نام پژوهشگر: فرشته روحانی

پوشش دهی نانوذرات مغناطیسی fe3o4 و بررسی اثر پوشش ها بر اندازه و خواص مغناطیسی نانوذره
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده شیمی 1387
  فرشته روحانی   عزت کشاورزی

در دهه های اخیر نانو ذرات مغناطیسی به علت رفتار سوپرپارامغناطیسی و تولید گرما برای نابودی سلولهای سرطانی مورد توجه بسیار قرار گرفته اند. در این تحقیق نانوذرات مگنتیت به روش همرسوبی تهیه و با چند ماده سازگار با محیط زیست شامل اولییک اسید، پالمینولییک اسید، لینولییک اسید و نشاسته پوشش دار شدند. همچنین اثر پوشش دو لایه ای اولییک اسید و نشاسته نیز بررسی شد. با توجه به طیف های زتاسایزر، sem، tga و vsm تهیه شده از ذرات fe3o4، وجود پوشش در سطح ذرات و سوپرپارامغناطیسی بودن اثبات گردید. اثر نوع پوشش در میزان مغناطش و اندازه ذرات پوشش دار شده نیز مشخص شد. سه اثر پوشش در اینجا قابل توجه است. اول اینکه پوشش با نشستن بر سطح نانوذرات مانع جاذبه های دوقطبی-دو قطبی نانو ذرات شده و از تجمع و کلوخه شدن آنها جلوگیری می کند. دوم اینکه چون درصدی از وزن نمونه را پوشش تشکیل می دهد لذا مقدار مغناظش اشباع که بر واحد جرم تعریف می شود را تغییر می دهد. سومین اثر پوشش بر ناهمسانگردی سطح است که معمولا پوشش تشکیل می دهد لذا مقدار مغناظش اشباع که بر واحد جرم تعریف می شود را تغییر می دهد. سومین اثر پوشش بر ناهمسانگردی سطح است که معمولا پوشش استفاده شده باعث افزایش ناهمسانگردی سطح می شود که نتیجه آن افزایش زمان آسایش نیل و در نهایت افزایش گرمای تولیدی توسط این ذرات است. در بین نمونه های پوشش دار شده با اسیدهای چرب، نمونه پوشش دار شده با لینولییک اسید به خاطر وجود دو باند دوگانه در ساختار مولکولی، تمایل بیشتری به چسبیدن به سطح نانوذرات دارد و با توجه به طیف tga این نمونه، به علت بالا بودن درصد پوشش مغناطش اشباع کاهش می یابد. بررسی رفتار دو نمونه پوشش دار شده با اولییک اسید و پالمیتولییک اسید نشان داد که این پوشش ها اثر مشابهی در رفتار مغناطیسی نانوذرات مگنتیت دارند. این مسیله با توجه به ساختار مولکولی مشابه این اسیدها و تفاوت ناچیز فقط در یک اتم کربن قابل انتظار می باشد. نمونه های پوشش دار شده با نشاسته تغییرات شدید در مغناطش اشباع نشان دادند که این مسیله با توجه به وزن مولکولی بالای نشاسته که درصد زیادی از وزن نمونه را تشکیل می دهد قابل توجیه است. در مجموع می توان گفت نوع پوشش استفاده شده اثر زیادی بر رفتار مغناطیسی ذرات و در نتیجه میزان گرمای تولیدی دارد.

رابطه خودپنداری و عوامل تشکیل دهنده آن با موفقیت تحصیلی
thesis وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز 1359
  فرشته روحانی

بررسی رابطه بین خودپنداری و پیشرفت تحصیلی از جمله پژوهش هائی میباشد که در سالهای اخیر مورد توجه بسیاری از متخصصان تعلیم و تربیت بوده است و در این زمینه پژوهشگران بانجام تحقیقات گسترده ای مبادرت ورزیده اند. در این راه عده ای به تاثیر خودپنداری بر پیشرفت تحصیلی توجه داشته اند و سعی گروه دیگر آن بوده است که تاثیر پیشرفت تحصیلی را بر خودپنداری نشان دهند. تحقیق حاضر کوششی بوده است در جهت نشان دادن رابطه خودپنداری با پیشرفت تحصیلی . خودپنداری در آن معنا که نمودی است از قضاوت های شخصی و متاثر از نظام ارزشهای حاکم بر تصور فرد. خودپنداری در این مفهوم از چهار جزء که عبارتند از گرایش به خانواده، گرایش به مدرسه، گرایش به همسالان و گرایش بخود تاثیر پذیرفته و تشکیل یافته است . در این تحقیق 240 دانش آموز کلاس سوم راهنمائی شیراز شرکت داشتند که 120 نفر آنها دختر و 120 نفر بقیه را دانش آموزان پسر تشکیل میداد و برحسب شرایط اجتماعی - اقتصادی مدارس در سه سطح بالا، متوسط و پائین قرار میگرفتند. این دانش آموزان در یک آزمون خودپنداری شرکت کردند، از معدل کل سالانه آنها بعنوان معیاری برای تعیین میزان پیشرفت تحصیلیشان استفاده گردید. آزمونی دراختیار معلمینی که نسبت به شاگردان شناخت و آگاهی داشتند قرار داده شد که بوسیله آن خودپنداری شاگردان را ارزشیابی کردند. نتایج بدست آمده از این بررسی که بوسیله ضریب همبستگی پیرسون محاسبه گردید نشان داد که بین خودپنداری و پیشرفت تحصیلی رابطه مثبت و معنی دار وجود دارد. و همبستگی بدست آمده برای گروه دختر و پسر متفاوت بود. من حیث المجموع برای گروه دختران میزان همبستگی بیشتری میان خودپنداری و موفقیت تحصیلی بدست آمد. رابطه بین گرایش بمدرسه و پیشرفت تحصیلی بالاترین ضریب همبستگی را داشت . که مقدار آن برای دخترها r=0/60 و برای پسرها r=0/23 بود و کمترین ضرایب همبستگی ارائه شده مربوط بود به گرایش همسالان در رابطه با پیشرفت تحصیلی . ضرایب همبستگی حاصل از این قسمت برای پسرها r=/01 و برای دخترها r=0/26 بود. برای پسرها گرایش بخانواده برابر با گرایش بمدرسه بود و ضریب همبستگی r=0/23 بدست آمد و برای دخترها گرایش بخانواده با ضریب همبستگی r=0/29 در مرحله چهارم بعد از گرایش بخود قرار داشت . بین خودپنداری و ارزشیابی معلم از رفتار شاگرد و رابطه مثبت و معنی دار بدست آمده که مقدار آن برای گروه پسر r=0/15 و برای گروه دختر r=0/26 بود. همچنین بین ارزشیابی معلم از رتفار شاگرد و پیشرفت تحصیلی رابطه بالاتری به دست آمد که مقدار آن برای پسرها r=0/62 بود و برای دخترها r=0/58 بود. بررسی و تحلیل نتایج این تحقیق منجر به این پیشنهاد گردید که عوامل فرهنگی بر چگونگی رواابط بین دو متغیر خودپنداری و پیشرفت تحصیلی تاثیر دارد و این اثرات بخصوص به نقش های فرهنگی دخترها و پسرها در فرهنگهای مختلف ارتباط پیدا می کند. از طرف دیگر تاثیر عوامل اجتماعی - اقتصادی بر رابطه دو متغیر خودپنداری و پیشرفت تحصیلی مخصوصا" در دو سطح بالا و پائین قابل توجه است . در کل یافته های تحقیق بالاترین ضریب همبستگی بدست آمده r= 71 مربوط بود به ارزشیابی معلم از رفتار شاگردان در رابطه با پیشرفت تحصیلی برای پسرهائس که در مدارس سطح بالا و دخترهائی که در مدارس در سطح پائین درس میخواندند. کمترین ضریب همبستگی بدست آمده r=0/20 به ارزشیابی معلم و گرایش شاگرد بخود در مورد دانش آموزان پسر که در مدارس سطح متوسط درس میخواندند مربوط بود.