این تحقیق مربوط بودن سود و ارزش دفتری را در صورت وجود منابع مختلف مدیریت سود از قبیل اقلام تعهدی اختیاری کوتاه مدت، اقلام تعهدی اختیاری بلندمدت و کل اقلام تعهدی اختیاری مورد بررسی قرار می دهد. انتظار بر آن است که مربوط بودن سود در شرکتهایی که مدیریت سود رخ داده در مقایسه با شرکتهایی که در آنها مدیریت سود وجود ندارد، پایین تر باشد. علاوه بر این، در صورت وجود مدیریت سود انتظار می رود که بازار در فرایند ارزیابی قابلیت اتکاء خود را از سود به ارزش دفتری تغییر دهد. این مطلب از طریق کاهش در مربوط بودن سود و افزایش در مربوط بودن ارزش دفتری نشان داده خواهد شد. به طور متداول، از اقلام تعهدی اختیاری به عنوان معیار مدیریت سود استفاده می شود. سهم این تحقیق تدوین مدلهایی جهت برآورد اقلام تعهدی اختیاری کوتاه مدت و بلندمدت می باشد. این امر بررسی تأثیر تفاضلی مدیریت سود را از طریق استفاده اقلام تعهدی اختیاری کوتاه مدت در مقایسه با اقلام تعهدی اختیاری بلندمدت ممکن می سازد. نتایج نشان می دهد که مدیریت سود بر مربوط بودن تأثیر گذار است. علاوه بر این، مدیریت سود از طریق اقلام تعهدی اختیاری بلندمدت در مقایسه با اقلام تعهدی اختیاری کوتاه مدت تأثیر بیشتری بر مربوط بودن سود و ارزش دفتری دارد.

در این پایان نامه پدیده های جریان سیال و انتقال حرارت در کولر مینیاتوری ژول تامسون به صورت آزمایشگاهی و عددی در حالت پایا بررسی می شود. با تغییر فشار ورودی به مبدل، همه پارامترها مانند دمای خروجی، دمای اجزاء مبدل مانند مندرل، پوسته دمای داخل و خارج مبدل مارپیچ، فشار در طول مبدل در هر دو ناحیه، فشار ورودی به ناحیه فشار پایین تغییر می کند. در طول مبدل به علت تغییر دما و فشار سایر خواص فیزیکی سیال عامل، که در این کار از آرگون استفاده شده است تغییر می کند. لذا باید مقادیر این خواص به صورت تابعی از دما و فشار در نظر گرفته شود. با نوشتن معادلات پیوستگی، ممنتوم و انرژی برای دو ناحیه کم فشار و پرفشار و حل آنها دما و فشار در طول مبدل بدست می آید. دمای خروجی از مبدل برای فشارهای ورودی به مبدل در حالات مختلف در آزمایشگاه اندازه گیری می شود و با دمای خروجی از برنامه نوشته شده مقایسه می گردد.

-

چکیده در سال های اخیر تقاضا برای مدارهای توان پایین و کارایی بالا به صورت قابل توجهی افزایش پیدا کرده است. موثرترین روش در کاهش توان در مداراتvlsi کاهش ولتاژ تغذیه است ودلیل آن تناسب توان پویا با مجذور ولتاژ تغذیه می باشد. از آنجا که کاهش ولتاژ تغذیه باعث کاهش در سرعت مدار می شود، برای جلوگیری از کاهش سرعت، سیستم های با ولتاژ تغذیه ی چند گانه مطرح می شود. استفاده از این روش دارای مشکل هایی می باشد که یکی از مهم ترین آنها نیاز به مدارهای مبدل سطحی است که سیگنالهای دیجیتال با سطوح سیگنال کوچکتر (0,vddl) را به سطوح سیگنال بالاتر (0,vddh) تبدیل کنند. در سالهای اخیر تلاشهای متعددی صورت گرفته است که مبدلهای سطحی با تاخیر، توان مصرفی و مساحت کمتر طراحی شوند. در این پایان نامه، برای اولین بار روابط تاخیر برای مدار مبدل سطح مرسوم نوشته شده است و دلیل این که، چرا این مبدل قادر به کارکرد صحیح برای ولتاژهای زیر آستانه نمی باشد به صورت ریاضی اثبات شده است. به علاوه، چند ساختار جدید برای مبدلهای سطح ولتاژ با بازده توان بالا پیشنهاد شده است که قابلیت تبدیل ولتاژهای زیرآستانه را از فرکانس 100hz تا فرکانس 10mhz دارا هستند. برای هر یک از مدارهای پیشنهادی، محدوده فرکانسی که هر یک از این ساختارها از لحاظ توان مصرفی وتاخیر دارای بهترین عملکرد هستند، مشخص گردیده است و همچنین مقایسه های بین مدارهای پیشنهادی و ساختارهای قبلی برای تاخیر و توان صورت گرفته است تا به کارایی مدارات پیشنهادی پی برده شود. این ساختارهای پیشنهادی حساسیت کمـی نسـبت به تغـییرات فرآیند ساخت دارند. نتـایج شبیـه سازی post-layout برای ساختار پیشنهادی شماره 5 و نتایج شبیه سازیpre-layout برای ساختار پیشنهادی شماره ی 6 در تکنولوژی 0. 18µm cmos نشان می دهد که به ازایvddl=0.42v وvddh=1.8v و فرکانس ورودی 1mhz، توان مصرفی برای این دو ساختار پیشنهادی به ترتیب برابر با 183nw و101nw می باشد و مقدار تاخیر نیز به ترتیب برابر با 18.23nsو 15.38ns می باشد.