در این رساله خواص فیزیکی لایه های نازک نانوساختاری cus، سیستم های دوتایی cus-zns و نیمرساناهای آلیاژ سه تایی cu2sns3 (cts) تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز (افشانه تجزیه حرارتی) بر روی زیرلایه های شیشه و ;ftoهمچنین دیودهای لایه نازک cts/fto مورد بررسی قرار گرفته اند. در این مطالعه از دستگاه های مختلف شامل: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، طیف نگار پاشندگی انرژی (eds)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنج uv-vis-nir، طیف سنج فوتولومینسانس (pl)، آزمایش هال و مشخصه یابی جریان – ولتاژ (i-v) استفاده شده است. در نمونه های cus که با نسبت های مولی s/cu مختلف (33/0 و 43/0) در بازه دمایی 260-oc310 رشد یافته اند دریافتیم: نمونه های بدست آمده از ویژگی نانوساختاری همراه با ساختار بسبلوری کوولیت با راستای ترجیحی (102) برخوردار بوده و با افزایش دمای رشد، گاف نواری و چگالی حفره ای لایه ها کاهش یافته اند. با مطالعه نتایج تجربی تاثیر غلظت zn/cu بر خواص فیزیکی لایه های رشد داده شده cus-zns دریافتیم با افزایش این نسبت نه تنها جهت رشد ترجیحی (102)، مربوط به cus، به تدریج به راستای بلوری ترجیحی (111) مربوط به فاز مکعبی ?-zns تغییر یافته است بلکه همچنین مقادیر گاف نواری مستقیم و چگالی حاملی (نوع p) لایه ها کاهش یافته اند. در نمونه هایcu2sns3 (cts) برای نخستین بار دریافتیم این لایه ها دارای فاز بلوری تری کلینیک بوده و افزایش نسبت مولی sn/cu (بین صفر تا 1) حاکی از تغییر جهت رشد ترجیحی (102) به راستای ترجیحی فاز تری کلینیک cu2sns3 است. علاوه بر این، این تغییرات با کاهش حدود ev1 در گاف نواری ماده همراه است. سرانجام مبادرت به ساخت تعدادی دیودهای پیوندگاهی p/n از لایه های نازک cts/fto (که می توانند در کاربردهای فوتوولتایی مورد استفاده قرار گیرند) نموده و مشخصه جریان-ولتاژ (i-v) آنها را در دمای اتاق و در شرایط تاریکی مورد بررسی قرار دادیم. تحلیل داده ها نشانگر آن است که در این قطعات جریان های بازترکیبی نقش عمده ای در مشخصه الکتریکی آنها دارند.

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید مس- آلومینیوم به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایه های کوارتز تهیه شده است. برای این منظور، ابتدا شرایط بهینه تهیه لایه های نازک اکسید مس بدست آمد. لایه های نازک اکسید مس در بازه دمایی 350 تا 550 درجه سانتیگراد بر روی بستر شیشه ای به روش اسپری پایرولیزیز تهیه شدند. مشخصه یابی ها شکل گیری ساختار تک فاز cuo بسبلوری با سمتگیری های (002) و (111) در تمامی نمونه ها و لایه های تقریبا همگن و منسجم را بر روی بستر نشان می دهند. بررسی های اپتیکی نشان داد با افزایش دمای بستر، میزان عبور در نمونه ها افزایش یافت و نمونه ها از گاف نواری مستقیم در محدوده 83/1 تا ev 39/2 برخوردارند. همچنین لایه های نازک اکسید مس- آلومینیوم در دمای بستر 550 درجه سانتیگراد بر روی بستر کوارتز به روش اسپری پایرولیزیز تهیه شد. این نمونه در دو دمای 850 و 1000 درجه سانتیگراد بازپخت شد. مشخصه یابی ساختاری افزایش شدت قله ها را که نشان دهنده تاثیر دمای بازپخت است، بیان می کند. همچنین مشخصه یابی ساختاری حاکی از تشکیل فاز cuo در نمونه رشد داده شده و نیز تشکیل فاز cual2o4 علاوه بر فاز cuo در نمونه های بازپختی می باشد. بررسی های اپتیکی نشان داد بعد از بازپخت، میزان عبور متوسط در گستره نور مرئی (nm 700-400) در نمونه ها افزایش یافت. همچنین بازپخت سبب افزایش گاف نواری مستقیم نمونه ها شده است.

در این تحقیق خواص فیزیکی لایه های نازک نانو ساختاری سولفید نقره و نیمرساناهای ترکیبی سه تایی (ag8sns6)(sts) تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیر لایه شیشیه، همچنین تاثیر بازپخت بر روی این ترکیبات سه تایی مورد مطالعه قرار گرفته اند. در این مطالعه از دستگاه های مختلف شامل: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنج uv-vis ، آزمایش های اثر هال و اثر سیبک استفاده شده است.

چکیده ندارد.