ناهمواری سطح لایه در بررسی خواص ساختاری لایه های نازک از اهمیت فراوانی برخوردار است. لایه های نازک اکسید ایندیوم قلع (ito) مورد استفاده در این تحقیق در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو با الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده اند. ضخامت لایه ها 100، 170، 250 و 350 نانومتر می باشد. اثر ضخامت بر روی مورفولوژی سطح لایه ها در حالت آمورف (بی شکل) مورد بررسی قرار گرفت. . نتایج ما نشان می دهد که تغییرات ضخامت اثرات مهمی بر مورفولوژی سطح لایه ها دارد. برای توصیف برخالی مورفولوژی سطح لایه های نازک ito از تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) استفاده شد. این تصاویر تغییرات مورفولوژیکی را در رفتار لایه ها نشان می دهند. مفهوم بعد برخالی برای توصیف تغییرات دانه ها بر روی مورفولوژی سطح در امتداد رشد بکار برده شد. تحلیل فرکتالی همچنین نشان می دهد که پهنای فصل مشترک w و طول همبستگی عرضی ? با افزایش ضخامت شدیداً تحت تأثیر قرار می گیرند. بسته به افزایش ضخامت اندازه بعد برخالی در محدوده 19/2-33/2 قرار دارد. این نتایج از طریق روش های آنالیز گستره مقیاس بندی (r/s) و تابع همبستگی ارتفاع-ارتفاع محاسبه شده اند. پس از تحلیل برخالی، میانگین نمای ناهمواری، ?=0.72?0.01 و نمای رشد، ?=0.081 به دست آمد. بر اساس این نتایج ما پیشنهاد می کنیم که فرایند رشد لایه های نازک ito را می توان با ترکیب معادلات ادوارد-ویلکنسون (ew) و پخش سطحی مولینوس توصیف کرد.