در این کار اثر دمای زیرلایه، فلوی گاز اکسیژن و زاویه زیرلایه بر خواص اپتوالکتریکی، ساختاری و ریخت شناسی سطحی اکسید قلع خالص به منظور دست یابی به یک اکسید رسانای شفاف نانوساختار برای کاربردهای سلول خورشیدی بررسی شد. بهترین نتایج در دمای زیرلایه ?c 500 با فلوی اکسیژن sccm 200-100 و در فاصله cm 5 از پیش ماده بدست آمد. در گام بعدی تلاش کردیم تا اکسید قلع آلائیده با نیتروژن با رسانندگی نوع p بدست آوریم که در دیودهای شفاف و سلولهای خورشیدی استفاده می شود. این موضوع بسیار بحث برانگیزی در سالهای اخیر بوده است و ما به نتایج بسیار جالبی در بخشهای مختلف تحلیلهای تجربی رسیدیم. ما اثر دما و درصد اتمی n/sn را به عنوان دو فاکتور مهم در آلایش مطالعه کردیم. می توانیم ادعا کنیم که رسیدن به رسانندگی نوع p در دمای پایین و غلظت بالاتر آلایش محتمل تر می باشد. سپس اکسید قلع بهینه شده را بر دو نوع سیلیکون تک بلور و بس بلوری لایه نشانی کردیم و اثر دمای زیرلایه را روی ولتاژ آغاز جریان، سد پتانسیل، مقاومت سری و رفتار یکسوکنندگی این نوع ساختارهای نامتجانس نانو ساختار بررسی کردیم. نتایج اندازه گیری iv نشان داد که ارتفاع سد و مقاومت سری با افزایش دمای زیرلایه در سیلیکون تک بلوری افزایش می یابد، در حالیکه در سیلیکون بس بلوری، کاهش می یابد.