در این پایان نامه، یک تکنیک جدید خطی سازی در تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا ارائه شده است. در فرکانس های موج میلی متری به دلیل کاهش گین ذاتی ترانزیستور ها برای تامین بهره ی مناسب تقویت کننده از ساختار های چند طبقه استفاده می شود که این امر علاوه بر افزایش توان مصرفی، میزان خطسانی بلوک طراحی شده را نیز کاهش می دهد. بیشتر تکنیک های خطی سازی فرکانس پایین در این باند، مشخصات اولیه ی تقویت کننده را تضعیف می نمایند و بهبود موثری را فراهم نمی کنند. روش پیشنهادی در این پایان نامه بر اساس تعمیم یک تکنیک خطی سازی فرکانس پایین به pmos و بهبود آن با اضافه کردن یک درجه ی آزادی می باشد. در این تکنیک، مولفه ی مرتبه ی سوم ترارسانایی ترانزیستور اصلی به کمک زوج nmos- pmos با مقاومت هایی سری در سورس آن ها حذف می شود این مقاومت ها با ایجاد درجه ی آزادی، میزان بهبود iip3 را افزایش داده و افت گین را کاهش می دهند. روش پیشنهاد شده محدود به تقویت کننده های فرکانس بالا نیست. ویژگی بارز این تکنیک، iip3 بالا، توان مصرفی پایین و اثر بارگذاری کم آن است که آن را برای فرکانس های بالا مناسب می سازد. تکنیک ارائه شده در یک تقویت کننده ی کم نویز دو طبقه با ساختار سورس مشترک و کسکود در باند ghz 30.5-23.5 و تکنولوژی 0.18µm rfcmos پیاده سازی شده است. میزان بهبود iip3 از db 7 تا db 12 می باشد. در حالی که گین تقویت کننده db 2.9 کاهش و توان مصرفی آن تنها mw 0.2 افزایش می یابد.