نام پژوهشگر: عبدالله مرتضیعلی
فاطمه نجفی اطاقوری عبدالله مرتضی علی
نانوساختارهای توخالی گروه ویژه ای از مواد هستند که خصوصیات فیزیکی و شیمیایی متفاوتی نسبت به ترکیبات مشابه خود نشان می دهند. این خصوصیات به وسیله شکل، اندازه و ترکیب آن ها تعیین می شود. در این پایان نامه نانو فیبرهای توخالی sio2 را با روشی آسان تر و مقرون به صرفه تر از روش های سل- ژل و الکتروچرخشی آماده کرده و مورد بررسی قرار دادیم. برای ساخت فیبرهای توخالی sio2 از فیبرهای پنبه استفاده کردیم. به این صورت که سوسپانسیونی از پودر sio2 و آب دیونیزه درست کرده و تکه هایی از پنبه را در این سوسپانسیون خیسانده و سپس نمونه ها را خشک می کنیم. آخرین مرحله نیز کلسینه کردن در دماهای بالا جهت سوزاندن پنبه ها است. جهت بررسی ریخت شناسی فیبرهای توخالی تولید شده چهار آزمایش طراحی شد. در آزمایش اول 3 نمونه که هر کدام در 40 درجه سانتیگراد به مدت 1 ساعت خشک شده بودند و در دماهای مختلف 500، 600 و 700 درجه سانتیگراد و به مدت 6 ساعت کلسینه شدند. در آزمایش دوم نمونه ها در دماهای 40، 50 و 60 درجه سانتیگراد خشک شده و در دمای 600 درجه سانتیگراد کلسینه شدند. فیبرهایی که به این روش آماده شدند ریخت شناسی پنبه را حفظ کرده، و از تخلخل و مساحت سطحی نسبتا بالایی برخوردار است. طول فیبرهای توخالی در حدود 10- 12 میکرومتر می باشد. در آزمایش های سوم و چهارم به ترتیب نسبت های وزنی بین پودر sio2 و آب دیونیزه و در آزمایش چهارم سایش پودر sio2 در دو زمان، 30 دقیقه و 1 ساعت را تغییر دادیم. روش های آنالیز مختلفی برای تشخیص این فیبرها به کار گرفته شده است از جمله میکروسکوپ الکترونی روبشی، تابش پراکندگی پرتو ایکس، اسکپتروسکوپی تبدیل فوریه مادون قرمز، اشعه ایکس برای آنالیز شیمیایی (معروف به edx) انجام شد.
سارا برکت رضایی وحید دادمهر
چکیده ندارد.
فرشته جوانی جونی عبدالله مرتضی علی
در این پایان نامه نانو ساختارهای سطحیtio2 بر روی زیر لایه سیلیکان با سطوح متفاوت: صیقلی، متخلخل و روکش شده با لایه نازک طلا با استفاده از دو روش تبخیر در خلا و همچنین تبخیر در کوره حرارتی رشد داده شده است. و عوامل موثر بر رشد این نانو ساختارها از جمله دمای پخت نیز مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است برای بررسی خواص ساختاری و همچنین مورفولوژی سطح نانو ساختارهای تولید شده از پراش اشعه x و همچنین از تصاویر میکروسکوپ روبشی الکترونی (sem)بهره گرفته ایم. به منظور بررسی ثوابت اپتیکی و دی الکتریکی و گاف و ضریب جذب از طیف بازتاب نمونه های ساخته شده در بازه طول موج 200 تا 1000 نانومتر استفاده کرده وسپس با استفاده از روابط کرامرز کرونیگ به تحلیل داده ها می پردازیم. بررسی نتایج نشان می دهد که رشد ذراتی با ابعاد حدود 40 نانومتر بر روی سیلیکان با پوشش طلا قابل کنترل بوده و روشهای ساخت این کریستال ها بر خواص اپتیکی آنها اثر قابل توجهی نشان می دهد.