در این پروژه، ما قصد داریم خواص ترابرد الکتریکی یک سیم کوانتمی نیمه¬هادی متصل به دو الکترود فلزی نیم-بی¬نهایت ایده¬ال را در فرمول¬بندی کلدیش مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی بررسی کنیم. این فرمولبندی برای حالتی که در سیستم مورد نظر برهمکنش¬هایی مانند برهمکنش کولنی وجود داشته باشد به کار می¬رود. برای این کار، هامیلتونی سیستم را در مدل بستگی قوی نوشته و اثر برهم کنش کولنی و ولتاﮊ خارجی را برای الکترون¬های در درون سیم کوانتمی در نظرگرفته می¬گیریم. با محاسبات عددی بر روی چگالی جریان الکتریکی و توان نوفه¬ شلیکی خواص ترابرد الکتریکی سیم کوانتمی مورد نظر بررسی می¬شود. همچنین تاثیر ﭘارامترهای دیگری مانند طول سیم، شدت انرژی¬های اتصالات به کاررفته در ساختار مطالعه می¬شود. نتایج عددی این پایان نامه ممکن است برای طراحی ادوات الکترونیکی در مقیاس نانو مفید باشد.