در این پژوهش با ساخت سلول فوتوولتائیک لایه نازک دو لایه ای ناهمگون آلی بر پایه ی cupc/c60، نشان داده شد که مواد مورد استفاده در سلول با ساختار ito/pedot:pss/cupc/c60/ebl/ag شرایط اپتیکی لازم به منظور ایجاد طیف های جذب و عبور مناسب جهت جذب بهینه در لایه فعال را برآورده می کنند. نقش لایه سدکننده اکسایتون (ebl) مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت و دیده شد با استفاده از این لایه مشخصه های اصلی سلول شامل: چگالی جریان مدار کوتاه jsc، ولتاژ مدار باز vocو بازدهی تبدیل توان pη این سلول به میزان قابل توجهی افزایش می یابند. سپس با لایه نشانی یک لایه پلیمر رسانای آلی (pedot:pss ) روی آند ito، با تابع کار بالاتر نسبت به ito، اثر افزایش تابع کار آند بر بهبود عملکرد سلول مورد تائید قرار گرفت. تاثیر دمای زیر لایه در حین لایه نشانی الکترود فلزی کاتد بر مشخصه های مذکور سلول فوق بررسی و نشان داده شد با افزایش دمای زیر لایه تا مقدار نهایی این مشخصه ها به طور پیوسته افزایش می یابند. در مورد آهنگ لایه نشانی کاتد و اثرهای مثبت ومنفی آن روی عملکرد سلول بحث شد و برای کاتد نقره بهینه آهنگ لایه نشانی برابر با به دست آمد. همچنین پایداری سلول های فوتوولتائیک دو لایه ای آلی مورد بررسی قرار گرفت و تغییر مشخصه های مهم سلول با ساختار ito/pedot:pss/cupc/c60/bcp/ag با گذشت زمان اندازه گیری شدند. سپس عوامل ممکن برای افزایش اولیه ولتاژ مدار باز وکاهش آهسته ی آن در ادامه و برای کاهش پیوسته ی چگالی جریان مدار کوتاه و بازدهی تبدیل توان، بیان شدند. معلوم شد که خود الکترود نقره می تواند تا حد قابل توجهی در محافظت سلول در مقابل تخریب و کاهش آهنگ نزول مشخصه های مذکور سلول موثر باشد. در پایان نشان داده شد که با جایگزینی bphen با bcp به عنوان یک لایه سدکننده اکسایتون، پایداری سلول می تواند تا حد بسیار زیادی بهبود یابد.

میکروسکوپ های afm توانایی خوبی در تصویر برداری از سطوح اکثر مواد رسانا، نیمه رسانا، کریستال های فوتونی وعایق ها را دارند که امروزه از جمله ابزار های مهم در حوزه نانو تکنولوژی محسوب می شود. از آن جایی که تکنولوژی ساخت cantilever ها که در میکروسکوپ های نیروی اتمی afm به عنوان یک قطعه، بسیار هزینه بر، وارداتی است و مخصوصا اطلاعات مربوط به دانش فنی آن نیز عملا موجود نمی باشد، در این تحقیق به مطالعات و بررسی هایی در دانش فنی فرایند سونش، به پارامترهایی چون انتخاب مواد، سونشگر ها و ماسک های مناسب جهت سونش یکنواخت و بهینه ویفر، طراحی وساخت سیستم ایجاد ماسک های متوالی برای ایجاد شکل مناسب در کانتیلورها، و در نهایت بررسی روشی برای تعیین مشخصه یک قطعه ساخته شده پرداخته می شود. در نهایت روشی برای ساخت فنرک نیروی اتمی ارائه شده است که در این روش از اکسیداسیون سطح سیلسیم لیتوگرافی و سونش به وسیله محلول هیدرازین استفاده شده است.

کاربرد فراوان تفنگ الکترونی در حیطه تحقیق و صنعت ما را بر آن داشت تا یک بررسی جامع کامل در مورد این دستگاه انجام دهیم. در این تحقیق ضمن در نظر گرفتن کلیه مطالب تئوری لازم جهت شرح عملکرد سیستم به گسترش و رفع کاستی های موجود در این زمینه پرداخته شده است . در بررسی روشهای تولید پرتو الکترونی با استفاده از منابع معتبر و جمع آوری اطلاعات تجربی و تئوری مربوطه، تحقیق جامع و کاملی در این مقوله صورت گرفته است . گفتار اول شامل بیان روش های مختلف گسیل و بررسی کاتدهای مربوطه، رسم منحنی و نمودارها و ارائه جدولهای موجود می باشد. پس از این قسمت به بررسی اپتیک الکترونی پرداخته میشود که خود شامل تحقیق در مورد روشهای مختلف کاربردی جهت انحراف وکانونی کردن پرتو، برریس آیینه، منشور و عدسی های الکتروستاتیک ، مگنتوستاتیک و الکترو - مگنتوستاتیک می باشد. در مورد تعیین سطوح هم پتانسیل و خطوط نیرو علاوه بر ارائه مدلهای محسوس ، بطور منحصر بفردی به تئوری بحث پرداخته شده و معادلات مربوط در دستگاههای مختصاتی مختلف مورد بررسی قرار گرفته است . در قسمت بررسی الکترونهای نسبیتی با تطبیق در مقالات لمس و کاربردی با روشهای تولید وکاربری الکترونهای نسبیتی ارائه شده است . در گفتار چهارم متن حاضر یک بررسی اجمالی در مورد چگونگی استفاده روشهای محاسباتی در طراحی الکترودها و تعیین سطوح هم پنانسیل صورت گرفته است و در بخش پایانی کهمهمترین قسمت کار انجام گرفته را تشکیل می دهد به جمع بندی مطالب و محاسبات و بررسی نهائی پرداخته شده است . در خاتمه ضمن محاسبه گام به گام یک تفنگ ، به صورت جدول وار شرح محاسبات انجام شده به همراه نقشه داخلی و کلی یک نمونه صنعتی از تفنگ الکترونی ارائه می گردد. این تقشه جهت اعمال تغییرات احتمالی مورد نیاز برای ساخت ، در فلاپی دیسکت همراه متن موجود است که قابل اجراء در محیط نقشه کشی auto cad 12, 14 می باشد.