برای کاربردهای نانوالکترونیک، ماده گرافن به یک گاف انرژی در طیف انرژی خود نیاز دارد (همانند نیمه رساناهای متداوال). در این رساله با استفاده از معادله دیراک دوبعدی برای ذرات جرم دار، در گرافن دارای گاف انرژی حل دقیقی برای احتمال عبور مربوط به تونل زنی فرمیون های دیراک جرم دار از یک سد پتانسیل در یک نانوترانزیستور گرافنی درنظر n-p-n دوبعدی بدست آوردیم، که این ساختار می تواند بصورت یک پیوند گرفته شود. همچنین نشان دادیم برخلاف تونل زنی فرمیون های دیراک بدون جرم که عبور کامل را برای ذرات برای فرمیون های جرم دار کمتر از یک، و وابسته به ضریب باند t فرودی عمودی نتیجه می دهد، احتمال عبور انرژی گرافن می باشد. با مطالعه اثر اعمال کشش تک محوری بر ساختار گرافن می توان فهمید این ماده خصوصیات جالب توجهی برای کاربرد در ابزار نانومکانیکی و نانوالکترونیکی دارد.