شبیه سازی دینامیک مولکولی غیرتعادلی معکوس هدایت گرمایی در پلی آمید66 محدودشده در فضای نانو در این تحقیق با انجام شبیه سازی دینامیک مولکولی روی هدایت گرمایی فیلم های نانو متری پلی آمید 66 محدود شده بین صفحه های گرافیتی، خواص انتقال حرارت سیال محدود شده در فضای نانو را مورد مطالعه قرار داده ایم. برای این منظور شبیه سازی تعادلی سیستم در مجموعه-ی جدیدnapt انجام شده است [1]. که در این مجموعه تعداد ذرات (n)، مساحت سطح (a)، فشار موازی (p||) و دما (t)ثابت هستند. برای ثابت نگه داشتن دما، در هر گام زمانی سرعت ها در ثابت ضرب می شوند که این کمیت به صورت زیر تعریف می شود: 1 که t? اندازه ی گام زمانی، 0t دمای مورد انتظار، t دمای کنونی سیستم، و t? میزان جفت شدگی با حمام گرمایی است. همان طور که در بالا گفته شد در این روش فشار نیز ثابت می ماند که برای این منظور مقدار ثابت ? در هر گام زمانی، در مختصات z همه ی ذرات ضرب می شود. 2 که ?p و ?,0p به ترتیب مقادیر کنونی و مورد انتظار مولفه های موازی فشار، و p? میزان جفت-شدگی با باروستات و ? ثابت تراکم پذیری هم دما می باشند. در این پایان نامه از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی غیر تعادلی معکوس (rnemd) برای محاسبه ی هدایت گرمایی پلی آمید 66 محدود شده میان صفحات گرافیتی استفاده شده است [2]که این روش برای محاسبه ی این پارمتر به صورت زیر اعمال می شود: طبق این روش ابتدا جعبه ی شبیه سازی به n باریکه در جهت z تقسیم بندی شده و باریکه ی مستقر در =0 z به عنوان باریکه ی سرد، و باریکه ی مستقر در m=n/2به عنوان باریکه ی گرم طراحی می شوند. سپس گرم ترین اتم در باریکه ی سرد و سرد ترین اتم در باریکه ی گرم مشخص شده و انرژی جنبشی این دو با هم تعویض می شوند که در نتیجه ی این تعویض انرژی به طور غیر فیزیکی و مصنوعی از ناحیه ی سرد به ناحیه ی گرم انتقال می یابد. بنابراین این عامل باعث به وجود آمدن شار در سیستم در جهت مخالف به کمک یک مکانیسم فیزیکی می شود. در اعمال این روش، قدرت اختلال اعمال شده بر سیستم با تناوب تعویض ? کنترل می-شود. به عبارت دیگر وقتی =w ? یعنی هر w گام زمانی یکبار تعویض سرعت میان اتم ها صورت گیرد. و در حالتی که اختلال اعمال شده بر سیستم خیلی قوی (?=3) باشد سیستم به طور غیرخطی به اختلال اعمال شده پاسخ می دهد. بنابراین هدایت گرمایی محاسبه شده نادرست می باشد. اما در حالتی که اختلال اعمال شده بر سیستم ضعیف (?=1000) باشد سیستم اختلال اعمال شده را کم تر احساس می کند لذا هدایت گرمایی تعریف شده نیست و نمودار بدست آمده بیشتر شامل اغتشاشات تناوبی می باشد و خطای هدایت گرمایی افزایش می-یابد. پس در اعمال روش rnemd تناوب تعویض برای سیستم های مختلف باید بهینه شود. همچنین بزرگی گرادیان دمایی با افزایش ? کاهش می یابد. در شرایط حالت پایا هر دو شار (فیزیکی و غیر فیزیکی) در بزرگی با هم برابر هستند و نمودار دمایی سیستم در این شرایط کاملاً پایدار بوده است. همچنین غلظت اجزا نیز در هر باریکه ثابت می ماند در نتیجه شار خالصی از اجزا وجود ندارد. در نهایت هدایت گرمایی ? به صورت زیر محاسبه می شود: 3 که t طول زمان شبیه سازی، lx و y l به ترتیب طول جعبه ی شبیه سازی در جهت های x و y ، cv و hv به ترتیب سرعت اتم ها در ناحیه ی سرد و گرم، m جرم اتم ها، رگرسیون خطی شیب دمایی و 2 ناشی از تناوبی بودن سیستم است. نتایج بدست آمده از این شبیه سازی نشان می دهد که هدایت گرمایی پلی آمید66 محدود شده تقریباً دو برابر سیال توده است زیرا چگالی مایع در راستای z افزایش پیدا کرده است. بنابراین انرژی پتانسیل بین ذرات و به دنبال آن هدایت گرمایی در این راستا افزایش پیدا کرده است همچنین نتایج نشان می دهند که هدایت گرمایی با کاهش فاصله ی بین سطوح افزایش می یابد. references: [1] h. eslami, f. mozaffari, j. moghadasi, f. müller-plathe, j. chem. phys. 129, 194702. (2008). [2] h. eslami; f. müller-plathe, j. phys. chem. b, 113, 5568. (2009).

گرافینها ساختارهای دوبعدی کربنی هستند که در آنها اتمهای کربن در یک تقارن هگزاگونال به شکل لانه زنبوری مرتب شده اند و به خاطر سهولت ساخت مورد توجه بسیاری قرار گرفته اند. این ساختارها با توجه به شرایط فیزیکی اعمالی می توانند خاصیت فلزی و نیمرسانایی از خود نشان دهند. گرافینها می توانند تک لایه، دولایه یا چندلایه باشند که ما در این پایاننامه گرافینهای تک لایه و دولایه را مورد بررسی قرار داده ایم که در آن ابتدا به بررسی شرایط لازم برای ایجاد گاف در این دو ساختار پرداختیم. سپس به بررسی طیف جذب، و در نهایت انرژی بستگی حالت پایه اکسیتونی را در گرافین تک لایه برای عرضها و ضخامتهای مختلف لایه گرافینی و در دولایه برای میدانهای الکتریکی خارجی متفاوت و همچنین برای ضخامت های مختلف لایه گرافینی بررسی کردیم. اثرات لبه ای همچون انرژی جهشی نزدیکترین همسایه دوم داخل صفحه ای، انرژی جهشی نزدیکترین همسایه دوم بین لایه ای، و انرژی محلی، نیز در گرافین دولایه تحت بایاس در نظر گرفته شد. به منظور محاسبه انرژی بستگی از معادله بته- سالپیتر و روش وردشی استفاده کردیم. نتایج بدست آمده نشان می دهد که مقدار گاف انرژی در نانونوارهای آرمچیر بطور معکوس متناسب با عرض آنهاست و در دولایه مقدار آن با افزایش میدان الکتریکی قائم اعمالی افزایش می یابد. نتایج نشان می دهد که با افزایش عرض نانونوارها، انرژی بستگی اکسیتونی کاهش می یابد، و در دولایه با افزایش میدان الکتریکی، انرژی بستگی اکسیتونی بواسطه افزایش گاف انرژی افزایش می یابد و در هر دو نوع گرافین تک لایه و دولایه، انرژی بستگی وابستگی چندانی به ضخامت لایه گرافینی ندارد و بطور جزئی افزایش می یابد.

هدف از نگارش این پایان نامه، نشان دادن نقش گروه های تروریستی سازمان یافته در ایجاد و تشدید نا امنی های جنوب شرق ایران است. بدین منظور، در این پژوهش به حوادث تلخ به وقوع پیوسته در بازه ی زمانی بین سال های 89-80 در این منطقه پرداخته شده و با بررسی دقیق جزئیات عملیات و رخدادهای انجام گرفته توسط گروهک ریگی در استان سیستان و بلوچستان، علل و عوامل چنین حوادثی مورد کنکاش قرار گرفته است.نتایج به دست آمده در این پژوهش به خوبی نشان می دهد که دشمنان این سرزمین برای راه اندازی ناامنی در منطقه جنوب شرق ایران و ایجاد تفرقه و واگرایی مذهبی در سیستان و بلوچستان لحظه ای آرام ندارند. از طرفی یکی از مشکلات بزرگ ایران در مرزهای شرقی اش وجود مرزهای طولانی با دو کشور افغانستان و پاکستان است که به دلیل عدم توانایی این کشورها نسبت به برقراری امنیت در مرزهایشان، بیشترین هزینه ها را به ایران برای تأمین امنیت مرزی اش وارد می نماید. در این تحقیق، با بررسی شرایط و وضعیت منطقه ی جنوب شرق و حضور گروه های تروریستی در اطراف مرزهای ایران به تحلیل تأثیر این گروه های تروریستی بر وقوع حوادث تلخ در این منطقه می پردازیم. داده های گوناگون نشان می دهد که از سال 1380 به بعد، ناامنی های جنوب شرق ایران به طور چشم گیری رو به افزایش گذاشته به گونه ای که در طول یک دهه به شدیدترین و هولناک ترین وقایع منجر شده، به بیان دیگر در این دوره ی حدوداً ده ساله، گروهی از اشرار منطقه سیستان و بلوچستان تحت لوای توجیهات مذهبی و با استفاده از کمک های پنهان مالی برخی کشورهای منطقه و آمریکا دست به جنایات کوری در منطقه جنوب شرق ایران زده اند تا شاید بتوانند به اهداف شوم خود که همان ایجاد تفرقه و آشوب در قومیت ها و مذاهب منطقه است دست یابند. البته باید اذعان کرد که ریشه ی اولیه و بنیادین بروز و گسترش تروریستم در منطقه خاور میانه را در مشکلات اقتصادی، فرهنگی، سیاسی و اجتماعی تحمیلی بر دولت ها و ملت های منطقه خاور میانه از سوی کشورهای استعماری باید جستجو کرد.