در این پروژه هدف جذب عنصرهای واسطه روی سطح جاذب سیلیکای پوشیده شده به وسیله ی تارتاریک اسید است برای این کار ابتدا سیلیکا به روش سل ژل ساخته شده و سنتز آن به وسیله ی ir, xrdتایید شد.سس تارتاریک اسید روی سطح سیلیکا قرار داده شد.بعد با استفاده از طیف it, tga قرار گرفتن تارتاریک اسید روی سطح سیلیکا تایید شد.سپس جذب عنصرهای واسطه zn, cr ,cu, ni , cd , pb روی سطح مورد نظر و سطح سیلیکای تنها بررسی شد. میزان جذب به وسیله ی جذب اتمی تعیین شد.

در این پروژه هدف جذب عنصرهای واسطه روی سطح جاذب سیلیکای پوشیده شده بوسیله هیستیدین است برای این کار ابتدا سیلیکا به روش سل- ژل با استفاده از روش dropping ساخته شد وسنتز آن به وسیله ir, xrd,tem تأئید شد. سپس بدون استفاده از کوره هیستیدین روی سطح سیلیکا قرار داده شد. با استفاده از طیف tga, ir قرار گرفتن هیستیدین روی سطح سیلیکا تأکید شده . سپس جذب عنصرهای واسطه pb, cd,zn,cr, ni, cu روی سطح مورد نظر و سطح سیلیکای تنها ( برای مقایسه ) بررسی شد. میزان جذب به وسیله جذب اتمی تعیین شد.

چکیده ندارد.