تخلخل هایی با قطر نانومتری با روش الکتروشیمیایی و با استفاده از محلول الکترولیت اتانول و اسید بر روی پایه های سیلیکان نوع ایجاد گردید. با استفاده از اندازه گیری درصد تخلخل و نیز محاسبه ظرفیت دی الکتریک، رابطه بین این دو پارامتر در نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل بررسی گردید. در این مطالعه مشخص شد که افزایش زمان خوردگی موجب افزایش درصد تخلخل شده که کاهش ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل را سبب می شود. همچنین با اندازه گیری تغییرات ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل بر حسب فرکانس، تغییرات برخی پارامترهای مهم از قبیل ضریب گذردهی، رسانندگی الکتریکی ،ضریب شکست و درصد تخلخل برحسب فرکانس اعمال شده بر این ماده در مدار طراحی شده بررسی شدند. در این بررسی ها مشخص شد که عوامل زیادی بر رفتارهای دی الکتریکی سیلیکان متخلخل تأثیر می گذارند که یکی از مهم ترین و مؤثر ترین این عوامل به ساختار هندسه فراکتالی این ماده بر می گردد.

همه لایه ها تقریباً شفاف هستند بنابراین بهینه سازی بر اساس کاهش مقاومت سطحی لایه صورت گرفت. در ساخت لایه zno آلاییده با al و in ابتدا درصد آلایش بهینه شد. برای این منظور، لایه هایی با حجم 20cc محلول استات روی آلاییده با al و in با درصدهای 0.7، 1، 1.5، 3 و 5% در دمای زیرلایه 450 درجه سانتیگراد لایه نشانی شدند. نتایج نشان دادند که لایه های آلاییده با in مقاومت سطحی کمتری نسبت به لایه آلاییده با al دارند و درهر دو مورد لایه 1% آلاییده مقاومت کمتری را نشان می دهند که ناشی از افزایش حامل های بار درنتیجه جایگزینی اتم های آلاینده با zn است. با توجه به کمتر بودن مقاومت لایه آلاییده با 1% in، بقیه بهینه سازی ها براساس لایه آلاییده با 1% in انجام شد. بهینه سازی دمای زیرلایه نشان داد که با افزایش دما از 370 تا 450 مقاومت لایه ها کاهش یافت و بالاتر از 450 مقاومت افزایش می یابد. به منظور کاهش بیشتر مقاومت لایه ها، حجم لایه ها را با شرایط بهینه قبلی تا 300cc افزایش دادیم. با افزایش حجم محلول، به علت بزرگتر شدن اندازه دانه ها( که با استفاده از تصاویر sem اثبات شد) و کاهش مرزهای دانه ای و درنتیجه کاهش تحرک حامل های بار، مقاومت کاهش می یابد. در آخر نمونه ها در خلأ پخت داده شدند که به علت واجذبی اکسیژن از سطح لایه و بنابراین آزادسازی دو الکترون به ازای هر اتم اکسیژن، مقاومت لایه ها کاهش یافت. طیف عبور نیز نشان داد که لایه 1% آلاییده بیشترین عبور را دارد و افزایش حجم محلول به علت افزایش ناهمواری سطح عبور را کاهش می دهد. ضمن اینکه طیف xrd نشان دهنده ساختار پلی کریستالی هگزاگونالی لایه نازک zno با فاز وورتسیت می باشد.

لایه های اکسید رسانای شفاف fto بدلیل عبور نور مرئی و رسانایی الکتریکی بالا, کاربردهای زیادی از جمله در سنسورهای گازی, دیودهای نور گسیل, ترانزیستورهای لایه نازک و بعنوان الکترود در سلولهای خورشیدی دارند. روشهای مختلفی برای ساخت fto ها وجود دارد که روش اسپری به علت سادگی, مقرون بصرفه بودن و قابلیت ساخت لایه ها بر روی زیرلایه های بزرگ مورد توجه پژوهش های زیادی قرار گرفته است. ما در این کار پژوهشی سعی کردیم لایه های نازک sno2:f(fto) را با استفاده از روش اسپری لایه نشانی کرده و با تغییر پارامترهای موثر بر خواص آن همانند حجم محلول, درصد آلایش, دمای زیرلایه و آهنگ لایه نشانی به شرایط بهینه بر حسب شرایط کار دست یابیم. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر , semساختار بلوری آنها را توسط آنالیز xrd و عناصر موجود در لایه ها را توسط آنالیز edxمورد بررسی قرار داده ایم. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف سنج و مقاومت سطحی لایه ها بر حسب حجم محلول و آلایش و دمای زیرلایه توسط دستگاه چهار نقطه ای مورد بررسی قرار گرفت. بهترین لایه شفاف رسانا که دارای بالاترین ضریب عبور و کمترین مقاومت سطحی است بر حسب ضخامت, نمونه با ضخامت لایه 830 nm با مقاومت ویژه .cm?0.26×10 -3 و ضریب عبور اپتیکی60 % در محدوده طیف مرئی و بر حسب الایش f , نمونه با آلایش 1.2 hf و ضخامت 530 nm با مقاومت ویژه 1.19×10-3(?.cm) و عبور %86 بدست آمد. همچنین از نظر دمای زیرلایه, نمونه در دمای oc 390 کمترین مقاومت ویژه 1.13×10-3 (?.cm)و عبور %90 را داراست. نتایج ما در مقایسه با کارهای مشابه در چندسال اخیر قابل مقایسه و در برخی موارد نتایج بهتری بدست آمده است.