ردگیری شیء متحرک از مسائل مهم و پرکاربرد در زمینه ی بینایی ماشین در سالهای اخیر است. سیستم های نظارت و مراقبت، اندازه گیری های آماری، ردگیری خودروها و وسایل نقلیه ی خودکار از موارد استفاده ردگیری اشیاء متحرک در دنباله های تصویر است. در طی دو دهه ی اخیر روش های بسیار متنوعی برای ردگیری اشیاء متحرک پیشنهاد شده است. یکی از این روش ها، ردگیری به کمک الگوریتم تخمین گر انتقال میانگین می باشد. الگوریتم تخمین گر انتقال میانگین اولیه که تنها بر پایه ی ویژگی رنگ است در بسیاری از شرایط محیطی و از جمله در همپوشانی های جزئی دارای عملکرد قابل قبولی است. از مزایای ردگیری با استفاده از رنگ، بار محاسباتی کم و استقلال نسبت به چرخش و تغییر شکل شیء است. ولی هنگامی که چند شیء با رنگ مشابه در صحنه وجود داشته باشند و در شرایط تغییرات نور محیط، ردگیری با الگوریتم تخمین گر انتقال میانگین اولیه که تنها بر اساس ویژگی رنگ است دچار شکست می شود. در این پایان نامه روشی ارائه شده است که در آن با ترکیب ویژگی رنگ با لبه در الگوریتم تخمین گر انتقال میانگین، مشکلات ناشی از عدم ردگیری صحیح در موارد تشابه رنگ اشیاء و تغییرات نور محیط برطرف گردیده است. الگوریتم ارائه شده و روش ترکیب صحیح دو ویژگی با نرم افزار matlab شبیه سازی شده است. نتایج نشان می دهد در مواردی که الگوریتم تخمین گر انتقال میانگین شیء متحرک مورد نظر را گم می کند، الگوریتم پیشنهادی با دقت خوبی ردگیری را ادامه می دهد.

pwm مدولاسیونی است که در آن سیگنال خروجی مدوله شده پالسی با فرکانس ثابت و duty cycle آن متناسب با سیگنال ورودی است. این نوع مدولاسیون کاربردهای زیادی در مدارهای کنترل الکترونیکی، الکترونیک قدرت، اندازه گیری و نسل سوم و چهارم تلفن های همراه دارد. متداول ترین روش پیاده سازی pwm مقایسه سیگنال ورودی با سیگنال دندانه اره ای است که می تواند بصورت آنالوگ یا دیجیتال تولید شود. بنابراین سیگنال pwm به دو صورت تقسیم می شود: pwm زمان پیوسته یا natural pwm (npwm) و pwm زمان گسسته یا uniform pwm (upwm). اگرچه upwm مزایایی از قبیل حساسیت کمتر به تغییرات المان ها و قابلیت برنامه ریزی دارد، ولی aliasing ناشی از سوئیچینگ و اعوجاج هارمونیکی ناشی از اثرات کوانتیزاسیون زمانی روی اعوجاج درون باند تأثیر منفی می گذارد. به منظو کاهش این اثرات باید فرکانس سوئیچینگ افزایش یابد و به همین دلیل npwm ارجحیت خواهد داشت. بیشتر ساختارهای npwm بر پایه تقویت کننده عملیاتی مد ولتاژ (voa) هستند. ولی این تقویت کننده ها دارای محدودیت هایی نظیر حاصل ضرب پهنای باند در بهره ثابت و نرخ چرخش محدود هستند که باعث کاهش عملکرد کلی می شوند. در این پایان نامه یک npwm مد جریان طراحی می شود که در آن یک سلف اکتیو بر اساس ناقل جریان (ccii) به عنوان تولید کننده موج مثلثی جریان (tcwg) مورد استفاده قرار می گیرد و یک مقایسه کننده جریان برای مقایسه جریانهای مثلثی و مرجع به tcwg متصل می شود و سیگنال pwm خروجی را تولید می کند. در نهایت بلوک طراحی شده به کمک hspice در تکنولوژی cmos 0.18?m و ولتاژ تغذیه 1.5± ولت شبیه سازی شده است. در ناقل جریان طراحی شده میزان توان مصرفی µw53 و پهنای باند دنبال کننده ولتاژ و دنبال کننده جریان به ترتیب mhz40 و mhz380 است. در مدار تولید کننده موج مثلثی جریان پیشنهادی فرکانس کار، mhz5 است. که به منظور مقایسه با جریان مرجع به مقایسه کننده جریان اعمال می شود.

با پیشرفت تکنولوژی و به وجود آمدن سلول های حافظه ایستای جاسازی شده (sram)، این سلول ها به دلیل سرعت بسیار بالا و هزینه ی ساختِ کم، تبدیل به رایج ترین حافظه های مورد استفاده در بازار گردیدند. از طرف دیگر با افزایش تعداد ترانزیستورها در آرایه های sram و نیز افزایش جریان نشتی ترانزیستورها در تکنولوژی های با ابعاد کوچک ، توان مصرفی نیز افزایش می یابد. به علاوه فرایند کاهش ولتاژ منبع تغذیه برای جبرانِ کاهش مصرف توان، پایداری داده ی سلولِ sram را به خطر می اندازد؛ کاهش ابعاد قطعات نیز اثر تغییرات فرآیند بر روی سلول را افزایش می یابد. موضوع دیگری که باید به آن اشاره کرد اثرِ خطاهای مخربی چون خطای نرم می باشد که با کوچکتر شدن ابعاد قطعات، افزایش چشمگیری می یابد و در نتیجه طراحی مدارات مقاوم و کم توان یکی از مسائل مهم در عرصه الکترونیک دیجیتال به شمار می رود. در این پایان نامه ابتدا به بیان مفاهیم کلی خطای نرم پرداخته می شود، سپس اثرات آن و نیز روش های پایه کاهش توان مصرفی در سلول های sram مورد بررسی قرار گرفته و در نهایت با در نظر گرفتن این موارد یک سلول sram با 13 ترانزیستور پیشنهاد می گردد. این سلول شامل هسته ی 10 ترانزیستوری با مسیر خواندن و نوشتن جداگانه به منظور افزایش پایداری سلول و نیز کاهش توان دینامیکی می باشد. به علاوه برای افزایش قدرت جمع آوری بار و افزایش مقاومت سلول در برابر خطای نرم، 2 ترانزیستور به هسته اصلی الحاق شده است. همچنین به منظور کاهش توان نشتی در مقایسه با سلول sram 6 ترانزیستوری، از یک ترانزیستور با یک سیگنال کنترلی استفاده شده است. در حقیقت توان مصرفی سلول پیشنهادی در دمای 27 درجه سانتیگراد، نسبت سلول 3/1 و ولتاژ تغذیه 8/0 ولت، برابر با 71/3 میکروووات است؛ درحالیکه در شرایط آزمایشگاهی یکسان توان مصرفی سلول sram 6 ترانزیستوری استاندارد برابر با 28/5 میکرووات، توان مصرفی سلول sram 18 ترانزیستوری برابر با 41/9 میکرووات و توان مصرفی سلول sram kim برابر با 19/5 میکرووات است که نسبت به سلول های گفته شده به ترتیب 25/31%، 42/61%، و 01/30% کاهش نشان می دهد. علاوه بر بهبود در توانِ مصرفی، مقاومت سلول پیشنهادی نیز در مقابل خطای نرم در مقایسه با سلول های sram t6 و kim و verma به ترتیب 1/47%، 6/30%، و 2/25% بهبود می یابد. همچنین می توان بار بحرانی سلول پیشنهادی را با افزودن خازن به آن به منظور افزایش ظرفیت خازنی، افزایش داد. در نتیجه با توجه به مقادیر بدست آمده واضح است که سلول 13 ترانزیستوری پیشنهاد شده در مقایسه با دیگر سلول ها برتری محسوسی دارد.

چکیده ندارد.