اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در این پایان‎نامه اثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن نوار آلیاژ آمورف co66.59fe3.98mo1.55si18.36b9.52 و تأیید رفتار امپدانس مغناطیسی نامتقارن به کمک یک مدل نظری بررسی شده است. این مدل بر اساس حل هم زمان معادلات ماکسول و لانداو-لیفشیتز برای یک نوار با ضخامت محدود مرکب از یک هسته آمورف داخلی و دو لایه بلور خارجی است. جفت شدگی بین لایه ی سطحی و هسته ی آمورف در جمله های میدان بایاس موثر مطرح می شود نفوذپذیری مغناطیسی ? بر حسب پارامترهای m (مغناطش پذیری اشباع)، ( میدان ناهمسانگردی تک محوری) و (ثابت ژیرومغناطیس)، (پارامتر میرایی گیلبرت) و (زاویه ی تعادل بین بردار مغناطش و محور افقی) است، به دست آمد. زاویه ی را می توان با استفاده از کمینه ی انرژی آزاد، به دست آورد. با نادیده گرفتن حوزه های ساختاری و برهم کنش تبادلی، بیان تحلیلی برای امپدانس فراهم شد و میدان و فرکانس وابسته به امپدانس مورد مطالعه قرار گرفت. در این جا از روش بازپخت جریانی در حضور هوا استفاده شد که موجب ایجاد نامتقارنی ناشی از بایاس تبادلی در نمونه می‎شود. بهترین نمونه بازپخت شده از لحاظ پاسخ gmi، نسبت به نمونه خام در جریان 500 میلی‎آمپر به مدت زمان 15 دقیقه بازپخت شده و اندازه‎گیری gmi مربوط به آن در فرکانس4 مگاهرتز ودامنه جریان متناوب 10 میلی آمپر انجام شد. کلمات کلیدی: امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن، لایه های بلورین، ناهمسانگردی مغناطیسی، آلیاژهای آمورف، نفوذپذیری مغناطیسی،. بازپخت جریانی، حسگرهای مغناطیسی. اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در این پایان‎نامه اثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن نوار آلیاژ آمورف co66.59fe3.98mo1.55si18.36b9.52 و تأیید رفتار امپدانس مغناطیسی نامتقارن به کمک یک مدل نظری بررسی شده است. این مدل بر اساس حل هم زمان معادلات ماکسول و لانداو-لیفشیتز برای یک نوار با ضخامت محدود مرکب از یک هسته آمورف داخلی و دو لایه بلور خارجی است. جفت شدگی بین لایه ی سطحی و هسته ی آمورف در جمله های میدان بایاس موثر مطرح می شود نفوذپذیری مغناطیسی ? بر حسب پارامترهای m (مغناطش پذیری اشباع)، ( میدان ناهمسانگردی تک محوری) و (ثابت ژیرومغناطیس)، (پارامتر میرایی گیلبرت) و (زاویه ی تعادل بین بردار مغناطش و محور افقی) است، به دست آمد. زاویه ی را می توان با استفاده از کمینه ی انرژی آزاد، به دست آورد. با نادیده گرفتن حوزه های ساختاری و برهم کنش تبادلی، بیان تحلیلی برای امپدانس فراهم شد و میدان و فرکانس وابسته به امپدانس مورد مطالعه قرار گرفت. در این جا از روش بازپخت جریانی در حضور هوا استفاده شد که موجب ایجاد نامتقارنی ناشی از بایاس تبادلی در نمونه می‎شود. بهترین نمونه بازپخت شده از لحاظ پاسخ gmi، نسبت به نمونه خام در جریان 500 میلی‎آمپر به مدت زمان 15 دقیقه بازپخت شده و اندازه‎گیری gmi مربوط به آن در فرکانس4 مگاهرتز ودامنه جریان متناوب 10 میلی آمپر انجام شد. کلمات کلیدی: امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن، لایه های بلورین، ناهمسانگردی مغناطیسی، آلیاژهای آمورف، نفوذپذیری مغناطیسی،. بازپخت جریانی، حسگرهای مغناطیسی. اثر امپدانس مغناطیسی (mi) به صورت تغییرات امپدانس الکتریکی رسانای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی متغیر تعریف می شود. بررسی این اثر از سال 1994 پس از گزارش موهری و همکارانش مبنی بر وجود اثر امپدانس مغناطیسی در سیم کبالت پایه، به طور جدی‏ آغاز شد. امپدانس مغناطیسی برزگ نامتقارن(agmi) در بهبود هرچه بیشتر حسگرهایی که برحسب جمله‎های خطی بودن و میزان حساسیت به فعالیت در آمده اند بسیار مهم است. در این پایان‎نامه اثر بازپخت جریانی بر امپدانس مغناطیسی بزرگ نامتقارن نوار آلیاژ آمورف co66.59fe3.98mo1.55si18.36b9.52 و تأیید رفتار امپدانس مغناطیسی نامتقارن به کمک یک مدل نظری بررسی شده است. این مدل بر اساس حل هم زمان معادلات ماکسول و لانداو-لیفشیتز برای یک نوار با ضخامت محدود مرکب از یک هسته آمورف داخلی و دو لایه بلور خارجی است. جفت شدگی بین لایه ی سطحی و هسته ی آمورف در جمله های میدان بایاس موثر مطرح می شود نفوذپذیری مغناطیسی ? بر حسب پارامترهای m (مغناطش پذیری اشباع)، ( میدان ناهمسانگردی تک محوری) و (ثابت ژیرومغناطیس)، (پارامتر میرایی گیلبرت) و (زاویه ی تعادل بین بردار مغناطش و محور افقی) است، به دست آمد. زاویه ی را می توان با استفاده از کمینه ی انرژی آزاد، به دست آورد. با نادیده گرفتن حوزه های ساختاری و برهم کنش تبادلی، بیان تحلیلی برای امپدانس فراهم شد و میدان و فرکانس وابسته به امپدانس مورد مطالعه قرار گرفت. در این جا از روش بازپخت جریانی در حضور هوا استفاده شد که موجب ایجاد نامتقارنی ناشی از بایاس تبادلی در نمونه می‎شود. بهترین نمونه بازپخت شده از لحاظ پاسخ gmi، نسبت به نمونه خام در جریان 500 میلی‎آمپر به مدت زمان 15 دقیقه بازپخت شده و اندازه‎گیری gmi مربوط به آن در فرکانس4 مگاهرتز ودامنه جریان متناوب 10 میلی آمپر انجام شد.

حسگرهای مغناطیسی بر مبنای اثر امپدانس مغناطیسی mi (تغییر امپدانس الکتریکی یک رسانای مغناطیسی تحت اعمال میدان مغناطیسی خارجی) امروزه قابلیت خود را در عرصه فناوری نشان داده¬اند. مناسب¬ترین مواد برای کاربرد در اثر امپدانس مغناطیسی، مواد مغناطیسی نرم همانند آلیاژهای آمورف و مواد مغناطیسی نانو بلور هستند. جهت دست¬یابی به پاسخ امپدانسی مناسب¬تر به¬وسیله آلیاژهای آمورف، روش¬های گوناگونی وجود دارد که در اینجا روش بازپخت مواد مورد نظر ماست. در این پایان¬نامه بازپخت جریانی روی نمونه انجام گرفته است و با اعمال جریان مستقیم، نامتقارنی امپدانس مغناطیسی بزرگ نمونه¬های بازپخت شده در بایاس dc اندازه¬گیری شده است. نتایج این پایان¬نامه نشان می¬دهد که اعمال جریان الکتریکی در بایاس dc باعث افزایش امپدانس مغناطیسی در همه نمونه¬های بازپختی می¬شود. این افزایش بیانگر این مطلب است که این جریان باعث اصلاح و افزایش ناهمسانگردی مغناطیسی در نمونه می¬شود. نامتقارنی بایاس dc از ترکیب ناهمسانگردی مغناطیسی عرضی و حلقوی پیرامونی با میدان dc پیرامونی تولید شده به وسیله جریان بایاس ایجاد می¬شود. این برهم کنش می¬تواند باعث افزایش یک قله و کاهش قله دیگر در منحنی امپدانس مغناطیسی و بنابراین افزایش یا کاهش ناهمسانگردی شود. تغییر ناهمسانگردی، نمونه را برای کاربرد حسگری مناسب می¬سازد.

چکیده ندارد.