با توجه به کاربرد روز افزون لایه های نازک در قطعات الکترونیکی و محصولات فناوری های مدرن، آشنایی بیشتر با خواص لایه های نازک ضروری به نظر می رسد. از آنجا که خواص لایه های نازک به ساختار ریز آنها وابستگی شدید دارد، بنابراین بررسی میکروساختار و نانوساختار این گونه لایه ها با کیفیت بهتر خواهد شد. ازجمله خواص میکروساختاری لایه های نازک درجه تبلور، جهت گیری ترجیهی، اندازه دانه ها، میزان تنش و کرنش ایجاد شده در این لایه ها می باشد. در این پایان نامه توجه زیادی به تنش ایجاد شده در لایه های نازک که یکی از مهمترین خواص میکروساختاری آنها می باشد معطوف شده است و به محاسبه تنش پسماند و اندازه-گیری آن به روش تجربی با استفاده از دستگاه پراش اشعه ایکس (xrd) پرداخته شده است. در این تحقیق از لایه نازک نیکل با ضخامت تقریبی 12 تا 20 نانومتر لایه نشانی شده بر روی سیلیسیوم نوع استفاده شده است. همچنین تنش پسماند در لایه های نازک فوق-الذکر بر اساس معادلات استونی و قانون براگ محاسبه گردیده که نتایج بدست آمده مطابقت بسیار خوبی بین داده های تجربی و نظری را نشان می دهد.

در دهه های اخیر، با توجه به پیشرفت های تکنولوژیکی صورت گرفته، توجه دانشمندان به فرآیندهای سریع بیش از پیش جلب شده است. در این راستا طی سال ها تلاش پژوهشگران روش های مختلفی برای بررسی چنین فرآیندهایی ارائه شده است. همانند بسیاری از تکنیک های آزمایشگاهی که با اختراع لیزرها پیشرفت های چشمگیری کردند، تکنیک های سرعت سنجی هم با ابداع لیزر دچار تحولات فراوانی شده اند. کمتر از 10 سال از ابداع اولین لیزر نگذشته بود که ویزارهای اولیه شروع به خودنمایی در بین روش های متداول سرعت سنجی کردند. در این پایان نامه قصد داریم تا با توجه به اهمیت روش های سرعت سنجی و در دسترس نبودن آنها در کشور، به مطالعه ی اساس کار تکنیک سرعت سنجی با ویزار بپردازیم. پس از بیان اصول اولیه و بدست آوردن روابط ریاضی مورد نیاز در ادامه انواع متداول ویزار را معرفی کرده و مزایا و معایب نسبی آنها را بررسی می کنیم، با این کار می توان با توجه به کاربرد مورد نظر بهترین نوع ویزار را انتخاب کرد. در نهایت با توجه به پیچیدگی های فراوان مربوط به کار آزمایشگاهی مرتبط با این تکنیک، پیشنهاد ساخت یکی از انواع ویزار را همراه با معرفی قطعات مورد نیاز و توضیح اجمالی پیرامون چیدمان آزمایشگاهی مورد نظر، ارائه می کنیم.

در این پایان نامه ساختار و خواص نوری دولایه ای عایق- فلز (ag/sio2) که بر روی زیرلایه سیلیسیوم نوع n لایه نشانی شده مورد مطالعه قرار گرفته است. انگیزه ما از انتخاب دولایه ای فلز-دی الکتریک (نقره- دی اکسیدسیلیسیوم) به علت خواص نوری بسیار خوب و کاربردهای فراوان آن بوده است. از نتایج مهم این کار تحقیقاتی می توان به جذب بالای نمونه اشاره نمود که به تشدید پلاسمون های سطحی آن مربوط می شود. در فصل اول مختصری درباره مشخصات فلز نقره و کاربردهای آن، ویژگی های نقره در مقیاس نانو همچنین خواص و کاربردهای نارسانای دی اکسیدسیلیسیوم و مروری بر تحقیقات گذشته آمده است. در فصل دوم روش های لایه نشانی و دستگاه های بکار گرفته شده در این تحقیق معرفی شده اند و در فصل آخر نیز به روش آزمایش و تجزیه و تحلیل نتایج و داده های تجربی پرداخته ایم. برای لایه نشانی نمونه ها از روش کندوپاش استفاده شده است. برای بررسی ریخت شناسی و تعیین میانگین زبری نمونه ها از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) استفاده کرده ایم. ویژگی نوری لایه نازک نقره-دی اکسید سیلیسیوم توسط دستگاه بیناب سنج نوری (uv-visible) درگستره طول موج 1200-200 نانومتر بررسی شده و برای مطالعه خواص ساختاری و بدست آوردن اندازه بلورک ها دستگاه پراش پرتوایکس (xrd) بکار گرفته شده است.

در این پایان نامه ابتدا نانوذرات دی اکسیدتیتانیوم )2(tio با ضخامت 10 نانومتر بر روی زیرلایه ای از جنس کوارتز لایه نشانی شدند و سپس نانوذرات نقره (ag) با ضخامت 40 نانومتر روی دی اکسیدتیتانیوم با روش کندوپاش لایه نشانی شدند. سپس خواص ساختاری و اپتیکی لایه نازک مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت و برای تابع دی الکتریک این دولایه ای بازه ای بدست آوردیم. خواص ساختاری نقره-دی اکسیدتیتانیوم با الگوی پراش اشعه ی ایکس (xrd) بررسی شد و با استفاده از آن، اندازه ی میانگین نانوذرات محاسبه شد. ریخت شناسی و زبری سطح با میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین خواص اپتیکی این دولایه ای در گستره ی طول موج 200-900 نانومتر با بیناب سنج نوری دو پرتویی (uv-vis) اندازه گیری شد.

سرطان پستان شایعترین سرطان در میان زنان کشور شمار می رود و دومین سرطان کشنده پس از سرطان ریه است. پیشرفت و گسترش سرطان پستان درگیر با انواع مختلفی از مکانیسم ها از جمله ایجاد تغییرات مختلف در ساختار dna است. زنجبیل یکی از شناخته شده ترین گیاهانی است که خواص آنتی اکسیدانی و ضد سرطانی آن به خوبی شناخته شده است. همچنین مشخص شده است که عصاره زنجبیل موجب افزایش سایتوتوکسیسیتی برخی از داروهای شیمی درمانی از قبیل تاکسول می شود. هدف از این تحقیق ارزیابی اثرات عصاره زنجبیل بر قابلیت حیات سلول های سرطانی و تاثیر آن بر سایتوتوکسیسیتی القا شده توسط تاکسول بود. . به همین منظور رده سلولی 4t1 استخراج شده از بافت سرطانی پستان موش balb/c در محیط rpmi-1640 با 10% سرم جنین گاوی کشت داده شدند. عصاره هیدروالکلی به روش سوکسله تهیه گردید. غلطت های مختلف عصاره زنجبیل (800 و 1000، 400، 200، 100 میکروگرم بر میلی لیتر) و تاکسول (001/0، 01/0، 1/0، 1 و 10 میکوگرم بر میلی لیتر) و همچنین ترکیب عصاره با تاکسول، در محیط کشت به مدت 24، 48 و 72 ساعت بر روی سلول های سرطانی اثر داده شد. بعد از این مدت توانایی حیات سلولها با استفاده از روش mtt و تریپان بلو اندازه گیری گردید. مورفولوژی سلول ها نیز با رنگ آمیزی هوخست و پروپیدیوم آیوداید بررسی شد. سپس داده ها با روش های آماری آنالیز واریانس یک طرفه و دو طرفه مورد بررسی و تجزیه و تحلیل قرار گرفت. جهت انجام روش xrd، استخراج dna از رت نژاد sd سالم و سرطانی که تومورهای پستانی در آن ها توسط ماده کارسینوژن dmba القا شده بود انجام شد و الگوی پراش اشعه ایکس به دست آمده از آنها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که عصاره زنجبیل و داروی تاکسول به طور مشابه بر روی سلولهای سرطانی دارای اثرات سایتوتوکسیک قابل توجهی بودند و کاهش قدرت زیستی سلول ها وابسته به دوز و زمان بوده است. همچنین ترکیب عصاره با تاکسول، سبب افزایش اثر سایتوتوکسیک تاکسول گردید. بررسی تغییرات مورفولوژیک سلولها نیز نشان داد که در سلولهای تیمارشده توسط تاکسول و عصاره تغییراتی همانند فروپاشی هسته، متراکم شدن و تغییر شکل هسته ایجاد شده است، که خود میتواند ناشی از آپوپتوز اتفاق افتاده برای سلول باشد. همچنین نتایج به دست آمده از روش xrd آشکار ساخت که تفاوت های مشخصی در الگوهای پراش به دست آمده از dna سالم و سرطانی وجود دارد. واژه های کلیدی: تاکسول، سرطان پستان، زنجبیل، xrd، 4t1

در دهه های اخیر نقش نانو ساختارها خصوصا لایه های نازک در فناوری های الکترونیکی و مغناطیسی گسترش فراوانی یافته اند. لایه های نازک رسانا در این میان از اهمیت بالایی برخوردار بوده و بنابر این بررسی خواص ساختاری و الکتریکی این دسته از لایه های نازک از اهمیت بسزایی برخوردار است. در این تحقیق لایه ها و چندلایه ای های رسانا با روش های متداول انباشت تهیه شده اند و با استفاده از روشهای مختلف خواص ساختاری و الکتریکی آنها مورد بررسی قرار گرفته است. دستگاه های استفاده شده در این تحقیق پراش پرتو ایکس (xrd) برای مطالعه ی خواص ساختاری و مکانیکی و دستگاه چهار سوزنه ی مربعی برای بررسی خواص الکتریکی لایه های آماده شده می باشند. چهار نمونه ی بررسی شده چند لایه ای های ni/cu و ni/au بر روی زیرلایه ی سیلیسیوم با راستای ترجیحی (100) و تک لایه های ni بر روی ورقه ی نازک cu و al بر روی زیر لایه ی شیشه می باشد. نمونه ها ابتدا با دستگاه پراش اشعه ی ایکس بررسی شده اند و سپس با استفاده از دستگاه چهار سوزنه ی مربعی خواص الکتریکی آنها بررسی شده است. ضخامت تک لایه ی ni بر روی ورقه ی مس برابر 43 نانومتر و لایه+ al بر روی شیشه 58 نانومتر بوده و برای چند لایه ای ni/cu ضخامت لایه های نیکل و مس به ترتیب برابر 75، 15،75، 15و 75 نانومتر، و برای چند لایه ای ni/au ضخامت نیکل و طلا به ترتیب 35، 8، 35، 8 و 35 نانومتر اندازه گیری شده است. ارتباط میان خواص ساختاری لایه ها و خواص الکتریکی آنها بررسی شده است. در این بررسی وابستگی مقاومت الکتریکی لایه ها با اندازه اجزاء بلوری آنها به خوبی نشان داده شده است. همچنین تاثیر میزان بلوری بودن ساختار لایه ها به خوبی دیده می شود. مقاومت الکتریکی چند لایه ای ni/cu و ni/au بررسی شده است که مقاومت بسیار کم برای چند لایه ای با لایه ی جدا کننده ی طلا دیده شده است. در تک لایه ی al بر روی شیشه خواص الکتریکی در دماهای بازپخت نشان دهنده ی کاهش مقاومت الکتریکی است که ارتباط آن با اندازه ی بلورک ها و ساختار بلوری لایه ها توضیح داده شده است.

بدلیل کاربردهای فراوان لایه نازک نقره در صنایع مختلف و بویژه پزشکی، مطالعه ی این ماده اهمیت فراوانی یافته است. با توجه به اینکه تنش باقیمانده، ناشی از فرایند انباشت لایه های نازک عاملی مهم در تعیین کارایی و نارسایی بسیاری از مواد می باشد، پرداختن به این ماده و بررسی تنش، امری اجتناب ناپذیر است. در این پایان نامه ساختار و خواص مکانیکی لایه نازک نقره که بر زیرلایه شیشه لایه نشانی شده، مورد مطالعه قرار گرفته است. در فصل اول، فرایند رشد لایه های نازک، مشخصات نقره و کاربردهای آن، تعاریفی در زمینه ی خواص مکانیکی و مروری بر تحقیقات گذشته آمده است. در فصل دوم و سوم روش های لایه نشانی و دستگاه های بکار گرفته شده در این تحقیق معرفی شده اند و در فصل بعدی به تجزیه و تحلیل نتایج و داده های تجربی پرداخته ایم. با استفاده از روش کندوپاش مگنترون، ذرات نقره بر روی زیرلایه شیشه انباشت شده و لایه هایی با ضخامت های 10، 20،40 ، 80 و100 نانومتر تهیه شده است. خواص لایه نازک نقره با استفاده از دستگاه ht-xrd در دمای اتاق و دماهای مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. تنش پسماند برای نمونه در ضخامت های مختلف با استفاده از روش پراش اشعه ایکس اندازه گیری و نمودار آن رسم شده است. تنش برای نمونه با ضخامت 80 نانومتر و در دو حالت قبل و بعد از حرارت نمونه با روش مذکور اندازه گیری و با هم مقایسه شده اند. نتایج حاصل نشان می دهند که تنش در نمونه حرارت داده شده بطور قابل توجهی کاهش یافته است.

در پایان نامه اخیر، هدف اصلی سنتز دسته جدیدی از لیگاندهای باز حلقه و بزرگ حلقه با اتم های دهنده s, n, o و کمپلکس های فلزی آن ها است. پایان نامه در سه بخش مجزا تنظیم شده است. در بخش اول لیگاند n,n- اتیلن بیس(3-فرمیل-5-متیل سالیسیل آلدیمین)h2l)) و لیگاند کمپلکس های (m=cuii, znii, niii) ml با پایه فنولی سنتز و توسط روش هایuv-vis , nmr, ir (برای لیگاند کمپلکس znl) مورد شناسایی قرار گرفتند. در بخش دوم، ترکیب تری آزولی 4-آمینو-3-(4-پیریدیل)-5-مرکاپتو-4،2،1-تری آزول (آمین ai) و مشتقات دی آمینی آن (دی آمین aiii , aii و aiv) سنتز و با استفاده از nmr , ir و آنالیز عنصری (c.h.n.s) شناسایی شدند. در بخش سوم با استفاده از لیگاند کمپلکس ها و ترکیبات آمینی سنتز شده، کمپلکس های جدیدی از مس (ii) و روی(ii) سنتز شد که لیگاند آن ها حاوی پایه فنولی و گروه های تری آزولی می باشد. ترکیبات سنتز شده با تکنیک های طیف سنجی و آنالیزعنصری(c.h.n.s) شناسایی شدند. نتایج به دست آمده بیانگر تک هسته ای بودن کمپلکس مس بزرگ حلقه 18 عضوی (کمپلکس شماره ii) و دو هسته ای بودن کمپلکس بزرگ حلقه های 20 و 21 عضوی (به ترتیب کمپلکس های شماره iv , iii) می باشد. طیف های xrd و ht-xrd کمپلکس های مس نشان می دهد ساختار کمپلکس های شماره iiو iv بلوری و ساختار کمپلکس های i و iii بی شکل می باشد. هم چنین نتایج تجزیه حرارتی (dta-tg) کمپلکس های مس نشان می دهد پایداری حرارتی کمپلکس های بزرگ حلقه مس به صورت ii > iii > iv تغییر می کند. پایداری کمتر کمپلکس های دو هسته ای مس(کمپلکس های شماره iii و iv) در مقایسه با کمپلکس تک هسته ای ممکن است ناشی از افزایش تعداد اتم ها در حفره بزرگ حلقه و قرار گرفتن یک یون مس در بخش تری آزولی آن (با اتم های دهنده نرم گوگرد) باشد.