نام پژوهشگر: سپیده امینی

تصحیح و نقد توصیفی – تحلیلی نسخه ی منحصر به فرد دیوان مثنوی غیاثی
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده ادبیات و علوم انسانی 1390
  سپیده امینی   محمد امیر مشهدی

چکیده تصحیح نسخه های خطی کهن زبان فارسی ایران زمین یکی از دغدغه های ادبی عصر جدید است و تضمین سلامت و اِتقان میراث گرانبهای علم بدون آن میسّر نیست. تمام تلاش مصحّح و محقّق راستین نسخه های خطی، ارائه ی متنی است که حتی الامکان عین نوشته صاحب اثر و یا حداقل نزدیکترین متن به دستنوشته ی نویسنده را فراهم سازد. در این پایان نامه، به نقد و تصحیح نسخه ی خطی منحصر به فرد "مثنوی غیاثی"پرداخته شده است. میرغیاث الدین غیاثی جرمی شاعری افغانی و صاحب سبک هندی است که برای کمال بخشیدن به دانش خود به هند رفت. وی در طریقت از سلسه ی نقشبندیه و در شعر از حافظ و جامی پیروی می کرده و از به کار بردن تکلفات شاعرانه پرهیز می نموده است و عرفان و تصوف از، درون مایه های اصلی شعر اوست. در پژوهش حاضر، طبق آنچه معمول مندرجات فهرست نسخ خطی است، ابتدا شرح حالی از مولف، سپس مشخّصات صوری نسخه، یعنی زمان تالیف و کتابت، تعداد و انداز ه ی اوراق و آغاز و انجام نسخه ذکر شده.آنگاه، محتوای نسخه در مباحث صرف و نحو و معانی و بیان و بدیع فارسی و معانی ثانویه حروف، بررسی شده و به نگرش عمومی صاحب اثر در باب تصوف و مکتب نقشبندیه اشارت رفته و سرانجام، با استنتاج نهایی و برشمردن ویژگی های محتوایی و ارزش کتاب، پایان نامه به انجام رسیده است. واژگان کلیدی : نسخه خطی، غیاثی، تصحیح، مثنوی، نقشبندیه، افغانستان، سبک هندی .3.

بهبود خواص الکترونیکی گرافین به وسیله طرح دار کردن آن
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده فیزیک 1392
  سپیده امینی   رضا رسولی

گرافین به عنوان نازک ترین ماده دوبعدی خواص منحصر به فردی از خود نشان می دهد. استحکام مکانیکی و رسانندگی حرارتی قابل مقایسه با الماس، اثر هال کوانتومی و عدم وجود جایگزیدگی از جمله خواص منحصر به فرد آن است . حامل های بار در گرافین مانند فرمیون های بدون جرم رفتار کرده و از معادله دیراک پیروی می کنند. به همین دلیل حرکت حامل ها در گرافین صد برابر سریع تر از حرکت حامل ها در سیلیکون است. همین ویژگی باعث شده که گرافین به عنوان جایگزین مناسبی به جای سیلیکون در نانو الکترونیک مطرح گردد . ساخت ادوات نانوالکترونیک با استفاده از نانو ورقه های گرافین یکی از چالش های پیش روی محققین است و امید می رود در آینده ادوات الکترونیکی پر سرعتی با استفاده از گرافین در مقیاس نانو عرضه گردد. از موانع پیش رو برای کاربرد گرافین در نانو الکترونیک، گاف نواری صفر است. گاف نواری برای کنترل هدایت در وسیله های الکترونیکی ضروری است روش های متعددی برای ایجاد گاف نواری در گرافین مطرح است . از جمله این روش ها می توان به عامل دار کردن گرافین، ایجاد نواقص، وارد کردن ناخالصی و ... اشاره کرد. در این پروژه خواص الکترونی ساختار نواری گرافین در اثر اعمال کرنش، افزودن ناخالصی و طرح-دار کردن آن با استفاده از نظریه تابعی چگالی ارائه می شود. در هر مورد ساختار نواری سیستم محاسبه و نتایج با یکدیگر مقایسه گردیده است. همچنین ترابرد کوانتومی و چگالی حالات سیستم تحت اعمال کرنش و افزودن ناخالصی با توابع وانیر بیشینه جایگزیده محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد افزودن ناخالصی موجب باز شدن گاف در ساختار نواری گرافین می شود. همچنین اعمال کرنش باعث تغییر در میزان گاف انرژی و ترابرد الکترونی درنانو نوار گرفین آلاییده شده می-شود. طرح دار کردن گرافین با گروه های عاملی و همچنین مش کردن آن خواص الکترونی گرافین را تغییر می دهد و موجب جابجایی انرژی فرمی می شود.