حسگرهای اکسیژن نقش کلیدی در کنترل آلودگی ناشی از صنایع نفت و گاز و موتور اتومبیل ها دارند. در میان روشهای ساخت حسگر اکسیژن روش بر پایه ی اکسید فلزی دارای مزیت هایی از قبیل هزینه ی ساخت کم، اندازه ی کوچک و استحکام بالا می باشد. ولی این حسگرها دمای عملکرد بالا دارند. در این پایان نامه ابتدا یک مدل کمی برای نانوذرات دی اکسید تیتانیوم و حسگر ساخته شده از آن ارائه شد که به خوبی می تواند مکانیزم آشکارسازی و هدایت را در این حسگرها به هم ربط بدهد. همچنین رفتار این حسگر نیز بر پایه ی این مدل توجیه شد. در قسمت دوم پایان نامه حسگر ساخته و تست شد. ابتدا نانوذرات دی اکسید تیتانیوم به عنوان ماده ی حسگر، به روش سل- ژل سنتز شد اما چون حسگر ساخته شده از آن در دمای بالا جواب می داد در جهت کاهش دمای عملکرد، هایبرید نانوذرات دی اکسید تیتانیوم- نانولوله های کربنی نیز سنتز شد که حسگر ساخته شده از این ماده در دمای پایین تری جواب داد. لایه ی حسگر در این پایان نامه یک لایه ی ضخیم از نانوپودرهای سنتز شده می باشد که با استفاده از دستگاه پرس، به هم می چسپند. در این تحقیق اتصالات فلزی که به منظور اندازه گیری مقاومت الکتریکی حسگر، بر روی لایه ی حسگر قرار می گیرد، با استفاده از چسپ نقره ایجاد شده است. در پایان حسگر اکسیژن از نمونه های نانوذرات دی اکسید تیتانیوم خالص و هایبرید نانوذرات دی اکسید تیتانیوم- نانولوله های کربنی با درصد های وزنی مختلف ساخته نتایج آنها با هم مقایسه شد.

گاز متان به علت دارا بودن برخی خصوصیات از جمله اشتعال زا بودن نیازاست که در محیط شناسایی و مقدار آن مشخص گردد. بدین منظور تاکنون محققان حسگرهای مختلفی را برای تشخیص گاز متان ساخته اند این حسگر ها از مواد مختلف و با تکنولوژی های گوناگون ساخته شده اند. تا چندین سال قبل نانو لوله های کربنی و نانو لوله های نیمه هادی های دیگر بهترین انتخاب برای ساخت سنسور گازی بودند که می توانستند مولکول های گازی را با غلظت بسیار کم در محیط شناسایی کنند. در سال های اخیر گرافن که یک تک لایه از اتم های کربن در یک ساختار دوبعدی است بهترین انتخاب برای ساخت سنسور های گازی از جمله متان به شمار می آید. تحقیقات نشان می دهد که عملکرد حسگر گرافنی بر پایه تغییر در مقاومت و یا تغییر در هدایت به علت جذب مولکول گاز بر روی سطح گرافن می باشد که این مولکول های گازی به عنوان گیرنده و یا دهنده عمل می کنند. اولین قدم در ساخت حسگر گاز متان برپایه گرافن پی بردن به چگونگی تاثیر گاز متان جذب شده بر خصوصیات مختلف گرافن است. در این پایان نامه با استفاده از نظریه ی تابع چگالی و حل معادلات کوهن – شم به روش خود سازگار به بررسی ساختار نواری و منحنی چگالی تراز سیستم بس ذره ای گرافن – متان و تعیین نقش متان به عنوان گیرنده یا دهنده ی بارپرداخته شده است. با توجه به محاسبه انرژی جذب سیستم ، جذب متان بر گرافن فیزیکی و فرآیند گرماده و خودبخودی است همچنین اندازه بار انتفالی و علامت آن نشان دهنده نقش متان به عنوان گیرنده بار در این سیستم می باشد.

امروزه به دلیل رشد فزاینده ظرفیت و پهنای باند شبکه های مخابرات نوری و مطرح شدن کامپیوترهای تمام نوری، پردازش تمام نوری سیگنال مورد توجه قرار گرفته است. تقویت کننده نوری نیمه هادی به دلیل داشتن خاصیت غیرخطی جایگاه خود را در ساخت سوئیچ های نوری یافته است. گیت های منطقی یکی از بلوک های اصلی سازنده پردازشگرهای دیجیتال می باشند که برای پیاده سازی توابع منطقی و محاسباتی از آنها استفاده می شود. ادوات منطقی برنامه پذیر (pld)مدارهای مجتمع با گیت های داخلی هستند که دارای خطوط انتخاب می باشند. اهمیت به کارگیری مدارهای منطقی برنامه پذیر در این است که مدارهای پیچیده را می توان با حجم، مصرف توان، زمان کلید زنی و هزینه کمتر ایجاد نمود. ادوات منطقی برنامه پذیر به سه دسته حافظه فقط خواندنی برنامهپذیر، منطق آرایه ای برنامهپذیر و آرایه منطقی برنامهپذیر تقسیم می شوند. برای ایجاد صفحه and در prom از یکی از دو ساختار خطی و یا درختی استفاده می شود. منطق آرایه ای برنامه پذیر از صفحه or ثابت در خروجی تشکیل شده در حالی که صفحه and برنامه پذیر می باشد. در آرایه منطقی برنامه پذیر برخلاف prom ، دیکدر با یکسری and جایگزین میشود در هر یک از این دو نوع قطعه برنامه پذیر برای تولید and و or منطقی تنها از ساختار خطی استفاده می شود. با توجه به اهمیت ادوات منطقی برنامهپذیر در اینجا طرحهایی برای حافظه فقط خواندنی برنامهپذیر و منطق آرایهای برنامهپذیر با استفاده از گیت های منطقی بهره گرفته از تقویت کننده نوری نیمه هادی ارائه شده است. در این پژوهش سوئیچهای toad و soa-mzi متقارن در ساختار درختی برای ایجاد حافظه خواندنی برنامهپذیر نوری بکار گرفته شد. فاکتورهای ارزیابی مربوط به صفحه and امکان استفاده از دیکدر به عنوان یک قطعه منطقی دیجیتال را نشان میدهند و در نهایت یک تابع خاص با برنامهریزی صفحه or برنامهپذیر شبیه سازی شد و فاکتورهای ارزیابی وضعیت مطلوبی را نشان دادند. مقایسه بین قطعه منطقی برنامه پذیر با تداخلگر ماخ-زندر متقارن و تداخلگر toad نشان میدهد تداخلگر toad احتیاج به تعداد کمتری تقویت کننده نوری نیمه هادی و حجم فضای اشغالی بیشتری می باشد. در نهایت طرحی برای واحد منطقی برنامه پذیر تمام نوری خطی ارائه شد. مزیت این طرح نسبت به طرح های دیگر، توسعه پذیر بودن آن است و نیاز به تعداد فرکانس های کمتری دارد. با مقایسه بین فاکتور های ارزیابی ساختار درختی با تداخلگر ماخ-زندر و واحد منطقی برنامه پذیر نشانگر تفکیک پذیر تر بودن صفر ها و یک ها در ساختار درختی نسبت به ساختار خطی و یکنواخت تر بودن یک ها و صفر ها در ساختار خطی نسبت به ساختار درختی می باشد.

این پایان نامه به تشریح روش های بهبود در عملکرد qd-vcsoa از جمله سرعت بخشیدن به فرآیند بازیابی بهره و فاز و همچنین افزایش پهنای باند بهره می پردازد. نیاز به ارتباطات سریع تر، دائماً رو به افزایش است. بنابراین، شمار زیادی از پژوهش های مرتبط با تقویت کننده های نوری نیمه هادی، به موضوع زمان بازیابی بهره اختصاص یافته است. این مشخصه ی زمانی، به خصوص در نرخ بیت های زیاد اهمیت زیادی دارد. برای اولین بار نشان داده ایم که تسریع بازیابی بهره در پاسخ مدولاسیون متقابل بهره با نرخ بیت فوق سریع (1tb/s) در qd-vcsoa توسط اعمال یک پرتوی نوری اضافی امکان پذیر است. زمان بازیابی فاز با چرپ و تخریب سیگنال مرتبط است. به همین دلیل، این زمان نیز در فرآیند تقویت سریع پالس نوری حائز اهمیت است. در این پایان نامه زمان بازیابی بهره و فاز qd-vcsoa تحت شرایط اعمال پمپ نوری و الکتریکی مقایسه شده است. نشان داده ایم که در پمپ الکتریکی مقدار بهره ی بیشتری از تقویت کننده حاصل می شود. افزون بر این، بهره در بازه ی زمانی کوتاه تری اشباع شده و زمان بازیابی بهره سریع تر می شود. برخلاف دینامیک بهتر بهره، در حالت تزریق جریان تقویت کننده زمان بازیابی فاز بسیار آهسته ای دارد. در پژوهش حاضر، تغییرات ضریب شکست ناشی از انتقال میان باندی و درون باندی حامل ها در دو حالت پمپ نوری و الکتریکی بررسی شده است. نشان داده ایم که در پمپ نوری، زمان بازیابی فاز qd-vcsoa بسیار کمتر از روش پمپ الکتریکی است. یکی از چالش های qd-vcsoa، پهنای باند بسیار باریک بهره است که از بازتابش زیاد آینه ها ناشی می شود. مکانیزم تنظیم پذیری mems، بهترین شیوه ی افزایش پهنای باند در این گونه از تقویت کننده ها است. با محاسبه ی بهره ی طیفی در شرایط مختلف، نتیجه می شود که بهترین گزینه برای qd-vcsoa تنظیم پذیر با mems، ساختارهایی هستند که به روش الکتریکی پمپ شده، در مد بازتابش عمل می کنند و به صورت scc طراحی شده اند. با در نظر گرفتن اثر جابه جایی لایه ی غشا بر طول موج رزونانس و بازتابش موثر آینه ی dbr غشا، طیف بهره ی این نوع تقویت کننده محاسبه شده است.

گاز متان یکی از مهمترین گازها برای کاربرد های خانگی و صنعتی می باشد. از آنجایی که متان به شدت اشتعال زا می باشد، ساخت و توسعه حسگر گاز متان بسیار مهم می باشد. این حسگر مورد نیاز صنعت نفت و گاز کشور می باشد. از میان انواع حسگرهای گاز متان، حسگرهای بر پایه اکسیدهای فلزی قدرت انتخاب پذیری بالایی نسبت به انواع دیگر حسگرها دارند. مهم ترین نوع حسگرهای اکسید فلزی از نقطه نظر کاربردهای عملی حسگر های بر پایه اکسید قلع می باشند که از تغییر رسانایی مواد نانو ساختاری برای آشکارسازی ترکیبات گازی کاهنده موجود در هوا در دماهای مختلف استفاده می کنند. ویژگی های کاربردی حسگرهای گازی بر پایه اکسید فلزی را نه تنها با مناسب کردن سایز کریستالی اکسیدهای فلزی بلکه با اضافه کردن فلزات واسطه به عنوان کاتالیست برروی ماتریس اکسید فلزهای نانو کریستالی می توان بهبود بخشید . در این پایان نامه ابتدا پاسخ نانو ذرات اکسید قلع به عنوان ماده حساس به گاز متان مورد بررسی قرار گرفت، سپس برای بهبود حساسیت و همچنین کاهش دمای عملکرد حسگر از فلز تنگستن و ترکیب کاربید تنگستن به عنوان ناخالصی در ماده حساس استفاده شد. با بررسی پاسخ حسگر و دمای عملکرد شاهد بهبود این دو پارامتر با اضافه کردن ناخالصی به اکسید قلع بودیم.در ادامه با تغییر نسبت وزنی ناخالصی های اضافه شده، درصد بهینه ای که بیشترین حساسیت را به گاز متان نشان داد،بدست آوردیم. اثرات تغییر دما و غلظت گاز متان نیز بر روی پاسخ حسگر و پارامترهای دیگر حسگر مانند زمان پاسخ و برگشت، تکرارپذیری و پاسخ حسگر به دیگر گازها مورد بررسی قرار گرفت.

گاز متان یک گاز قابل اشتعال است و نیاز به آشکارسازی آن در محیط هایی که درصد بالایی از این گاز وجود دارد، می باشد. و با توجه به اینکه تشخیص گاز متان در صنایع کشور بخصوص صنایع نفت وگاز اهمیت خاصی دارد، در این پژوهش سعی شده است تا حسگری مناسب ساخته شود. حسگرهای نیمه هادی و یا اکسید فلزی به دلیل داشتن حساسیت عالی،دقت بالا، زمان پاسخ کوتاه و همچنین قیمت ارزان و سادگی نسبت به دیگر حسگرها همیشه مورد توجه بوده اند. این حسگرها عمدتا از نیمه هادی های اکسید فلزی همچون fe2o3, zno و sno2 ساخته می شوند. در این میان اکسید قلع در کاربردهای عملی به دلیل داشتن حساسیت و همچنین پایداری خوب برای حسگری گازهای اکسید کننده به ویژه تشخیص هیدروکربن هایی مانند متان مورد توجه است. حسگرهای اکسید فلزی معمولاً در دماهای بالا (300 تا 500 درجه سانتی گراد) کار می کنند. با توجه به چشمگیر نبودن حساسیت اکسید قلع خالص در مقابل گاز متان و همچنین نیاز به دمای کاری بالا، این ماده را با ناخالصی های فلزی می آلایند. این امر موجب افزایش حساسیت ، کاهش دمای کاری و همچنین کاهش زمان پاسخ می گردد. در این پژوهش اثر افزودن نقره در ساختار حسگر اکسید قلع بررسی شد و مشاهده گردید که نانو ذرات نقره به بهتر شکسته شدن ملکول های گاز متان و همچنین بخارات الکل های متانول و اتانول کمک کرده و درنتیجه باعث افزایش حساسیت و کاهش دمای کاری می شود. در تحقیق حاضر، ساخت و مشخصه یابی حسگرهای گاز به صورت لایه های ضخیم که بر اساس تغییر رسانایی الکتریکی بر مبنای اکسید قلع کار می کنند، انجام شده است. حسگرهای اکسید قلع به دو روش اضافه نمودن نانوذرات نقره(تولید نانوذرات نقره از طریق کاهش نمک آن با nabh4) و لایه نشانی نقره بر سطح اکسیدقلع (به روش اسپاترینگ) تهیه شده اند و به عنوان حسگر گاز متان در دمای65 تا 430 درجه سانتی گراد مورد آزمایش قرار گرفته اند. نمونه های اکسید قلع حاوی درصدهای معینی از نقره و همچنین ضخامت های مشخص لایه نشانی شده، تهیه شد و خواص الکتریکی و حسگری آنها مورد بررسی قرار گرفت. ملاحظه گردید که با افزایش تراکم نقره در بدنه، مقاومت الکتریکی نمونه ها افزایش می یابد. اندازه گیری مقاومت نمونه ها در برابر گاز های متان و بخارات اتانول و متانول در دماهای مختلف، وابستگی مقاومت و همچنین حساسیت آن ها را به دما نشان داد. بررسی ها نشان دادند که در بهترین حساسیت ها، نمونه0.5درصد نقره حساسیت 65.8درصد را بهppm500 گاز متان در دمای 430 درجه سانتیگراد و با زمان پاسخ 17 ثانیه و نمونه 0.3 درصد حساسیت 92.31درصد به ppm500 بخار متانول با زمان پاسخ 31 ثانیه و نمونه 1.5درصد حساسیت 97.28درصد به ppm500 اتانول با زمان پاسخ 26 ثانیه را داشته اند. در نمونه های لایه نشانی شده، نمونه با ضخامت 10نانومتر حساسیت 12.5درصد را در دمای 190 درجه با زمان پاسخ 19 ثانیه را نشان داده است که باعث کاهش کاهش دما به اندازه 120درجه و کاهش زمان پاسخ به اندازه 11 ثانیه نسبت به نمونه خالص اکسید قلع شده است.

پردازش سیگنال تمام نوری یکی از مباحث مهم در زمینه سیستم های مخابراتی و محاسباتی محسوب می شود، که با استفاده از آن می توان از مزایا و ظرفیت های پهنای باند زیاد و سرعت بالای این سیستم ها بهره برد. گیت های منطقی تمام نوری یکی از قطعات کلیدی سیستم های پردازش سیگنال نوری هستند که به کمک آنها عملگرهای اساسی این سیستم ها از جمله تطبیق الگو، شناسایی هدر، سوییچینگ و ... قابل پیاده سازی می باشند. در این مقاله ساختار هایی جهت تحقق گیت های منطقی تمام نوری or,and،nor و xor ارایه می گردند که بر مبنای ساختار تداخلگر ماخ-زندر-تقویت کننده نوری بوده و عملیات منطقی مورد نظر را بر روی سه ورودی مجزا انجام می دهند. نتایج شبیه سازی این ساختارها، تطابق عملکرد آنها را با جدول درستی این گیت ها نشان می دهد. قطعه پراهمیت دیگر سیستم های پردازش سیگنال نوری، فلیپ فلاپ تمام نوری می باشد که کاربردهای زیادی از جمله استفاده به عنوان حافظه های نوری دارد. از همین رو ساختاری جهت تحقق فلیپ فلاپ rs تمام نوری بر مبنای ساختار تداخلگر ماخ-زندر-تقویت کننده نوری ارایه شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد این فلیپ فلاپ دارای سرعت عملکرد سریع ( زمان گذر کمتر از 20 پیکو ثانیه)، پایداری زیاد، نسبت تمایز بالا ( 30 دسی بل) و انرژی مورد نیاز کم ( در محدوده فمتو ژول) می باشد و مهمتر این که عملکرد آن تقریبا مستقل از سطح توان پالس های ورودی است.

اشیاء اطراف ما در دمای اتاق بیشتر انرژی خود را بصورت تشعشعات مادون قرمز گسیل می کنند از این رو آشکارسازهای مادون قرمز از اهمیت ویژه ای برخوردار هستند و بهبود پارامترهای آشکارسازی همواره یکی از چالش های محققین بوده است. ساختارهای پیشنهادی برای آشکارسازها از ساختار توده ای شروع شد. در دماهای بالا انرژی گرمایی در مقایسه با انرژی فوتون های مادون قرمز قابل قیاس می گردد. در نتیجه جریان تاریک که ناشی از گسیل گرما یونی الکترون ها است و به عنوان یکی از عوامل محدود کننده عملکرد آشکارسازهای مادون قرمز شناخته می شود، تشدید گردد. بنابراین آشکارسازهای با ساختار توده ای نیاز به مکانیزمی برای خنک شدن داشتند که سبب افزایش حجم و هزینه تمام شده آنها می گردید. برای رفع این مشکل بعدها ساختارهایی مبتنی بر چاه کوانتمی و در چند سال اخیر ساختارهایی مبتنی بر نقاط کوانتمی ارائه شده است. در ساختار اخیر بدلیل محدودیت حامل ها در سه بعد، الکترون ها بهتر در نقاط کوانتمی محبوس شده و بنابراین جریان تاریک در این نوع آشکارسازها کاهش یافته و در نتیجه دمای عملکرد قطعه افزایش می یابد. با توجه به اثرگذاری جریان تاریک برکارائی و حساسیت آشکارسازهای نوری، شناخت جریان تاریک در آشکارساز های مادون قرمز از جنبه های مهم در بهینه سازی عملکرد آشکارساز است. بمنظور دستیابی به این شناخت ضروری است که به مدل سازی فیزیکی جریان تاریک بپردازیم. مدل انتشار-گیرش اولین بار توسط آقای لییو و برای مدلسازی جریان تاریک آشکارسازهای مادون قرمز چاه کوانتمی استفاده گردید که منجر به نتایج خوبی شده بود. به طورکلی هدف از تحقیق این پایان نامه ارائه یک مدل فیزیکی جهت بدست آوردن جریان حالت تاریک آشکارساز نقطه کوانتمی با استفاده از مدل انتشار- گیرش می باشد. در دمای محدود، الکترون ها نه تنها در قید چاه هستند بلکه تعدادی نیز در خارج چاه و بالای سد پتانسیل توزیع شده و جریان تاریک را تشکیل می دهند. انتشار الکترون های چاه های مجاور به بالای سد پتانسیل و مشارکت آن ها در جریان تاریک سبب کاهش چگالی الکترون های درون چاه می شود که تحت شرایط پایدار این کاهش چگالی می بایست با به تله افتادن(جذب) الکترون در چاه جبران شود. بنابراین با تعریف احتمال به تله افتادن برای الکترون های بالای سد پتانسیل قادر به محاسبه جریان گیرش را محاسبه کرده و سپس با توجه به ارتباط جریان گیرش با جریان انتشار و همچنین ارتباط جریان انتشار با جریان تاریک مدلی برای آن ارائه می کنیم. همچنین در این پایان نامه با محاسبه احتمال تونل زنی الکترون ها از سد پتانسیل و لحاظ کردن اثر آن در جریان تاریک فرمولی برای جریان تاریک ارائه خواهیم داد که نتایج حاصل از آن مطابقت خوبی با نتایج گزارش شده در مقالات نشان می دهد.

سولفید هیدروژن از گازهای بسیار سمی ، اشتعال زا و بی رنگ می باشد که در محیط های صنعتی از جمله صنایع نفت ، گاز و زغال سنگ به وفور یافت می شود. به همین دلیل ، تشخیص حضور این گاز در محیط از تولویت های این صنایع به شمار می رود. در این رساله ، نشان داده ایم که لایه های نازک از نانولوله های کربنی و نانونوارهای گرافنی وظیفه مند شده با نانوذرات مس توانایی بسیار خوبی در تشخیص این گاز دارند. برای این منظور و به جهت بررسی برنامه ای بر پایه ی الگوریتم های مونت کارلو به وسیله نرم افزار matlab تهیه شد. برای آنکه بتوان نتایج مبتنی بر واقعیت داشته باشیم فاکتورهای بسیاری باید در نظر گرفته می شد. از آن جمله می توان به تعیین نحوه عملکرد نانولوله در نشکیل لایه نازک ، نحوه ی اثر نانوذرات مس بر خواص انتقال این ساختارها و همچنین نحوه ی جذب گاز سولفید هیدروژن بر نانولوله ها را نام برد. برای تعیین این جزئیات مهم ، از روش نا متعادل گرین به همراه روش تابعی چگالی بهره بردیم. تحقیقات ما نشان داد که نانولوله های ساده توانایی خوبی در جذب گاز سولفید هیدروژن ندارند و تنها با افزایش میزان نقص شبکه ای می توان جذب مناسبی نسبت به این گاز بدست آورد. افزایش نقص خود موجب از بین رفتن انتقال مناسب لایه ی نازک شده که حساسیت را کاهش می دهد و روش مناسبی به شمار نمی رود. وظیفه مند کردن نانولوله ها با نانوذرات مس می تواند راه حلی مناسبی برای رفع این ضعف باشد. با کمک از این نانوذرات می توان به حساسیت های بالا برای مقادیر در حد چند ppb گاز سولفید هیدروژن در محیط دست یافت. به علاوه نشان داده ایم که میزان حساسیت به اندازه ی نانوذرات مس و نحوه ی وظیفه مند کردن بستگی شدیدی دارد. همچنین اثر طول و تعداد نانولوله ها، فاصله ی الکترود ها و نحوه ی وظیفه مند کردن آنها در ساخت لایه نازک بررسی و بهینه شده است.

در این پایان نامه سوئیچ های نوری پهن باند بر پایه تزویجگر هایبرید پلاسمونیک و تداخلگر ماخ-زندر ارایه شده است.

هدف اصلی در این پایان نامه این است که، یک مدل مداری به منظور شبیه سازی رفتار لیزرهای cc-vcsel با لحاظ کردن مکانیزم های وابسته به دما در معادلات استاندارد نرخ طراحی نماییم. این مدل مداری میبایست شامل اثرات ناشی از وابستگی دمایی گین ناحیه فعال لیزر و اثر دیگری به نام نشتی حرارتی حامل ها به خارج از ناحیه فعال که نقش اساسی در شکل دهی رفتار منحنی مشخصه توان نوری خروجی لیزر بر حسب جریان تزریق را ایفا می نمایند، باشد.

در این پایان نامه پاسخ زمانی آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافن و نانوروبان گرافن ارائه شده است. برای بررسی پاسخ زمانی این آشکارساز معادله نرخ آن با توجه به فرآیندهای فیزیکی حاکم بر لایه های گرافنی پس از تابش به دست آورده شده است. معادلات به روش عددی و توسط نرم افزار متلب حل شده اند.

نویز آشکارسازهای مادون قرمز یکی از پارامترهای مهم و اساسی و همواره یکی از چالش های محققین بوده است زیرا میزان حساسیت یک آشکارساز را تعیین کرده و یکی از عوامل محدودکننده در عملکرد یک آشکارساز می باشد در این پایان نامه با استفاده از روش عددی ماتریس انتقال(tmm) نویز مربوط به آشکارسازهای نقطه در چاه کوانتمی با تونل زنی تشدیدی را محاسبه و با نویز آشکارسازهای نقطه کوانتمی معمولی مقایسه می کنیم که کاهش قابل توجهی در نویز این آشکارسازها تاحد دو مرتبه بزرگی مشاهده می شو د.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.