چکیده ندارد.

در ده های اخیر تحقیقات زیادی در زمینه ساخت نانوسیم های مغناطیسی به روشهای مختلف و کاربرد آنها برای ساخت حافظه های مغناطیسی صورت گرفته است. همچنین بررسی تأثیر شرایط ساخت نانوسیم ها بر خواص مغناطیسی آنها مورد توجه ویژه بوده است. یکی از روشهای ساخت نانوسیم های مغناطیسی استفاده از قالبهای حفره دار آلومینا و پر نمودن آنها به روش الکتروشیمی می باشد. این نوشتار مشتمل بر چهار فصل می باشد. در فصل اول مروری بر تئوری مغناطیسی داشته و به خواص مغناطیسی نانوسیمها به طور مختصر اشاره شده و در نهایت کاربرد نانوسیمها بررسی گردیده است. فصل دوم مروری بر کار دیگران است و در آن خواص مغناطیسی و ساختار بلوری نانوسیمهای کبالت در تحقیقات دیگران مورد بررسی قرار گرفته است. فصل سوم روشهای ساخت به طور مفصل بررسی شده است و روشهای آنالیز و سیستمهای آنالیز مورد مطالعه قرار گرفته است. و در نهایت فصل چهارم مروری است بر نتایج فعالیت های انجام شده در ارتباط با ساخت نانوحفره ها درون فیلم اکسید آلومینیوم و پر نمودن آنها برای ساخت نانوسیم های کبالت، همچنین تأثیر شرائط الکترونهشت متناوب(ac) و اسیدیته بر خواص مغناطیسی و سرعت رشد آنها آورده شده است. ما در این فعالیت تجربی ابتدا اقدام به ساخت نانوحفره ها به روش آندیز دو مرحله ای در محلول اسید اکسالیک 0/3 مولار کردیم و سپس با گرفتن عکسهای sem و spm از حفره ها روی بستر آلومینیوم اقدام به بررسی ویژگیهای حفره ها از قبیل قطر، فاصله بین حفره ای، و میزان نظم ساختار حفره ای شد. درمرحله بعد اقدام به ساخت نانوسیم های کبالت درون قالب اکسید آلومینای آندی به روش الکتروانباشت متناوب(ac) کردیم. و سپس با رسم منحنی پسماند در میدان عمود بر سطح فیلم توسط سیستم agfm به بررسی تأثیر فرکانس و اسیدیته بر روی وادارندگی مغناطیسی، نرخ رشد و نسبت مربعی بودن منحنی پسماند پرداخته شد. مشاهده شد که وادارندگی نمونه های ساخته شده در اسیدیته های2، 3، 4 و 5 در فرکانسهای50، 450، 800 و1500 هرتز و در ولتاژ احیاء- اکسیداسیون 18-12 کمتر از نمونه های مشابه در ولتاژ احیاء- اکسیداسیون18-18می باشد. در حالیکه نرخ رشد نمونه های ساخته شده در ولتاژ احیاء- اکسیداسیون 18-12 بیشتر بود. همچنین مشاهده شد که در طرح پراش اشعه x نمونه های ساخته شده در ولتاژ احیاء- اکسیداسیون 18-12 قله های (100) و (110) با شدت بالایی ظاهر می شوند در حالیکه در نمونه های ساخته شده در ولتاژ احیاء- اکسیداسیون 18-18 قله (002) ظهور و شدت بیشتری دارد و قله های (100)و (110) شدت بسیار کمتری دارند. نکته مهم تر آنکه در فرکانسهای بالا یعنی در فرکانس2500 هرتز ما شاهد بروز ساختار fcc در نانوسیمهای کبالت بودیم. که قبلاً در کارهای مشابه به روش الکتروانباشت متناوب(ac) گزارش نشده است.