در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر از دو مورد دیگر است. همچنین با افزایش دما در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte و pbse موقعیت مد نقص جابجا می شود در حالی که در بلور فوتونی دارای نقص hg1-xcdxte اثری از این جابجایی نیست. سرانجام نمودار تغییرات گذردهی الکتریکی نسبت به فرکانس و دما برای هر سه ماده رسم شده است. که تنها قسمت حقیقی گذردهی الکتریکی pb1-xsnxte با تغییر فرکانس، ثابت می ماند. همچنین در همه موارد با افزایش دما، دامنه ی بخش حقیقی گذردهی الکتریکی ، کاهش و دامنه ی بخش موهومی افزایش می-یابد