این زمینه ترکیب است. برای مطالعه رفتار الکترونی ساختارfm / polyacene / fm یک مدل هامیلتونی بستگی قوی ارائه شده که بر اساس آن از طریق فرمول بندی کلدیش غیر تعادلی گشتاور انتقالی اعمال شده توسط اسپین به الکترود راست در سامانه محاسبه و وابستگی بایاسی آن تعیین می گردد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که میزان اشغال بودن نوار انرژی و نیز شکافتگی ناشی از برهمکنش تبادلی الکترودهای fm روی رفتار بایاسی مولفه انتقال-اسپین، ،موازی صفحه فصل مشترک، به شدت تاثیر گذار است. همچنین مولفه مذکور برابر با اختلاف جریان های اسپینی بین آرایش های موازی و پاد موازی مغناطش ها می باشد. علاوه بر این، محاسبات ما نشان می دهد که هر دو مولفه گشتاور اسپینی وارد شده به هر جایگاه در الکترود، به طور نوسانی با دور شدن از محل اتصال به سرعت روند کاهشی دارد. نتایج این محاسبات از جهت برهمکنش اسپین الکترون ها با گشتاورهای جایگزیده در هر جایگاه حائز اهمیت است. گشتاورهای اسپینی منتقل شده توسط ملکول پلی اسن از مرتبه میلی الکترون ولت بر واحد سطح می باشند که این مقادیر قابل توجه هستند. نتایج این پژوهش می تواند در طراحی قطعات انتقال اسپین مانند نانو نوسانگرهای گشتاور اسپینی(stnos) و حافظه های مغناطیسی مورد استفاده قرار گیرد.