از شبیه سازی دینامیک مولکولی در فشار و دمای ثابت برای 1080 یون (240یون یا ، 240 یون و600 یون )در 120 سلول با نرم افزار برای محاسبه خواص ساختاری، ترمودینامیکی و دینامیکی سدیم دی سیلیکات و پتاسیم دی سیلیکات استفاده شده است. محدوده دمایی و فشاری، به ترتیب k250 تا k 1000 و 1325./1 بار تا 100000 بار می باشد. گام زمانی شبیه سازی 001/. پیکو ثانیه و تعداد مراحل برای به تعادل رسیدن سیستم حداقل 100000 مرحله بود. پتانسیل به کار رفته شامل هر دو برهم کنش دوذره ای و سه ذره ای می باشد. بر هم کنش بین یون ها فقط کولنی و سه ذره ای شامل پتانسیل های زاویه پیوندی و (کثیرالجمله ای بر حسب زاویه )است که توسط وصال و همکارانش معرفی گردیده و بعدا" توسط اسمیت و همکاران اصلاح گردید. صحت مدل پتانسیل ومراحل مختلف شبیه سازی در فشار اتمسفری و دمای 15/298 کلوین با نتایج شبیه سازی دینامیک مولکولی توسط اسمیت و همکارانش توافق خوبی داشتند. پس از تایید صحت نتایج شبیه سازی، خواص ساختاری در دیگر دماها و فشارها برای دو سیلیکات بدست آمد. همچنین چگالی برای سدیم دی سیلیکات و پتاسیم دی سیلیکات در دمای 1400 کلوین و فشار 152 کیلو بار بدست آمد و نتایج با شبیه سازی دینامیک مولکولی توسط اسمیت توافق خوبی داشتند. بدین ترتیب چگالی در دماها و فشارهای دیگر تعیین و در هر دمایی، رابطه ای برای چگالی این دو ترکیب برحسب فشار به دست آمد. ظرفیت گرمایی متوسط و منحنی های هم فشار و هم دما، ضریب انبساط حرارتی و یک معادله حالت بر اساس معادله حالت پارسافر- میسون برای این دو سیلیکات نیز به دست آمد.