در این پایان نامه، یک تقویت کننده ی توان doherty در فرکانس ghz4/2 با بازده ی توان بالا طراحی و شبیه سازی شده است. برای این منظور از تکنولوژی سی ماس µm18/0 و یک منبع ولتاژ v8/1 استفاده شده است. هم چنین در بیرون تراشه یک ترانس سه سر ایده آل برای جداسازی توان بین دو طبقه ی این تقویت کننده به کار برده شده اند. برای دست یابی به مشخصات مناسب، ترانزیستورهای به کار برده شده به صورت کسکد بهم متصل شده اند. برای مجتمع سازی بهتر مدار، خط انتقال هر دو طبقه ی تقویت کننده توسط اجزای سلفی و خازنی پیاده سازی شده اند. در ابتدا شبیه سازی ها با به کارگیری سلف مقاومت سری با آن صورت گرفت. سپس در مرحله ی بعد سلف های مارپیچی استفاده شدند. شبیه سازی ها در سه حالت دمایی مختلف صورت گرفتند و در نتیجه در دماهای مختلف نحوه ی عملکرد مدار مشخص شد. این تقویت کننده در دمای اتاق می تواند حداکثر توان خروجی dbm9/20 را با بازدهی 53% به بار 50 اهم تحویل دهد و بهره توان آن در فرکانس ghz4/2 برابر با db3/17 است. به علاوه در این پایان نامه یک تقویت کننده ی توان به صورت عملی مورد آزمایش قرار گرفت و نتایج آن به تصویر کشیده شدند.