نمونه های سیلیکان متخلخل از ویفرهای سیلیکان نوع p، با زمان های خوردگی 10و 20 و 30 و 40 دقیقه، با چگالی جریان ثابت ساخته شدند. تصاویر sem گرفته شده از بالا و سطح مقطع نمونه ها نشان داد که با افزایش زمان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ی متخلخل افزایش می یابند. برای گرفتن طیف جذب اپتیکی نمونه ها، لایه ی سیلیکان متخلخل از زیر لایه ی سیلیکان به روش مکانیکی جدا شد، به این ترتیب سیلیکان متخلخل بر پایه ی مستقل حاصل شد. طیف جذب اپتیکی نمونه ها توسط اسپکتروفوتومتر گرفته شد و نشان داد که با افزایش تخلخل جذب نمونه ها کاهش می یابد. جذب را به ضریب جذب تبدیل کردیم و به این ترتیب منحنی ضریب جذب نمونه ها بر حسب hv حاصل شد، که کاهش ضریب جذب و افزایش لبه ی جذب نمونه ها را با افزایش تخلخل نشان داد. با توجه به افزایش لبه ی جذب، منحنی انرژی نوار گاف بر حسب تخلخل رسم شد. منحنی های (?hv)^2و (?hv)^(1?2) بر حسب eرسم شدند و از آنها اطلاعاتی در مورد مستقیم و یا غیر مستقیم بودن نوار گاف سیلیکان متخلخل دریافت شد. ضریب خاموشی نمونه ها با استفاده از رابطه ی ضریب جذب بدست آمد.