سطح انرژی پتانسیل برهم کنش برای سامانه های واندروالسی he-cs2، ne-cs2 و ar-cs2 با استفاده از روش (ccsd(t و مجموعه پایه aug-cc-pvdz که با توابع میان پیوندی {3s3p2d1f1g}بسط داده شده، محاسبه شد. مشخص شد که این مجموعه پایه به حد مجموعه پایه کامل همگرا می شود. انرژی برهم کنش در هر پیکربندی و فواصل بین مولکولی مختلف با فرض چرخنده صلب برای مولکول cs2 و تصحیح خطای برهم نهی مجموعه پایه به دست آمد. همچنین محاسبات sapt با مجموعه پایه مشابه در پیکربندی پایدار ترین ساختار هر کمپلکس در فواصل بین مولکولی مختلف به منظور مقایسه با نتایج (ccsd(t انجام شد. سطح انرژی پتانسیل محاسبه شده برای هر کمپلکس با یک رابطه تحلیلی برازش شد و ضرایب پراکندگی همسانگرد دوقطبی-دوقطبی ( c6) و دوقطبی-چهارقطبی (c8) به دست آمد. با استفاده از معادله تحلیلی پتانسیل، ضریب دوم ویریال برهم کنش (b12) برای سه کمپلکس مذکور برای اولین بار محاسبه و گزارش شد. با استفاده از مقادیر تجربی ضریب دوم ویریال گازهای خالص (cs2، he ، ne و ar) ضریب دوم ویریال مخلوط cs2 و گازهای نجیب در دما و کسرهای مولی مختلف به دست آمد. همچنین یک مدل پتانسیل تک مرکزی برای برهم کنش cs2 با گازهای نجیب ar و ne ارائه شده است. از بین کمپلکس های مورد بحث، کمپلکس ar-cs2 انتخاب شد و در حالت های برانگیخته الکترونی مورد بحث و بررسی قرار گرفت. سطح انرژی پتانسیل مربوط به شانزده حالت برانگیخته الکترونی پایین کمپلکس ar-cs2 (در حالت یکتایی) محاسبه شد. سطوح پتانسیل بر اساس برانگیختگی عمودی کمپلکس مشتمل بر cs2 خطی به حالت های برانگیختگی والانس صورت می گیرد. محاسبات با روش eom-ccsd با مجموعه پایه ذکر شده در بالا انجام گرفت. طیف جذبی uv کمپلکس ar-cs2 محاسبه شد و مشخص شد که برهم کنش cs2 با اتم ar برخی انتقالات ممنوع در cs2 را فعال و هرچند به طور ضعیف مجاز می کند. سطوح انرژی پتانسیلی که دارای عمق واضح و مشخص برای تمام پیکربندی ها هستند به طور سراسری با یک رابطه تحلیلی برازش شدند تا ضرایب و کمپلکس در حالت برانگیخته الکترونی تخمین زده شود. در ادامه مطالعه بر روی کمپلکس ar-cs2 در حالت برانگیخته الکترونی، محاسبه صحیح سطح انرژی پتانسیل کمپلکس (ar–cs2(v1b2 به منظور بررسی اثر برهم کنش واندوالسی روی نشر (cs2(v1b2 در نقاط ایستای سطح پتانسیل انجام گرفت. برای انجام محاسبات برهم کنش حالت برانگیخته v1b2 مولکول cs2 با اتم ar، روش eom-ccsd با همان مجموعه پایه مورد استفاده قبلی، به کار برده شد اثر برهم کنش واندروالس روی نشر (cs2(v1b2 در نقاط ایستای سطح پتانسیل انجام گرفت و مشخص شد که شدت و موقعیت طیف نشری بستگی به جهت گیری اتم آرگون در اطراف cs2 خمیده و فاصله بین دو مونومر دارد. در پیک نشری مربوط به پیکربندی نقطه کمینه کلی مشاهده می شود با کاهش فاصله بین دو مونومر جابه جایی قرمزی در نشر نسبت به نشر (cs2(v1b2 تنها اتفاق می افتد. اطلاعاتی راجع به پارامترهای ساختاری کمپلکس در پیکر بندی مینیمم کلی با تقریب پتانسیل شبه دو اتمی با استفاده از منحنی پتانسیل محاسبه شده به دست آمد.

چکیده ندارد.