دربلورهای فوتونی مواد دی الکتریک، به صورت تناوبی مرتب می شوند که باعث ایجاد گاف های ممنوعه ای در عبور فرکانس های نور فرودی می گردند. این فاصله های ممنوعه باند ممنوعه ی نوری (باند گب نوری) نامیده می-شوند. باند ممنوعه به دلیل تغییر ثابت دی الکتریک یا ضریب شکست مواد ایجاد می شود، به طوری که پهنای واقعی این باند ممنوعه به هندسه، اندازه، طبیعت و فضای ماده ای که بلور را می سازد بستگی دارد. در این پایان نامه به طور نظری و شبیه سازی به وسیله ی نرم افزار کامسول مشخصات پاشندگی عرضی و چگونگی انتشار امواج الکترومغناطیسی در ساختار باند ممنوعه ی بلورهای فوتونی پلاسمایی یک بعدی دوتایی و سه تایی که دارای چندین ماده ی متفاوت در یک سلول می باشند، مورد بررسی قرار می گیرد. پس از مقایسه ی این دو روش افزایش باند ممنوعه با افزایش چگالی پلاسما و پهنای پلاسما تأیید می شود.