در این پایان نامه، قصد داریم ترانزیستورهای تک الکترونی مبتنی برنقطه ی کوانتومی سیلیکونی (جزیره-ی نیمه هادی) و قابل استفاده در دمای اتاق را مدل سازی کنیم. که در این راستا، اثرکوانتیده شدن سطوح انرژی مربوط به جزیره نیمه هادی (نقطه کوانتومی) دراثرکوچک بودن اندازه جزیره(کوچکتراز10نانومتر) وهم چنین اثر پهن شدگی این سطوح انرژی دراثرکوپل نقطه ی کوانتومی با کنتاکت های فلزی را بر اجرای این ترانزیستور مورد بررسی قرارمی دهیم. با حل معادله شرودینگربرای ساختارنقطه کوانتومی کروی ازجنس سیلیکون، سطوح انرژی و توابع موج مربوط به این سطوح را بدست می آوریم. سپس با در نظر گرفتن اثر پهن شدگی متفاوت برای هر سطح انرژی نشان می دهیم که نرخ جریان تونل زنی برای هر سطح انرژی متفاوت است. هم چنین برای بدست آوردن این تفاوت درمیزان نرخ تونل زنی، عبارتی را برای نرخ تونل زنی در رژیم انسداد کولنی کوانتومی بدست می آوریم وبرمبنای آن مشخصات رسانایی مربوط به این ترانزیستور را برای نوسانات کولنی در ولتاژ های بایاس اعمالی متفاوت و هم-چنین در دماهای مختلف شبیه سازی کرده و مورد بحث قرار می دهیم.