آلیاژ فرومغناطیس fept یکی از مهم ترین مواد مغناطیسی مورد استفاده در ساخت حافظه های مغناطیسی با دانسیته ی مغناطیسی بالا می باشد. در این پروژه این آلیاژ با استفاده از روش مگنترون اسپاترینگ و با استفاده از هدف های آهن و پلاتین با خلوص99/ 99% بر روی زیر لایه si/sio2(001) و لایه بافر ptir پوشش داده شد . این آلیاژ با در صد های برابر آهن و پلاتین دارای بهترین خواص مغناطیسی و ساختاری می باشد . ساختار fcc دارای فاز فرومغناطیس نرم و با کم ترین نیروی وادارندگی مغناطیسی است. برای تشکیل ساختار l10 با بالاترین نظم بلوری و خواص مغناطیسی ? لایه نازک های تهیه شده با استفاده از عملیات حرارتی krf excimer laser annealing با طول موجnm 248 ، مد نوسانی و فرکانس hz 1 انرژیmj 120 ، چگالی انرژیmj/cm2 48 و ولتاژ kv 18 برای بازپخت شدن انجام شد. در این پروژه سعی بر تغییر نمونه ها در پالس های لیزر متفاوت 3-6-9-12-15-18-20-40-60-80و 100 شد . به منظور بررسی طیف پراکندگی انرژی و تعیین درصدهای مواد تشکیل دهنده پوشش از آنالیز eds استفاده شد. بعد از انجام تست عملیات حرارتی با استفاده از این تعداد پالس به بررسی خواص میکروساختاری و مغناطیسی نمونه ها پرداخته شد. در ابتدا آنالیز gixrd برای بررسی خواص ساختاری نمونه و بررسی تشکیل فاز های منظم l10fept پرداخته شد . این طیف بالاترین میزان نظم بلوری را در تعداد پالس 18 نشان می دهد که درصد تشکیل این فاز برابر با 91/0 می باشد . بعد از آن برای بررسی و مشاهده اندازه و رشد دانه ها از آنالیز fesem استفاده شد. میزان زبری و بررسی توپوگرافی سطح با استفاده از آنالیز میکروسکوپ نیروی اتمی afm صورت گرفت. این تست افزایش زبری سطح را نمایش می دهد. بررسی تست مغناطوسنج ارتعاشی ? به منظور بررسی ساختار مغناطیسی و چند حوزه ای و تک حوزه ای بودن نمونه ها انجام شد.

چکیده ندارد.