عنوان اصلی این پایان نامه برهمکنش میدانهای قوی لیزر با نانوتیوبهای کربنی و تولید هارمونیکهای مرتبه بالا است. در این کار حرکت غیرخطی الکترون های ? در نانوتیوبهای کربنی تک دیواره تحت تابش میدان های قوی مورد بررسی قرار گرفته و طیف فوریه چگالی جریان محوری تجزیه و تحلیل شده است. یک روش غیر اختلالی به کار برده شده و پاسخ غیرخطی نانوتیوبهای کربنی فلزی با استفاده از تقریب تک الکترون مطالعه شده است. در این روش معادلات جنبشی–کوانتمی برای الکترونهای ? نانوتیوبهای تک دیواره با درنظر گرفتن گذارهای اینترباند و اینتراباند بصورت عددی حل می شوند. اثر تغییر شدت میدان لیزر روی چگالی جریان القا شده و طیف هارمونیکهای مرتبه بالا تحقیق شده است. همچنین اثر میدان مغناطیسی ثابت خارجی روی طیف هارمونیکهای تابش شده مطالعه شده است. بعبارت دیگر، نانوتیوبهای کربنی تحت تابش میدان قوی لیزر و میدان مغناطیسی ثابت خارجی قرار گرفته و نتایج بدست آمده با هم مقایسه شده اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که طیف هارمونیکهای تابش شده حساس به شدت میدان مغناطیسی و قطبش میدان الکتریکی اعمال شده است. بنابراین، باعث گسترش ناحیه ی فرکانسی هموار به هارمونیکهای بالا می شود. یکی از نتایج جالب بدست آمده در این کار پایان نامه آنست که نانوتیوبهای کربنی می توانند نمونه های خوبی برای تولید پالسهای همدوس فوق العاده کوتاه حتی در ناحیه اشعه x باشند .همچنین نتایج بدست آمده نشان می دهد که نانوتیوبهای کربنی مواد خوبی برای اپتیک غیرخطی در مقیاس نانو هستند و این یافته ها می توانند در مطالعه دینامیک حرکت الکترون در نانوتیوبها و طراحی ابزار جدیدی در حوزه نانواپتیک و الکترونیک مفید باشند.

چکیده دستیابی به انرژی های بالا، همواره یکی از آرزوهای دانشمندان در حوزه های مختلف از جمله فیزیک، شیمی، پزشکی، کشاورزی و ... می باشد. این انرژی ها در شناخت و بررسی جهان ریز مثل سیستم های اتمی و جهان بزرگ مثل کهکشان ها کمک می کند. از جمله وسایلی که رسیدن به این هدف را میسر می کند، شتابدهنده های ذرات است. در پایان نام? حاضر، پس از معرفی انواع شتابدهنده و سازوکار شتابدهنده های لیزری جدید، توصیفی از باریک? لیزر ارائه خواهد شد. در بخش اصلی کار، شتابدهی الکترون بوسیل? برهم نهی دو مد hg10 و hg01 باریک? لیزری هرمیت گوسی، با قطبش دلخواه در خلاء به صورت عددی و تحلیلی مورد بررسی قرار می گیرد. تاثیر پارامترهای مختلف الکترون ولیزر در فرایند شتابدهی بررسی می شود. تاثیر پارامترهای مکان اولیه وانرژی اولی? الکترون، کمر باریکه و شدت لیزر در میزان شتابدهی سنجیده می شود. همچنین در مورد نیروی وارد بر الکترون و پایداری الکترون در مسیر شتابدهی، و مجرای شتابدهی در هر یک از دو مد hg10 و hg01 و ترکیب آن ها توضیح می دهیم. بصورت عددی نشان داده می شود که با استفاده از لیزرهای پرشدت امروزی، می توان الکترون ها را تا انرژی های در حد 3 گیگا الکترون ولت شتاب داد، که با انرژی های بدست آمده در شتابدهنده های بزرگ قابل مقایسه است.

در این رساله ابتدا پراکندگی نور از نانو تیوبهای تک جداره را بررسی می کنیم سپس تئوری به کار برده را برای نانو تیوبهای دو جداره تعمیم می دهیم و فرمولهای صریحی برای سطح مقطع پراکندگی از نانو شلهای فلزی ارائه خواهیم داد در این بررسی فرض کرده ایم قطر دیواره های نانو تیوبها کوچکتر از طول موج تابشی است در آنالیز انجام داده شده ضخامت کوچکتر از طول موج است( )پس می توان از تقریب شبه استاتیک استفاده کنیم محاسبات عددی نشان می دهد هم شدت و هم مکان پیک پراکندگی وابستگی حساس به ضخامت لایه ها و فاصله دیوارهها دارد برای یک ضخامت معین کاهش دادن فاصله دیواره ها یا گاف منجر به افزایش پیک پراکندگی و همچنین جا به جا شدن محل پیک به سمت طول موج آبی می شود هم شدت پراکندگی و هم مکان و موقیعت پیک هر دو بستگی به فاصله بین دیواره ها دارد تشدید در سطح پلاسما یا sprرا می توان با تغییر شعاع هسته به شعاع کل کنترل نمود و همچنین محاسبات تئوری نشان می دهند پراکندگی در ناحیه نور مرئی صورت میگیرد.

در کار حاضر، تلاش کردیم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را مطالعه کنیم که این مهم با مطالعه ی رفتار حامل ها در نانولوله زیگزاگ (به عنوان مجرای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی) صورت گرفته است. هدف اصلی، محاسبه ی جریان حامل ها در نانولوله ی کربنی زیگزاگ بوده تا دریابیم که آیا این نوع نانولوله های کربنی می تواند به عنوان یک مجرای مناسب در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی آتی به کار روند یا خیر. در این راستا ابتدا سطوح انرژی گرافیت و نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار گرفته است. سپس به حاسبه شاخه های فونونی گرافیت و نانولوله های کربنی پرداخته شده است. در ادامه با قرار دادن نانولوله کربنی زیگزاگ در یک ترانزیستور اثر میدانی به عنوان مجرا(کانال) نرخ پراکندگی کل و تابع توزیع ناترازمند را برای این حالت به دست آورده ایم. با استفاده از تابع توزیع ناترازمند، جریان های تعادلی برای الکترون ها و حفره ها را در نانولوله ی مزبور به دست آورده ایم و در نهایت مقاومت های نانولوله های کربنی زیگزاگ را در برابر جریان الکترون ها و حفره ها محاسبه نموده ایم. آمده بر اساس پدیده ی پراکندگی و تابع توزیع حامل ها، دلالت بر این دارند که نوع زیگزاگ این قابلیت را دارد.

افزایش تعداد ترانزیستور های به کار رفته در ریزپردازنده ها، باعث شده که گیت دی الکتریک دی اکسیدسیلیکون برخلاف کوچک شدن از 100 نانومتر به 2/1نانومتر نمی تواند نیاز آینده ترانزیستورها را برآورده کند. بنابراین یک جایگزین مناسب که دارای ثابت دی الکتریک بالا بوده و مشکلات دی اکسید سیلیکون مانند افزایش جریان نشتی، جریان تونل زنی و نفوذ بور را نداشته باشد لازم و ضروری است. تیتانیا یا دی اکسید تیتانیوم به علت فراوانی و دارا بودن ثابت دی الکتریک بالا می تواند جایگزین مناسبی برای باشد. در این پایان نامه نانوذرات دی اکسید تیتانیوم که با روش سل – ژل سنتز شده است، ساختار و رفتار آن در دماهای بازپخت مختلف با روش های sem و xrd بررسی می شود.

نام خانوادگی :رحیمی مقدم نام: فرشته عنوان پایان نامه: مطالعه تئوری پاسخهای اپتیکی غیر خطی مرتبه بالا در نانوساختارها استاد راهنما: دکترعلی بهاری درجه تحصیلی: کارشناسی ارشد رشته: فیزیک گرایش: اتمی مولکولی استاد مشاور: محل تحصیل(دانشگاه): دانشگاه لرستان دانشکده: علوم پایه گروه آموزشی:فیزیک تاریخ فارغ التحصیلی: 27/10/89 تعداد صفحه:109 چکیده: ویژگیهای اپتیکی مواد کم بعد نظیر نقاط کوانتومی و کوانتوم سیم ها مورد توجه بسیار قرار هستند. پذیرفتاری غیرخطی این مواد نه تنها بصورت گسترده ای افزایش می یابد، بلکه با دستکاری در مرحله سنتز نیز می توان آن را تغییر داد. هدف اولیه از این پایان نامه محاسبه پذیرفتاری مرتبه سوم همراه با انتقالات زیر باندی در باند رسانش نقطه ی کوانتومی چاه کوانتومی کادمیوم سلناید/سولفید روی/کادمیوم سلناید (دولایه) و کادمیوم سلناید/سولفید روی/کادمیوم سلناید/سولفید روی(چند لایه) بود. این اثر براساس تقریب جرم موثر و از طریق حل معادله شرودینگر سه بعدی مورد مطالعه قرار داده شد. در این پایان نامه اثرات مختلف شامل اثر الکترواپتیکی مرتبه دوم، تولید هارمونیک مرتبه سوم و ترکیب چهار موج تبهگن در ساختارهای مورد مطالعه بررسی شد. تمامی این اثرات به شدت به پارامترهایی نظیر اندازه ساختار، زمان واهلش و انرژی فوتون پمپ شده وابسته است. باتغییر ضخامت لایه می توان این ساختارها را برای داشتن پذیرفتاری با قله-ای در ناحیه مرئی تا مادون قرمز طراحی کرد.شدت و موقعیت قله پذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم به ضخامت های پوسته وابسته است. ضخامت های کوچکتر قله پذیرفتاری در طول موج های کوتاه تر دارند.به علت اثر اندازه کوانتومی، نقاط کوانتومی بزرگتر غیرخطی سازی نوری بزرگتری دارند و قله رزونانس آن-ها به سمت طول موج های بلندتر جابه جا می شود. همچنین افزایش زمان واهلش نیز می تواند باعث افزایش غیرخطی سازی نوری شود. نتایج این مطالعه تئوری در طراحی وسایل اپتیکی بسیار با اهمیت است.

با استفاده از روش سل ژل و بررسی xrdنتایج زیر بدست آمد: ? از این مقایسه و مقایسه نمونه های سری ششم و هفتم و دهم، نتیجه می گیریم که اگرچه وجود اتانول در نمونه هنگام بازپخت شدت را افزایش داده که بیانگر بلوری شدن بیشتراست اما باعث افزایش اندازه ذره شده است که مطلوب ما نیست. درمورد استن و آب نظر قطعی نمی توان داد چون نمونه های دیگری از این دست نداریم. ? زمان خشک کردن نمونه سری اول بیشتر بقیه بود. طیف ها نشان می دهد که این نمونه ها بیشتر از بقیه بلوری شده اند. نتیجه این که اگر بخواهیم بلوری شدن کامل تر باشد باید زمان خشک کردن را طولانی کنیم، یا آن که هنگام باز پخت از اتانول استفاده نماییم. ? ملاحظه می شود که افزایش مقدار teos که پیش ماده sio2 است اندازه ذرات را کاهش می دهد. ? مشاهده می کنیم که هرچه ph کم ترمی شود اندازه نیز کاهش می یابد. هرچند این قاعده در نمونه 1-5 رعایت نشده است، احتمال براین است که به علت باشد که چون ph این محلول بعد از ترکیب 7/3 بوده و بعداً پس از اضافه کردن اسید به 2/1 رسیده نسبت به محلول 1-7 که از ابتدای ترکیب اسید استفاده شده، این تفاوت به وجود آمده است. ? در نمونه های شماره 0-8 و 0-9 ترتیب ترکیب مواد اولیه را تغییر داده ایم یعنی بجای آن که نیترات نیکل را با آب مخلوط کنیم و بعد با مخلوط دیگر ترکیب نماییم همه ی مواد بجز نیترات نیکل را مخلوط کردیم و بعد آن را به مخلوط اضافه کردیم و در نمونه دیگر ph را هم تغییر داده ایم اما در هیچ نمونه ای ساختار بلوری مشاهده نمی شود.

عبارتی تحلیلی برای قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی خطی نانولوله های کربنی تک دیواره ی زیگزیگ برحسب تابعی از انرژی بدون بعد فوتون بدست آورده شده است.محاسبات عددی نشان می دهد که شدت و موقعیت پیک های پذیرفتاری اپتیکی وابسته به ثابت پهن شدگی و تکانه ی زاویه ای در امتداد جهت سمتی است. کاهش ثابت پهن شدگی منجر به افزایش موقعیت پیک های تشدید در قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی می شودو با افزایش تکانه ی زاویه ای کوانتیده موقعیت پیک های قسمت حقیقی و موهومی پذیرفتاری اپتیکی شیفت پیدا می کند. همچنین عبارتی تحلیلی برای مولفه ی y عناصر ماتریسی دو قطبی میان انتقال نوارهای ظرفیت و رسانش برای نانولوله های کربنی تک دیواره ی زیگزاگ بدست آورده شده است و بااستفاده از عناصر ماتریسی ثابت جذب برای نانولوله های تک دیواره ی زیگزاگ بر حسب تابعی از انرژی بدون بعد فوتون بدست آورده شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که ثابت جذب اپتیکی نانولوله های تک دیواره ی زیگزاگ وابسته به قطر نانولوله ها و تکانه ی زاویه ای است. افزایش قطر نانولوله منجر به افزایش پیک های تشدید جذب اپتیکی نانولوله ها می شود. خمچنین با افزایش تکانه ی زاویه ای مکان پیک های ثابت جذب شیفت می یابد.

تکنولوژی پردازش سطح توسط پلاسما، به عنوان راه حلی نوین و موثر برای اصلاح ویژگی های سطحی مواد در صنایع گوناگون شناخته شده است. در میان انواع پلاسما، پلاسمای اتمسفری غیر حرارتی به دلیل مزایای فراوان آن مانند دمای پایین و فعالیت شیمیایی بالا، مورد توجه قرار گرفته است. یکی از چشمه های پلاسمای اتمسفری، شعله پلاسمای سرد می باشد که بر مبنای تخلیه سد دی الکتریک عمل می کند. پروژه حاضر به طور کلی شامل دو بخش اصلی می گردد، ساخت منبع شعله سرد پلاسما و سپس به کار گیری آن در پردازش سطحی مواد. بر این اساس، برای تولید شعله پلاسمای سرد اتمسفری به طراحی و ساخت دو نوع ساختار متفاوت، با سیستم های میدان طولی و میدان عرضی پرداختیم. شعله پلاسمای آرگون و ترکیب آن با گازهای اکسیژن و نیتروژن تولید شده، توسط منبع ولتاژ بالای سینوسی acدر فرکانس khz 6/18 و ولتاژkv 15، بر روی دو سطح پلیمری پی وی سی (pvc) و لاستیک سیلیکونی (sr) اثر داده شد. پس از پردازش، میزان تغییر در برخی از ویژگی های مهم سطحی نظیر انرژی سطح، رطوبت پذیری و آب دوستی سطح مورد مطالعه قرار گرفت. آنالیز ساختار شیمیایی سطح به وسیله ی اسپکتروسکوپی مادون قرمز تبدیل فوریه (ftir) انجام شد. همچنین برای تحلیل و شناسایی گونه های واکنش پذیر موجود در شعله پلاسما، اسپکتروسکوپی گسیل نوری (oes) انجام گرفت. به منظور تعیین انرژی سطح از روش اندازه گیری زاویه تماس و شیوه ی اونز-وند برمینای جداسازی انرژی سطح کل به مولفه های قطبی و غیر قطبی (پراکندگی) استفاده نمودیم. نتایج به دست آمده از اندازه گیری های زاویه تماس و انرژی سطح نشان می دهند که آب دوستی و رطوبت پذیری نمونه های پردازش شده افزایش یافته است. افزایش انرژی سطح ناشی از افزایش بخش قطبی انرژی سطح بوده که به دلیل جذب گروه های قطبی بر سطح نمونه ها است. این امر در نتایج به دست آمده از اسپکتروسکوپی ftir با افزایش جذب گروه هایی نظیر c?h و c=o تایید شد. در طیف سنجی گسیل نوری نیز وجود گونه های واکنش پذیر اتمی، مولکولی خنثی و برانگیخته اکسیژن و نیتروژن و رادیکال های هیدروکسیل (oh) در شعله پلاسمای آرگون و آرگون/نیتروژن تشخیص داده شد. وجود این گروه ها منجر به افزایش قطبش سطح شده و در فعالسازی شیمیایی سطح پلیمر ها نقش به سزایی ایفا کرده و به شدت موجب افزایش رطوبت پذیری و آب دوستی سطح می گردد.

کانی هایی نظیر مواد رسی دارای فازهای مختلف هستند که فاز مونت موریلونیتی بدلیل برخورداری از اندازه ی در حد نانومتری در کانون توجهات بسیاری از پژوهشگران است.در واقع، در میان ذرات معدنی، مواد مونت موریلونیتی علاوه بر ابعاد نانومتری، از ویژگی مطلوب در برهم آمیختگی باپلیمر نیز برخوردار می باشند[4-1]. لایه های این مواد معدنی در داخل شبکه ی پلیمری به دو صورت بین لایه ای و پوسته ای پخش می شوند که بسته به مکانیسم های متفاوت توزیع لایه ها در میان مواد آلی و پلیمری،قادرند سبب بهبود ساختارهای سازه های مختلف ساختمانی، سدها و پل ها گردند [9-5]. برای این منظور با سنتز مونت موریلونیت سدیمی به روش سل- ژل و توزیع آن در مواد آلی متفاوت وبویژه اسیدهای چرب به مطالعه ی استحکام مکانیکی و دمایی ساختار مربوط می پردازیم.

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار رفته و خواص نانوساختاری آن به کمک تکنیک های پراش اشعه ایکس، طیف سنج تابش مادون قرمز تبدیل فوریه، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پاشندگی انرژی اشعه ایکس، تکنیک cv، میکروسکوپ نیروی اتمی و میکروسکوپ الکترونی عبوری مطالعه می گردد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که hfo2 می تواند به عنوان گیت دی الکتریک مناسبی برای ترانزیستور های فلز-اکسید-نیمه رسانای عایق (cmis) باشد.

. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است. نتایج بررسی ها نشان می دهد که جریان الکتریکی به خواص ساختاری نانو لوله و خواص الکتریکی مواد به کار رفته در cntfetوابسته است . می خواهیم بررسی کنیم که آیا در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال می شود می توان از نانو لوله ها به عنوان یک جایگزین مناسب استفاده کرد.

چکیده در این کار می خواهیم به موضوع خاک رس نوع مونت موریلونیت سدیم (na-mmt) بپردازیم. برای تولید بهینه خاک های آلی- دوست با ساختار درون لایه ای به کمک واکنش با نمک های سدیم استئاریک اسید ch3(ch2)16coonaو پالمتیک اسید ch3(ch2)14coona،اصلاح شدند و همچنین تاثیر teosرا در اصلاح نمونه های رس مونت موریلونیت سدیم مورد مطالعه قرار دادیم. نتایج تحلیل پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ نیروی اتمی(afm)، میکروسکوپ الکترونی رویشی(sem) و طیف سنج تبدیل فوریه مادون قرمز(ftir) نشان می دهد که فاصله درون لایه ای مونت موریلونیت سدیم در خاک رس- آلی که حاوی 393 میلی مولار استئاریک اسید، 787 میلی مولار استئاریک اسید، 540 میلی مولار پالمتیک اسید و 1080 میلی مولار پالمتیک اسید بوده اند، جابه جایی فازی داشته است. جداسازی اسیدهای استئاریک، پالمتیک وteos درنمونه های خاک های رس آلی و تغییرات ساختاری پایدار در آن به ویژگی آلی نانو رس منجر شدند. نتایج کار نشان می دهد که استئاریک اسید، پالمتیک اسید و teos از طریق فاصله های درونی لایه ای به خوبی پراکنده، جداسازی و به خوبی جذب سطح خاک رس شدند. اصلاح ماده ای آلی پیشنهاده شده مونت موریلونیت سدیم در کار حاضر امکان آب گریزی و استحکام بیشتر آن را میسر می سازد.

نقاط کوانتومی چاه های کوانتومی یک ساختار در مقیاس نانو هستند که شامل یک یا چند ماده نیمه-رسانا می باشند که حرکت حامل های بار در آن در تمام ابعاد فضایی محدود شده است. رفتار اپتیکی و الکترونیکی نقاط کوانتومی به طور واضح شبیه به اتم ها است، اما بر خلاف اتم ها ویژگی های آنها را می توان از طریق دست کاری در مرحله سنتز کنترل کرد و به همین علت آنها را اتم های مصنوعی می-نامند. در مطالعات گذشته، دقت قابل توجه به کوانتوم دات های کروی می شد، اخیراً نویسندگان خواص الکترونیکی و اپتیکی در کوانتوم دات های استوانه ای را مورد بررسی قرار داده اند. در نقاط کوانتومی استوانه ای این امکان وجود دارد که طیف انرژی با دو پارامتر هندسی شعاع مقطع عرضی و ارتفاع استوانه کنترل شود. این واضح است که این مزیت امکان بیشتر برای تحقیق خواص اپتیکی از نانو ساختارها را فراهم می آورد. برخی از توجه ها روی اپتیک غیرخطی مرتبه سوم متمرکز شده است. خواص اپتیک غیرخطی در مواد با بعد پایین امکان بالقوه برای کاربرد در تقویت کننده های لیزر، آشکارسازهای نوری و غیره را دارد. هدف از این پایان نامه، بررسی نقطه کوانتومی چاه کوانتومی استوانه ای با ساختارهای دو لایه ای zns/cdse/zns و سه لایه ای zns/cdse/zns/cdse است. پذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم مربوط به انتقالات درون زیر باندی یک تک الکترون برای اثرالکترو-اپتیکی درجه دوم وتولید هارمونیک سوم به صورت تئوری محاسبه می شود. بزرگی پذیرفتاری به پارامترهایی مانند اندازه ساختار، زمان واهلش و انرژی فوتون پمپ شده وابسته است. هنگامی که پهنای چاه افزایش می یابد، پیک ها به صورت توابعی از انرژی انتقال به قرمز دارند و شدت پیک ها افزایش می یابد و مقادیر انرژی کاهش می یابند. امکان کنترل روی اندازه کریستال با ساختار سه لایه ای نشان می دهد که این ساختار در مقایسه با ساختار دو لایه ای، شدت بالاتر پیک پذیرفتاری را در طول موج بلندتر دارد که این با تغییر ضخامت سومین پوسته به دست می آید. بنابر این، مزیت اصلی در به کار بردن نقاط کوانتومی چاه های کوانتومی بخاطر امکان کنترل بالای اندازه کریستال تولید شده است. نتایج این کار نظری می تواند درساخت وسایل جدید الکترونیکی-اپتیکی نظیر ترانزیستورها، سلول های خورشیدی، لیزرهای دیودی و سنسورهای بیولوژیکی بسیار سودمند باشد.

برخی نتایج از قبیل تونل زنی، جریان نشتی و نفوذ اتم از میان گیت دی الکتریک فیلم فرا نازک sio2 را بعنوان یک دی الکتریک خوب برای صنعت آینده و وسایل الکترونیکی در تکنولوژی سرامیک تهدید می کند . یک سری از آزمایشات سنتز اکسید هافنیوم در دمای پایین به روش سل-ژل انجام شد. ویژگی های نانو ساختاری اکسید هافنیوم با اندازه بلورک 5 تا 40 نانومتر بررسی شد.نتایج بدست آمده نشان داد که پتانسیل اکسید هافنیوم نه تنها برای کاستن غلظت سطح مشترک، بلکه به عنوان یک دی الکتریک خوب برای آینده نانو الکترونیک است. این ساختارها با استفاده از تکنیک xrd وafm وهمچنین روش x- powder مورد مطالعه قرار گرفته است .

نانوذرات ceo2به دلیل شفافیت اپتیکی بالای آنها در ناحیه ی مرئی و قابلیت جذب در ناحیه ی فرابنفش(uv)،به عنوان ماده ی محافظ uvاستفاده می شوند و این خاصیت به دلیل اثرات زیانبار امواج uvنور خورشید روی پوست انسان بسیار مورد توجه می باشد. در این پروژه نانوذرات ceo2-sio2به روش مایسل معکوس سنتز شده است. به این منظور از پیش ماده های سریوم نیترات 6 آبه(cen3o9.6h2o)و تترا اتیل اورتوسیلیکات(c8h20o4si)وازigepal-co520به عنوان سورفکتانت استفاده گردید.در این تحقیق نانوذرات sio2، نانوذرات ceo2و نانوذرات ceo2-sio2سنتز شده وخواص اپتیکی، تغییرات اندازه ی نانوذرات و مورفولوژی آن ها تحت شرایط متفاوت فیزیکی و شیمیایی مطالعه گردیده است. دمای کلسینه، نسبت های مولی sio2به ceo2و phمحیط واکنش، فاکتورهای بررسی شده در این پروژه می باشند. به منظور تجزیه و تحلیل نانوذرات تولید شده از دستگاه پراش پرتو ایکس (xrd)،میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)و میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem)بهره برده و نیز برای مطالعه ی خواص اپتیکی نانوذرات از دستگاه اسپکتروفتومتر uv-visاستفاده گردید.نتایج نشان می-دهد که افزایش دمای کلسینه، کاهش نسبت مولی sio2به ceo2و افزایش مقدارphاز طریق کاهش میزان عبور پرتوهای مضر فرابنفش و افزایش میزان جذب آن ها باعث بهبود خواص اپتیکی می گردند.

پذیرفتاری مرتبه سوم همراه با انتقالات زیر باندی در باند رسانش نقطه ی کوانتومی چاه کوانتومی سولفید روی/ کادمیوم سلناید / سولفید روی در اثر ترکیب چهار موج تبهگن مورد بررسی قرار گرفته شده است. گذردهی غیرخطی ناشی از چهار موج تبهگن به پارامترهای نظیر اندازه ساختار، زمان واهلش و انرژی فوتون پمپ شده وابسته است. شدت و موقعیت قله پذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم به ضخامت پوسته بستگی دارد. قله های پذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم در طول موج های کوتاهتر دارای ضخامت کوچکتر می باشند، همچنین به علت اثر اندازه کوانتومی، در نقاط کوانتومی بزرگتر قله تشدید به سمت طول موج های بلندتر جابجا می شود. همچنین با افزایش زمان واهلش پاسخ غیرخطی محیط بزرگتر خواهد بود.

نانو پوسته ها یک گروه ویژه از مواد نانو مرکب می باشند. نانو پوسته ها که از پوشش های نازک به دور هسته هایی از مواد مختلف تشکیل شده اند مورد توجه فراوانی قرار گرفته اند. این مواد، خواص متفاوتی را از همتاهای تک جزیی خود نشان می دهند. با تغییر نسبت هسته به پوسته، به راحتی خواص نانو پوسته ها می تواند تغییر کند. نانو پوسته ها با ویژگی های مانند افزایش پایداری، خواص مغناطیسی، نوری، و ویژگی های کاتالیزوری، تولید می شوند. هدف اصلی در این پایان نامه برهم کنش امواج الکترمغناطیس با نانو پوسته های دو دیواره است که به طور تئوری بررسی شده است. نتایج عددی نشان می دهد که روابط پاشندگی مد he در نانو پوسته های دو دیواره، به ازای هر m همواره دو مد وجود دارد. محاسبات نشان داد که روابط پاشندگی به فاصله پوسته ها و مد زاویه ایm بستگی دارد و برای بردار موج های کوچک متناسب با فرکانس های پایین، انرژی پلاسمون با q متناسب است و با افزایش بردار موج، فرکانس پلاسمون به سمت فرکانس پلاسمون سطحی که مقدارش برابر با1/?2 می باشد، نزدیک می شود.

امروزه ابعاد قطعات و تراشه های الکترونیکی وارد حوزه نانو مقیاس شده است. ترانزیستورهای فیلم نازک با مواد آلی (otft) با گیت دی الکتریک بسیار نازک هیبریدی مواد آلی و معدنی درکار حاضر دارای خواص الکتریکی خوب از جمله ثابت دی الکتریک بالا و چگالی جریان نشتی کم در ضخامت کمتر از 40 نانومتر هستند.پژوهشگران دریافتند که گیت های دی الکتریک پلیمر، دارای ثابت دی الکتریک پایین وچگالی جریان نشتی عبوری بالاهستند و قابلیت های لازم را برای تراشه های الکترونیکی دارا نیستند.تلاش نمودیم تا با سنتز کامپوزیت ماده آلی وغیرآلی به روش سل –ژل ماده ای با ساختار مناسب تهیه نماییم. این مواد نانو کامپوزیتی ترکیبی ازماده آلی پلی استایرن ولانتانیم اکسید هستند.ویژگی نانو ساختاری والکتریکی این نمونه ها به کمک تکنیک های پراش پرتو ایکس(xrd) ، edx، x-powderو sem مورد مطالعه قرار گرفتند.نتایج بدست آمده نشان می دهندکه نمونه ها بدلیل ویژگی های ساختاری که دارند می توانند به عنوان یک ماده ی عایق کاهنده جریان های مزاحم نشتی در قطعات انعطافی آتی الکترونیکی به کار آیند وآمورف بودن ساختار مورد مطالعه و بالابودن ثابت دی الکتریک نانو کامپوزیت پلی استایرن ولانتانیم اکسید می تواند آن را به عنوان یک جزء عالی نانوتراشه های الکترونیکی بسازد.

پژوهشگران بسیاری در خصوص نانو بلورک های نیکلی و اکسید نیکلی کار کرده اند که دلیل انتخاب آن به کاربردهای آن ها در قطعه های الکتریکی، خازن ها، حسگرها، مواد مغناطیسی، کامپوزیت ها، کاتالیزور ها و تهیه ی فلز مناسب بر می گردد. در کار حاضر تلاشی شده است تا به کمک روش ساده ی سل – ژل که یک روش از پایین به بالا است و حتی در دمای اتاق قابلیت به کارگیری دارد نانو ذره های نیکلی و اکسید نیکلی را سنتز کنیم. در این فرآیند سنتز، مولاریته و دما تغییر می کنند. از مواد نیکل دار نظیر مواد نیترات نیکل شش آبه استفاده می شود. البته روش های بسیار دیگری نظیر شیمی تر(wet- chemistry) ، لایه نشانی بخار شیمیایی (chemical vapor depositing) cvd– لایه نشانی بخار فیزیکی (physical vapor deposition)pvd کندوپاش یونی (ion sputtering) ، آنالیز گرمایی (pyrolysis) و شعله ای (flame) به وسیله ی پژوهشگران بسیاری مورد استفاده قرار گرفته است که هر یک عیب ها و برتری های مربوط به خودشان را دارند نیکل- اکسید سیلسیم در دهه ی اخیر به طور وسیعی در سنتز و تولید نانو ماده های کربنی استفاده می شود. نیکل یا نانو ذره های اکسید نیکل به عنوان کاتالیزور عمده در مرحله های ایجاد بخار متان در صنعت های تولید هیدروژن دخالت دارد. از ترکیب مولیبدن- نیکل برای حذف گوگرد در هیدروتریتینگ کاتالیزوری استفاده می شود، از این رو با آب زدایی ساختاری و سطحی و تجزیه ی پیش ماده ها و به کمک xrd،sem/afm، ft-ir و bet داده ها و تصویرهایی از سنتز سل- ژل ماده ها گرفتیم و به کمک روش x-powder اندازه ی نانو ذره ها را تعیین کردیم.

در سال های اخیر سنتز نانو مواد هیبریدی آلی-معدنی به طور چشم گیری مورد مطالعه قرار گرفته اند. این مواد قابلیت لازم را در ممانعت از جریان نشتی و تونلی در محفظه های فراخلأ، گیت های حسگرهای الکتروشیمیایی دارویی و تراشه های الکترونیکی دارند علاوه بر آن مواد دی الکتریک هیبریدی می-توانند به عنوان یک سد دی الکتریک کنترلی در قطعات نانو ترانزیستورها و حافظه های ذخیره کننده رایانه ای و تلفن همراه نیز استفاده شوند. در این پژوهش، نانو موادهای هیبریدی آلی-لانتانیا (la2o3) تزریق شده ی آلی آنتراسنی با فرایند سل-ژل تهیه شده اند. ویژگی های نانوساختاری نمونه با استفاده از تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه ftir)) و توزیع انرژی ایکس (edx) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) مورد مطالعه قرار گرفته اند. از روش x-powder برای بررسی داده های xrd استفاده شده است. نتایج به دست آمده نشان داده است که دما کلسینگی و غلظت ماده ی آلی، نقش اصلی را در بهینه سازی ساختاری و فازی نمونه های هیبریدی دارد. دمای مناسب سنتز را می توان حدود 500 درجه سانتی گراد پیشنهاد داد.

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم، به وسیله عمل سل– ژل تهیه می شوند. محلول سل– ژل zrxla1-xoy با مقادیر %60 و x = %5, %20, %50 از اتم زیرکونیوم به منظور لایه نشانی کردن زیر لایه، سنتز می گردند. توصیف نانوبلورک ها به وسیله پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنج تابش مادون قرمز تبدیل فوریه (ftir)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem)، میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) ومیکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) صورت می پذیرد. توصیف خاصیت الکتریکی به وسیله اندازه گیری های ولتاژ- چرخه ای (c-v) انجام می گیرد. بررسی ها نشان می دهد که گیت دی الکتریک اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم با داشتن ثابت دی الکتریک و دمای بلوری بالا می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب معرفی شود.

پیشگویی مور، یک مقدار تخمینی از مقیاس گذاری است که به پیشگویی کام بخش تبدیل شده است که رشد نمایی صنعت نیمه رسانا و ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) را از چهار دهه پیش سبب شده است. هم سوی پیشگویی مور، توسعه-های آتی صنعت نیازمند نانو ترانزیستورهایی با گیت اکسید با ثابت دی الکتریک بالا و انرژی گاف نواری بزرگ تر برای جایگزین کردن اکسید سیلیکون است. در کار حاضر، ما یک سری از آزمایش ها را برای سنتز la2o3 با عمل سل- ژل شرح می دهیم و همچنین خواص نانو ساختاری آن را برای یافتن یک گیت دی الکتریک خوب، با تکنیک های پراش پرتو x (xrd)، طیف سنج تابش مادون قرمز تبدیل فوریه (ftir)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، میکروسکوپ اسکن الکترونی (sem)، طیف پاشندگی پرتو ایکس (edx)، میکروسکوپ تراگسیل الکترونی (tem) و ولتاژ- چرخه ای (c-v) مطالعه و بررسی می کنیم. نتایج بدست آمده نشان می دهد که la2o3 با ساختار آمورف و ثابت دی الکتریک بالا می تواند برای جایگزینی sio2 در تولیدات آینده قطعات ترانزیستور معرفی شود.

در این پژوهش به مطالعه خواص نانوساختاری بلورک های نیکلی nio، nife2o4 و nio-sio2 با هدف بررسی کاربردهای کاتالیستی این نانومواد پرداخته ایم. تکنیک های xrd، ftir، sem، afm و bet در این راستا مورد استفاده قرار گرفتند. ویژگی های نانوساختاری، اندازه بلورک ها، کرنش شبکه بلوری، پیوندهای شیمیایی، ریخت شناسی سطح ، مساحت سطح ویژه و میزان جذب نانوذرات، تحت تأثیر عوامل ph، دما، پیش ماده، روش سنتز و حضور ناخالصی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفتند. نتایج کار حاضر نشان می دهند که حضور ناخالصی های fe2o4 و sio2 در سنتز nio نقش بسزایی در بهبود خواص فیزیکی و شیمیایی نانوذرات اکسید نیکل ایفا می کنند به طوری که مساحت سطح ویژه و میزان جذب نانوذرات با حضور ناخالصی fe2o4 بیش از 35 برابر و با حضور ناخالصی sio2- به دلیل حفره ها حاصل از ماتریس سیلیکا- بیش از 96 برابر نسبت به مساحت سطح ویژه و میزان جذب نانوذرات اکسید نیکل خالص افزایش یافته است. با توجه به این یافته ها می توانیم نانوبلورک های نیکلی نانوکامپوزیت nio-sio2 سنتز شده در کار حاضر را به عنوان یک ماده کاتالیستی مناسب برای کاربرد در تولید نانولوله های کربنی و حسگرها معرفی نماییم.

پیوند دو نظریه فیزیک جدید یعنی مکانیک کوانتومی که فیزیک مقیاس های ریز را توصیف می کند و نسبیت عام که طبق آن، گرانش عامل انحنای فضا زمان است، نظریه گرانش کوانتومی را پدید می آورد؛ اما با وجود تلاش های بسیار زیادی که در ایجاد چنین نظریه ای شده است هنوز نظریه منسجمی از گرانش کوانتومی وجود ندارد. با توجه به این مسئله، سیاه چاله ها به عنوان یکی از بهترین کاندیداها برای مطالعه گرانش کوانتومی مورد توجه ما قرار می گیرند. ما یکی از مناسب ترین کاندیداهای موجود گرانش کوانتومی یعنی هندسه ناجابجایی (که در توافق با نظریه ریسمان است) را در نظر می گیریم. اثرات وارد کردن این هندسه جدید را با دو روش به نام های ناجابجایی حالت همدوس و مختصات ناجابجا در ترمودینامیک انواع سیاه چاله ها بررسی می کنیم و نشان می دهیم در نظر گرفتن چنین هندسه ای چگونه منجر به توصیف صحیح فاز نهایی تبخیر سیاه چاله و ایجاد راه حلی برای مسئله اطلاعات گمشده می گردد. علاوه بر این، حالت های کلی تری از تونل زنی پاریخ ـ ویلچک مانند تونل زنی ذرات جرم دار را مورد بررسی قرار می دهیم. سپس با در نظر گرفتن تونل زنی ذرات جرم دار در یک زمینه ناجابجا، فرمول بندی کاملی از ترمودینامیک سیاه چاله ها به دست می آوریم. نشان می دهیم که جرم دار در نظر گرفتن ذرات تابشی، باعث ایجاد همبستگی بین مدهای گسیلی می شود و ناجابجایی بودن هندسه، باقیمانده پایداری برای سیاه چاله پیش بینی می کند. در نتیجه با این رویکرد راه حل های مناسبی برای مسئله اطلاعات گمشده فراهم می گردد. با تعمیم این نظریات به سیاه چاله های باردار، برای اولین بار دمای اصلاح شده هاوکینگ را برای سیاه چاله رایسنر ـ نوردشتروم ناجابجا با روش تونل زنی ذرات جرم دار و باردار به دست می آوریم. همچنین اثر بار و اثر ناجابجایی را روی ترمودینامیک سیاه چاله ها بررسی می کنیم و ارتباط تنگاتنگی بین مفاهیم بار و ناجابجایی به دست می آوریم

برای رشد فیلم های فرانازک، عواملی مانند تونل زنی، جریان نشتی، نفوذ اتم های سبک از دیواره ی محفظه فرا خلأ، استحکام و مقاومت در محفظه ها را کاهش می دهد. از آن جایی که بیشتر نواقص مواد در لایه سطحی آن ها رخ می دهد که ریزساختارهای سطحی بر بدنه ظرف های فراخلأ می تواند بر ویژگی های نانوساختاری و ماندگاری آن تأثیر بگذارد. در همین راستا به تأثیر شرایط در سنتز سل- ژل نانوبلورک های نیکل بر آلیاژ فولاد زنگ نزن آستنیتیک می پردازیم. از تکنیک های پراش پرتو ایکس(xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) برای مطالعه و بررسی این نانو بلورها استفاده می شود. نتایج نشان می دهد حضور نانوبلورک های نیکل در این آلیاژها باعث حفظ ساختار ماده مزبور می شود و با افزودن نیکل جریان های نشتی کاهش یافته، استحکام فولاد تولید شده بیشتر می شود.

چکیده : اسطوره ها روایاتی هستند معمولاً مقدس ، درباره ی خدایان ، موجودات فوق بشری و وقایع شگفت آوری که در زمان های آغازین با کیفیاتی متفاوت از زمان عادی ما رخ داده و به خلق جهان و اداره ی آن انجامیده است یا در دوران های دور دست آینده ، رخ خواهد داد. بدین گونه زمان آغازین و زمان پسین دو عصر اساطیر ویژه اند .اسطوره ها آیینه هایی هستند که تصاویری را از ورای هزاره ها منعکس میکنند و فرهنگ آدمیان را از دور دست ها به زمان ما میآورند و افکار بلند و منطق گسترده ی مردمانی ناشناخته ولی اندیشمند، را به زبان نماد در دسترس ما میگذارند. خاورمیانه خاستگاه سه دین بزرگ یهود، مسیحیت واسلام بوده است وهم ازاین رو اساطیروآیین های این منطقه بویژه اساطیر کتاب مقدس (عهد عتیق) تأثیر بی نظیری بر فرهنگ و ادیان بعد از خود داشته است ومطالعه ی آن ها اهمیت بسیاری دارد. بررسی ریشه های تاریخی کتاب مقدس بویژه عهدعتیق وارتباط آنها با اساطیر و آیین های ایران ، بین النهرین،سوریه ، کنعان ، آسیای صغیر ، مصر و به طور کلی خاورمیانه و بررسی تحلیلی وتطبیقی این اسطوره ها و تاثیرآن ها برآیین های رایج این منطقه موضوع این پایان نامه است. روش اجرای این پژوهش روش کتابخانه ی است که ازرهیافت تطبیقی، مردم شناسی و روان شناسی بهره گرفته است. این پژوهش رشد تدریجی باورهای مردم خاورمیانه را در ابعاد خداشناسی، انسان شناسی وکیهان شناسی، مسیرتکامل فکری بشر را ازاسطوره به تاریخ می نمایاند و نشان می دهد که اساطیر و آیین های موجود درکتاب مقدس برگرفته ازدیگر اسطور ه ها و آیین های منطقه ی خاورمیانه است با این تفاوت که معنای جدیدی دراین قالب ها ریخته است.

درسال های اخیر خواص اپتیک غیرخطی از نیم رسانا ها کوانتوم ول ها، سیم های کوانتومی و نقاط کوانتومی به طور تجربی و نظری بررسی شده که در آن گذردهی غیرخطی مرتبه سوم برای یک سیستم چهار ترازی بررسی شده است. کوانتوم دات کورشل )هسته- پوسته( یک نوع از نقاط کوانتومی است که شامل دو قسمت هستند، یک هسته از یک ماده و یک پوسته به عنوان ماده دوم که در اطراف هسته اضافه می شود. ما یک کوانتوم دات کوانتوم ول ،کورشل استوانه ای در نظر می-گیریم. در نقاط کوانتومی استوانه ای این امکان وجود دارد که طیف انرژی با دو پارامتر هندسی شعاع مقطع عرضی و ارتفاع استوانه کنترل شود. این واضح است که این مزیت، امکان بیشتر برای تحقیق خواص اپتیکی از نانو ساختارها را فراهم می آورد. برخی از توجه ها روی اپتیک غیرخطی مرتبه سوم متمرکز شده است. هدف از این پایان نامه، بررسی پذیرفتاری غیر خطی مرتبه سوم است که یک تابع از طول موج است در نقطه کوانتومی چاه کوانتومی استوانه ای با ساختارهای دو لایه ای zns/cdse cdse/zns , است. این غیر خطی بستگی به پارامترهای نظیر اندازه ساختار، زمان واهلش و انرژی پمپ فوتون دارد. با تغییر ضخامت پوسته ی این ساختار، پیک پذیرفتاری از نواحی طیف مرئی به مادون قرمز تغییر می کند. شدت و موقعیت پیک پذیرفتاری مرتبه سوم، به ضخامت پوسته و شعاع هسته بستگی دارد. هنگامی که پهنای چاه افزایش می یابد، شدت پیک ها افزایش می یابد و مقادیر انرژی کاهش می یابند. نتایج این کار نظری می تواند درساخت وسایل جدید الکترونیکی-اپتیکی بسیار سودمند باشد.

در سال های اخیر خواص اپتیکی غیر خطی نیمه رساناهای کوانتومی، نظیر چاه ها، سیم ها و نقاط کوانتومی مورد توجه بوده اند. ضریب تولید هارمونیک سوم، یکی از این خواص اپتیکی غیر خطی است،که در این پایان نامه برای یک سیستم چهار ترازی به صورت نظری بررسی شده است. ساختار مورد نظر ما، یک نقطه کوانتوم/چاه کوانتوم (qdqw) کروی متقارن است. در این ساختارها هسته و پوسته هر دو نیمه رساناهایی با جنس متفاوت هستند. در اینجا جنس هسته و پوسته به صورت cdse/zns ، است. چیدمان این ترکیب به گونه ای است که از نظر پتانسیلی تشکیل ساختار چاه-سد می دهد. با تغییر در پارامتر شعاع هسته، وتغییر در ضخامت پوسته ی (چاه کوانتومی) این ساختار، تغییرات این ضریب تولید هارمونیک سوم بررسی شد. این ضریب تابعی از فرکانس است و به پارامترهایی نظیر اندازه ساختار، زمان واهلش، و انرژی پمپ فوتون نیز بستگی دارد. با تغییر ضخامت پوسته این ساختار، پیک ضریب تولید هارمونیک سوم، از نواحی طیف مرئی به مادون قرمز تغییر می کند. شدت و موقعیت پیک ها به ضخامت پوسته و شعاع هسته بستگی دارد. هنگامی که پهنای چاه افزایش می یابد، مقادیر انرژی کاهش می یابد. نتایج این کار نظری می تواند در ساخت وسایل جدید اپتو-الکترونیکی بسیار سودمند باشد.

مقدمه: سختی مقاومت جسم در مقابل تغییر شکل در زمان اعمال نیرو است. سختی اندام تحتانی عامل مهمی در اجرای مهارت های ورزشی و میزان آسیب پذیری افراد است. بررسی سختی اندام تحتانی در اجرای مهارت های مختلف همواره مورد توجه محققان بوده است. استارت دوی سرعت از مهارت های کلیدی در بسیاری از رشته های دو و میدانی است. زیرا سرعت و شتاب دونده در کل مسیر به سرعت و شتابی بستگی دارد که ورزشکار در مرحله استارت به دست آورده است. تاکنون تحقیقی در زمینه سختی اندام تحتانی و رابطه ی آن با استارت دوی سرعت انجام نشده است. هدف: هدف از این پژوهش بررسی اثر تغییر تکنیک و سرعت استارت دوی 100 متر بر سختی اندام تحتانی است.روش شناسی: برای این منظور 15 مرد دونده ی سرعتی که سابقه ی هیچ آسیبی در اندام تحتانی نداشته و حداقل 3 سال تجربه ی شرکت در مسابقات دوی سرعت را داشتند، انتخاب شده و در دو آزمون اصلی شرکت کردند. در آزمون اول آزمودنی ها سه تکنیک استارت (کوتاه،متوسط و بلند) را با سرعت ثابت( بیشینه )، و در آزمون دوم یک تکنیک (استارت متوسط) را با سه سرعت ??? درصد ، ??-60 درصد و ??-40 درصد بیشینه سرعتشان در لحظه ی جدا شدن از تخته استارت انجام دادند. هر یک از این آزمون ها سه بار تکرار شده که بهترین اجرای آزمودنی هم از نظر تکنیک و هم رکورد برای تجزیه و تحلیل آماری در نظر گرفته شد. روش آماری مورد استفاده در این پژوهش آنالیز واریانس مکرر یک طرفه و آزمون تعقیبی lsd بود. مقدار معنی داری آماری در سطح p?0/05 تعیین شد. یافته ها: نتایج آماری نشان داد که تغییر تکنیک و سرعت استارت بر سختی اندام تحتانی اثر داشت. با افزایش سرعت از کم به بیشینه سختی پا 5/67% و سختی زانو 42% افزایش یافت. با افزایش سرعت از کم به متوسط سختی مچ پا 39% افزایش یافت. ولی از سرعت متوسط به بیشینه تقریبا ثابت ماند. با تغییر تکنیک از استارت کوتاه به بلند سختی پا 48 % و سختی زانو 5/41 % افزایش یافت. با تغییر تکنیک از متوسط به بلند سختی مچ پا 4/27% افزایش یافت. ولی بین استارت کوتاه و متوسط تقریبا ثابت ماند. نتیجه گیری: از این پژوهش این گونه بر می آید که افزایش سه برابری سرعت جدا شدن از تخته باعث افزایش 5/1 برابری سختی پا و زانو می شود. تغییر تکنیک استارت از کوتاه به بلند ممکن است در افزایش سختی زانو و پا موثر باشد.

در این پژوهش اثر نانوذرات لانتانیوم و تیتانیوم بر خواص فیزیکی، مکانیکی و مقاومت به آتش تخته خرده چوب ساخته شده در زمان های پرس مختلف مورد بررسی قرارگرفت. نانوذرات با غلظت ppm600 در آزمایشگاه نانوالکترونیک دانشگاه مازندران به روش شیمیایی سل-ژل سنتز گردید. پس از تیمار خرده چوب ها با نانوذرات به روش غوطه وری، تخته های آزمونی ساخته شد. خواص فیزیکی تخته ها شامل جذب آب و واکشیدگی ضخامت پس از 2 و 24 ساعت غوطه وری در آب مطابق با استاندارد 317en و مقاومت های مکانیکی شامل مقاومت خمشی و چسبندگی داخلی مطابق با استاندارد310en و 319en اندازه گیری شدند. مقاومت به آتش تخته ها بر اساس استانداردiso5660-1و iso11925-1اندازه گیری شد. برای بررسی اثرنانوذرات بر انتقال حرارت در پرس، دمای لایه ی میانی کیک خرده چوب هر 30 ثانیه توسط ترموکوپل ثبت گردید. نتایج نشان داد که اثر متقابل نانوذرات و زمان پرس منجر به کاهش معنی دار جذب آب و واکشیدگی ضخامت تخته ها شده است. بررسی نتایج چسبندگی داخلی تخته ها نشان داد که حضور نانوذرات لانتانیوم و تیتانیوم همراه با افزایش زمان پرس، چسبندگی داخلی تخته ها را به صورت معنی داری افزایش داد. نتایج مربوط به مدول الاستیسته نشان داد که با افزایش زمان پرس، میزان مدول الاستیسیته افزایش یافت اما مدول گسیختگی پس از یک افزایش اولیه در زمان پرس 5 دقیقه، با کاهش در زمان پرس 6 دقیقه مواجه شد. بر اساس نتایج کاهش جرم ناشی از تیمار گرمایی، تنها نانوذرات لانتانیوم منجر به کاهش معنی دار این پارامتر نسبت به تخته های شاهد شده است. حضور نانوذرات و افزایش زمان پرس منجر به طولانی شدن زمان شعله ورشدن و گداختگی تخته ها و کاهش زمان ماندگاری شعله گردید. حضور نانوذرات، عرض و طول سوختگی تخته ها را کاهش و افزایش زمان پرس این دو پارامتر را افزایش داد. نتایج تاثیر تیمار نانوذرات بر رسانش گرمایی به لایه ی میانی کیک خرده چوب نشان داد که حضور نانوذرات منجر به بهبود انتقال حرارت و کاهش زمان پرس نگردید.

از بررسی معادلات ماکسول برای موج الکترومغناطیس سطحی در یک استوانه دو لایه ای دی الکتریک و اعمال شرایط مرزی مولفه های میدانهای الکتریکی و مغناطیسی را بدست آورده و به بررسی شار انرژی رداخته شده است.

با افزودن درصدی ناخالصی در حدود 25% از اتم های بور در نانولوله کربنی می توان به نانولوله ترکیبی bc3 دست یافت که خواص الکترونی ویژه ای دارد. در این پژوهش با استفاده از روش تنگ بست و رهیافت تابع گرین، مدل نیوز- اندرسون و فرمول بندی لانداور، خواص الکترونی نانولوله ی تک دیواره bc3 نوع زیگ زاگ که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده، مورد بررسی قرار گرفت. با توجه به اینکه دو نوع ساختار زیگ زاگ برای این نوع از نانولوله ها به دست آمده (bc3_1, bc3_2)، نتایج نشان می دهد که نانولوله bc3 همانند نانولوله های کربنی دارای هر دو خاصیت فلزی و نیمه رسانایی می باشد. گاف نواری این دسته از نانولوله ها با افزایش قطر، روند کاهشی پیدا می کند و در نانولوله bc3_1، در قطرهای بالاتر می توان گذار نیمه رسانا- فلز را مشاهده نمود. با تغییر در دیگر خصوصیت ساختاری نانولوله از جمله طول نیز ویژگی های الکترونی متفاوتی حاصل می شود اما قطر، تأثیر بیشتری را در خواص الکترونی نانولوله bc3 نسبت به طول به همراه دارد. با توجه به حالت های پلکانی جریان- ولتاژ، این سیم مولکولی می تواند به عنوان نامزدی مناسب در مقیاس نانو در ابزار الکترونیکی معرفی شود.

هدف این پایان نامه بررسی اثر پارامترهای فیزکی روی توان خروجی لیزرهای نیمه هادی نقطه کوانتومی- چاه کوانتومی می باشد. لیزرهای نقطه کوانتومی مورد استفاده یک تحریک کننده قوی هستند که در یک پهنای کم انرژی فشرده شدند. به همین دلیل است که ، تراز انرژی غیر مقید کوانتوم ها باید یکسان باشد. به عبارتی دیگر،اندازه ، اندازه ،شکل و ترکیب آلیاژ نقطه کوانتوم ها باید کاملا یکسان اختیار شوند. در اینجا برای جلوگیری از تونل زنی برگشتی و جفتگیری مزاحم حامل ها خارج نقاط کوانتومی، دو چاه کوانتومی مجزا با ضخامت مناسب در اطراف لایه نقطه کوانتومی تعبیه شده است. بستگی دمایی چگالی جریان آستانه کل (jth) را مورد بررسی قرار دادیم که چگالی جریان آستانه کل دارای سه مولفه چگالی جریان نقطه کوانتومی (jqd) چاه کوانتومی (jqw) و لایه محدود کننده نوری (jocl) می باشد و بستگی دمایی آنها را مورد بررسی قرار دادیم. در ادامه اثر بهره غیر خطی روی چگالی جریان آستانه و توان خروجی لیزر نقطه کوانتومی را مورد بررسی قرار دادیم.

در کار حاضر، نانوکامپوزیت های هیبریدی مواد آلی- غیرآلی، تجزیه و تحلیل تصاویر و طیف های آن و ویژگی های نانوساختاری را مورد مطالعه قرار دادیم. در اینجا نمونه های نانوکامپوزیت های هیبریدی zrxla1-xoy/ styrene به همراه پیش ماده ی پروپکساید زیرکونیم، هگزا نیترات لانتان و اتانول را با روش سل- ژل سنتز نمودیم. به کمک تکنیک های میکروسکوپی نظیر میکروسکوپ روبشی الکترون و میکروسکوپ نیروی اتمی به مطالعه ی توپوگرافی سطح، ناهمواری ها و زبری ها و توزیع نانوبلورک ها بر روی سطوح نمونه پرداختیم. سپس با توجه به نوع شکل گیری نانوبلورک ها، اتم های آماده به تشکیل پیوند را به صورت تله ها و اتم های فرودی را به صورت دام تلقی نموده و با نوشتن معادله ی دیفرانسیل غیرخطی به روش اختلال هموتوپی اصلاح شده، معادله ی حاکم بر رفتار نانوبلورک ها و نقطه های کوانتومی را بدست آوردیم.

در لیزر های کوانتومی آبشاری پرتوهای لیزری در اثر انتقالات درون باندی باند رسانش ایجاد می شوندو اساس ساختار لیزرهای آبشاری کوانتومی چاه کوانتومی نامتجانس است. هدف اولیه از این پایان نامه محاسبه پذیرفتاری مرتبه سوم در ناحیه فعال لیزر آبشاریgainas-alinas بود. این اثر بر اساس تقریب جرم موثر و از طریق حل معادله شرودینگر یک بعدی مورد مطالعه قرار داده شد.در این پایان نامه اثرات مختلف هماهنگ مرتبه سوم،تفاضل بسامد و بهره در بایاس های مختلف و ساختارها ی مورد مطالعه بررسی شد.این اثرات به شدت به پارامترهایی نظیر ترکیبات ساختار، بایاس و انرژی فوتون پمپ شده وابسته است. با اعمال بایاس و افزایش آن می توان این ساختارها رابرای داشتن پذیرفتاری وبهره با قله ای در ناحیه تراهرتز طراحی کرد. شدت پذیرفتاری مرتبه سوم و بهره غیر خطی به بایاس و ترکیبات ساختار بستگی دارد.بایاس کوچکتر قله پذیرفتاری و بهره غیر خطی کوچکتری دارند.کاهش مقدار گالیم در ترکیبات چاه کوانتومی باعث کوچکتر شدن قله پذیرفتاری و بهره غیر خطی می شود.

در سال های اخیر، کامپوزیت های هیبریدی آلی و غیرآلی با توجه به ثابت دی الکتریک بالاتر، فاکتور کیفیت بالاتر و جریان نشتی کم تر به عنوان جایگزین مواد گیت دی الکتریک در نظر گرفته شده اند. نفوذ بور از فیلم نازک دی-اکسید سیلیکون، جریان های تونلی و نشتی را افزایش می دهد و نشان می دهد که دی اکسید سیلیکون نمی تواند برای دستگاه های cmos (فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل) مورد استفاده قرار گیرد. برخی از افراد اکسیدها و نیتریدهای فلزی بسیاری که به عنوان گیت دی الکتریک های خوبی مورد استفاده قرار گرفتند، را مورد مطالعه قرار دادند. با این حال، با توجه به لایه میانی ناخواسته بین گیت دی الکتریک و زیرلایه، آن ها هنوز پذیرفته نشده اند. در این مطالعه، دی-الکتریک های هیبریدی و نانوکامپوزیت هایی شامل دی اکسید زیرکونیوم/پلی استایرن، دی اکسید زیرکونیوم/دی اکسید هافنیوم/استایرن و دی اکسید هافنیوم/استایرن مورد مطالعه قرار گرفته است. نانوکامپوزیت های هیبریدی توسط فرآیند سل-ژل تهیه شدند. خواص الکتریکی و دی الکتریکی نانوکامپوزیت ها با استفاده از روش های پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز (ftir)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) و طیف پاشندگی انرژی پرتو ایکس (edx) مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. ثابت دی الکتریک (k)، ظرفیت (c)، فاکتور کیفیت (qf) و مقاومت (r) نانوکامپوزیت های هیبریدی توسط gps132a در فرکانس khz120 اندازه گیری شدند. نانوکامپوزیت نمونه ای با 1/0 گرم پلی استایرن/دی اکسید زیرکونیوم در دمای ?c 160 با ثابت دی-الکتریک بالا نشان می دهد که آن می تواند به عنوان گیت دی الکتریک برای ofet های آینده مورد استفاده قرار گیرد.

در این تحقیق تهیه نانو مواد هیبریدی با استفاده از نانو میله طلا و نانو ذرات و بررسی خواص نوری آنها مورد مطالعه قرار گرفته است. نانو میله ها موادی هستند که نسبت طول به عرض آنها عددی بین 3 تا 5 میباشد. نانو میله ها به دلیل داشتن خواص اپتیکی منحصر به فرد اخیرا توجه زیادی را به خود جلب کرده اند از جمله این مواد نانو میله طلاست که کاربردهای متنوعی مانند درمان سرطان و تصویر برداری میکروسکپی دارد. همچنین سطح نانو میله ها می تواند با طیف وسیعی از مولکولها سازگاری نشان دهد و توسط آنها عامل دار شود. بدیهیست ساختن هیبریدی از نانومیله طلا و نانوذرات می تواند منجر به موادی با خواص منحصر به فرد جهت کاربردهای خاص گردد. در تهیه هیبرید نانو میله طلا-نانو ذرات کادمیوم سلناید ((qd-gnr، مرکاپتو استیک اسید (maa ) به دلیل دارا بودن گروه تیول انتهایی و همچنین افزایش انحلال پذیری نانو ذرات در آب، به عنوان عامل پوشاننده مورد استفاده قرار گرفته شد. طیف uv-vis مربوط به qd-gnr نشان میدهد که بعد از اضافه شدن qd به محلول نانو میله ، پیک جذب طولی با تغییر چندانی مواجه نمی شود ولی پیک جذب عرضی تغییرات قابل ملاحظه ای از خود نشان می دهد که این تغییرات پیک جذب عرضی، موبوط به نشانده شدن qd روی سطح نانو میله است که باعث می شود قطر قطر نانو میله افزایش پیدا کند. تصاویر tem و sem مربوط به qd-gnr نیز نشان می دهند که محصول نهایی دارای شکل میله ای با نسبت مشخصه 4/3 می باشد. همچنین طیف فلورسانس مربوط به نانو هیبرید qd-gnr نشان می دهد که پیک ظاهر شده در محدوده 610 نانو متر که مربوط به نانو ذرات می باشد در محصول نهایی حذف می شود

در این تحقیق اثر بسترهای مختلف تجاری و سنتز شده به روش رسوبدهی مستقیم (تکی و دوگانه (mgo, zno- mgoو zno ) ) بر سنتز نانولوله های کربنی به روش (ccvd) مورد بررسی قرار گرفته است. جهت بررسی تفاوت سایز ذرات و سطح موثر در بسترهای مختلف تهیه شده، از آنالیز طیف پراش اشعهx (xrd) و همچنین آنالیز مساحت سطح bet استفاده شده است. علاوه بر این سعی شده است تا سایر پارامتر های موثر در سنتز نانولوله های کربنی بویژه در پروسه سنتز برای همه بسترها یکسان در نظر گرفته شده، و فقط تاثیر سایز ذرات کاتالیست و سطح فعال بستر بر کیفیت و ابعاد نانو لوله های کربنی سنتز شده مورد بررسی قرار گیرد. این بررسی به کمک آنالیز تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) از نمونه ها انجام شده است. همچنین جهت تشخیص درجه تخلیص نانولوله های کربنی سنتز شده از نمونه ها طیف پراکندگی رامان تهیه و مورد بررسی قرار گرفت. نتایج حاصل نشان می دهد استفاده از بسترهای با میانگین سایز ذرات کاتالیست کوچکتر و در نتیجه سطح موثر بالا تر منجر به افزایش بهره تولید نانولوله های کربنی و همچنین کاهش میانگین قطری نانولوله های سنتز شده می شود.

لیزرهای نقطه کوانتومی نیمه هادی در مقایسه با لیزرهای چاه کوانتومی و کپه ای ویژگی های فوق العاده ای همچون جریان های آستانه خیلی پایین، غیرحساس بودن دمایی و عملکرد فوق سریع ، بهره ی نوری بالا، پهنای باند مدولاسیون گسترده و پهنای خط طیفی باریک که بعلت محدویت الکترونیکی سه بعدی است از خود نشان می دهند. روش رایج برای بدست آوردن مشخصات لیزر معادلات آهنگ است. در این پایان نامه اثرات غیرخطی برای محیط فعال بدست آمده است. ساختار gainasp/inp با محیط فعال نقطه کوانتومی inas مورد بررسی قرار گرفته است. اثرات غیر خطی در معادلات آهنگ ساختار مورد بررسی لحاظ شده است. با در نظر گرفتن خنثایی بار در نقاط کوانتومی، معادلات آهنگ برای دینامیک حامل ها محاسبه شده، و سپس ضریب بهره و توان خروجی بدست آمده اند. نتایج بدست آمده با حالت خطی مقایسه شده است. محاسبات نشان می دهد که چگالی جریان آستانه در محیط غیرخطی افزایش می یابد و بهره غیرخطی کوچکتر از بهره ی خطی است.

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزیت هیبریدی آلی- غیرآلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی هم چون جریان نشتی کم و ثابت دی الکتریک بالا کاندیداهای امیدوارکننده ای برای گیت دی-الکتریک ترانزیستورهای اثرمیدانی آلی هستند. در کار حاضر، نانوکامپوزیت هیبریدی پلیمر آنتراسن/ اکسید آلومینیم (an/al2o3) با استفاده از روش سل- ژل سنتز شده است و ویژگی های نانو ساختاری نانوکامپوزیت مزبور با استفاده از تکنیک های آنالیز وزنی گرمایی (tga)، دیفرانسیل گرماسنجی روبشی (dsc)، پراش پرتو x (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، پاشندگی پرتو x (edx)، x-map و تبدیل فوریه مادون قرمز (ftir) مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج به-دست آمده نشان می دهند که گیت دی الکتریک نانوکامپوزیت هیبریدی an/al2o3 با داشتن ثابت دی الکتریک و فاکتور کیفیت بالا، و زبری سطح کم می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب برای ترانزیستورهای اثرمیدانی آلی معرفی شود.

هدف از این پایان نامه بررسی اثرات غیرخطی ساختاری روی بهره نوری ترانزیستور لیزری ingaas/gaas است.ترانزیستور لیزری tl مورد نظر ما یک ترانزیستور دو قطبی ساختار نامتجانس hbt است که با به کارگیری نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لیزری) را با سرعتی در حدود 10 تا 100 گیگا بایت بر ثانیه مدوله کند. نانو ساختارهای چاه کوانتومی در بیس و ایجاد کاواک نوری،می توان علاوه بر تقویت سیگنال الکتریکی ، سیگنال نوری همدوس نیز ایجاد کرد. این قطعه اپتو الکترونیکی قادر است به طور همزمان سیگنال های الکتریکی و نوری (لیزری) را با سرعتی در حدود 10 تا 100 گیگا بایت بر ثانیه مدوله کند. بهره نوری دارای تأثیری مستقیم روی پاسخ مدولاسیون ترانزیستور لیزری است.حضور تعدادی از فرآیندها مانند حفره سوزی طیفی ، گرم کنندگی حامل و انتقالات حامل در لیزرهای نیم رسانا در فرمول بهره اصلاحاتی ایجاد می کنند و منجر به ظاهر شدن فاکتور تراکم بهره می شوند.در این کار اثرات غیرخطی ساختاری ناشی از فرآیندهای گیراندازی و فرار حامل به عنوان منشأ تراکم بهره در نظرگرفته شده است.رابطه ی بین این فرآیندها و تراکم بهره با مدل سازی معادلات نرخ برای ترانزیستور لیزری به دست آمده است. با به کار گیری روش پتانسیل تغییر شکل فونون نوری ، نرخ گیراندازی به انرژی اولیه الکترون و طول چاه بستگی پیدا می کند. به این ترتیب بهره نوری نیز می تواند به عنوان تابعی از انرژی اولیه الکترون و طول چاه کوانتومی نوسان داشته باشد. در آخر می توان تغییرات بهره ناشی از اثرات غیرخطی ساختاری را روی پاسخ مدولاسیون سیگنال کوچک ترانزیستور لیزری مورد بررسی قرار داد.

لایه نازک sno2 دارای ویژگی های مناسبی است که باعث شده تا این لایه کاربردهای مختلفی در اپتیک کاربردی مانند استفاده ی آن در وسایل الکترونیکی، حسگرهای گازی و وسایل اپتیکی داشته باشد. در این پایان نامه لایه های نازک sno2 با استفاده از روش شیمیایی و لایه نشانی چرخشی بر روی زیرلایه های شیشه ای تهیه گردید، سپس تأثیر سرعت چرخش دستگاه اسپین کوتینگ، دمای کلسینه و زمان رفلاکس بر خواص اپتیکی این لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. خصوصیات سطح لایه های نازک توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین از طیف سنج نوری در محدوده ماورای بنفش-مرئی (uv-visible)، پراش اشعه ایکس (xrd) و طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز (ft-ir) به منظور بررسی ویژگی های ساختاری و اپتیکی لایه های نازک استفاده شده است. نتایج بدست آمده حاکی از آن بود که افزایش سرعت چرخش سبب افزایش زبری میانگین نمونه ها، کاهش جذب اپتیکی و افزایش میزان عبور نور از آن ها شده است. در دماهای کلسینه متفاوت نیز مشاهده شد که با افزایش دما، ضریب خاموشی نمونه ها کاهش می یابد. در زمان های رفلاکس مختلف نیز شاهد کمترین میزان عبور به ازای بیشترین زمان رفلاکس بوده ایم. همچنین افزایش زمان،افزایش گاف انرژی اپتیکی، کاهش ضریب شکست و نیز کاهش ثابت دی الکتریک را در پی داشته است.

در کار حاضر، نانو هیبریدهای کامپوزیتی پلی وینیل الکل/ اکسید نیکل و پلی وینیل کلرید/ اکسید نیکل با مقادیر متفاوت پی وی سی(pvc) و پی وی ای (pva)و در دماهای مختلف به روش سل- ژل سنتز شده اند. فازهای بلوری، بلورینگی و ویژیگی های الکتریکی نمونه ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپی روبشی الکترونی (sem)، نیروی اتمی (afm)، طیف نمایی فوریه مادون قرمز (ftir)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx) و الگوی پرتو ایکس (x- map) مشخصه یابی شده اند. نانوکامپوزیت های هیبریدی مزبور به عنوان مواد دی الکتریکی مابین صفحات خازن قرار داده شده و ثابت دی الکتریک، ظرفیت خازن، جریان نشتی، تحرک پذیری حامل ها، فاکتور کیفیت و توزیع نانوذرات اندازه گیری شده و یا بدست آمده اند، که نانو کامپوزیت هیبریدی nio/ pvc:2 ( و nio/pva:2) سنتز شده در دمای 80 درجه سانتی گراد، دارای ثابت دی الکتریک بالاتر 68 ( و 56)، مورفولوژی سطحی بهتر، ناهمواری سطحی کم تر و پایین تر بودن جریان نشتی می توانند به عنوان مواد گیت دی الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی مواد آلی آتی مورد استفاده قرار گیرند.

دی¬اکسید تیتانیوم یکی از رایج¬ترین مواد شناخته¬شده است که کاربرد فراوانی در سلول¬های خورشیدی، اجزای دستگاه¬های الکترونیکی، انواع حسگرهای گازی و مانند آن دارد. این ماده به¬دلیل خواص اپتیکی و الکترونی جالب به¬طور وسیع به¬عنوان فتوکاتالیست به¬کار می¬رود. از طرفی خواص فتوکاتالیستی tio2 وابسته به ساختار بلوری، مورفولوژی سطح، اندازه¬ی ذرات، وجود ناخالصی و مانند آن است. همچنین تری¬اکسید تنگستن نیز جزو مواد الکتروکرومیک بوده و خواص اپتیکی مخصوص به¬خود را دارد. wo3 کاربردهای متنوعی از جمله در آینه¬های الکتروکرومیکی، پنجره¬های هوشمند، نمایش¬گرهای غیرگسیلی و مانند آن دارد. در این پژوهش، نانوذرات دی¬اکسید تیتانیوم/ تری¬اکسید تنگستن به روش سل- ژل سنتز شده است. نانو پودرهای بدست آمده در دماهای کلسینه¬ی متفاوت، با روش¬های طیف¬سنجی پراش اشعه¬ی ایکس (xrd) ، میکروسکوپ روبشی الکترونی (sem) ، طیف¬سنجی فرابنفش- مرئی (uv-vis) و طیف¬سنجی تبدیل فوریه¬ی فرو سرخ (ftir) آنالیز و مشخصه¬یابی شده است. تأثیر دمای کلیسنه و درصد مولی روی ثابت¬های اپتیکی مورد بررسی قرار¬گرفته است. نتایج نشان می¬دهد که با افزایش دما و درصد مولی، ثابت¬های اپتیکی اعم از ضریب خاموشی، ضریب جذب، بازتابندگی، ضریب شکست و قسمت¬های حقیقی و موهومی ثابت دی¬الکتریک به¬طور میانگین افزایش می¬یابند.

در این پایان نامه وی‍گی های الکتریکی ومکانیکی نانوکامچوزیت باریم تیتانات با استفاده از تکنیک های مختلف مورد بررسی قرار گرفته و در نهایت این ماده از جهت به کارگیری در آند چیل های سوختی نیز مورد ارزیابی قرار داده شده است.

ترانزیستور لیزری (tl) یک ترانزیستور دو قطبی پیوند نامتجانس است که یک چاه کوانتومی در بیس آن تعبیه شده است که باعث گسیل نور در یک طول موج وسیع می شود. شدت نور خروجی با استفاده از چاه کوانتومی در بیس tl افزایش می یابد. ترانزیستور لیزری که به عنوان یک ترانزیستور و یک لیزر به طور همزمان عمل می کند امپدانس خروجی زیاد با بهره جریان در محل پیوند بیس-کلکتور و گسیل لیزر حاصل از بازترکیب الکترون-حفره در بیس را تأمین می کند. tl یک راه جدید برای کاربردهای فوق سریع در مخابرات و ارتباطات نوری، و مدارات مجتمع اپتو الکترونیکی ایجاد کرده است. این قطعه می تواند سیگنالهای بسیار سریع نوری و الکتریکی با پهنای باند و توان زیاد را به وجود آورد. ترانزیستورهای دو قطبی ساختار نامتجانس (hbts) با گاف باند وسیع در کاربردهای سوئیچینگ فرکانس بالا، مخابرات و رادار مناسب می باشند. tl یا ترانزیستور لیزری پیوندی دو قطبی ساختار نامتجانس (hbjtl) با تعبیه نمودن یک چاه کوانتومی (qw) که به عنوان کلکتور نوری عمل می کند در بیس یک ترانزیستور پیوندی دو قطبی ساختار نامتجانس (hbjt) ساخته می شود.

با کوچک شدن اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید- نیمه رسانا (mosfet) مشکلاتی نظیر افزایش جریان نشتی، تونلی و نفوذ اتم های بور از گیت دی الکتریک بازدهی آن ها را کاهش داده است. حل این مشکلات نیازمند نانوترانزیستورهایی با گیت دی الکتریک با ثابت دی الکتریک (k) بالا به جای گیت دی-الکتریک امروزی، اکسید سیلیکون (2sio) می باشد. در این پژوهش، با سنتز و بررسی ویژگی های الکتریکی و نانوساختاری نانوکامپوزیت های اکسید لانتانیم تزریق شده با نانوذرات آلومینیم و قلع به روش سل- ژل و مطالعه ی آن ها به کمک تکنیک های الگوی پراش پرتو ایکس (xrd)، بررسی پایداری گرمایی (tga)، طیف سنجی تبدیل فوریه ی مادون قرمز (ftir)، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، انرژی پاشندگی پرتو ایکس (edx) و x-map تلاش کردیم تا نمونه ی مطلوب را پیدا کنیم. در این مطالعه، نمونه ی 3o2al/sn/la بازپخت داده شده در دمای c°200 با ساختاری آمورف و هم چنین سطح یکنواخت تر نسبت به بقیه ی نمونه ها می باشد، می-تواند به جای 2sio در تولیدات ترانزیستورهای آتی به کار رود

هدف از انجام این پژوهش مقایسه توانایی های اجتماعی، ارتباطی و رفتارهای کلیشه ای کودکان مبتلابه اوتیسم با عملکرد بالا و پایین بود.بدین منظور40 کودک پسر و دختر مبتلابه اختلال اوتیسم به صورت نمونه گیری در دسترس از کلینیک چند تخصصی مغز و اعصاب و روان کودک و نوجوان شهر تبریز انتخاب بر اساس نمره پرسشنامه سنجش دامنه اوتیسم (assq) در دو گروه کودکان مبتلابه اوتیسم با عملکرد بالا و پایین قرار گرفتند. به منظور مقایسه دو گروه از مصاحبه تجدیدنظر شده تشخیصی اوتیسم (adi-r) استفاده شد. داده های به دست آمده با استفاده از آزمون تحلیل واریانس چند متغیره (manova) مورد تجزیه وتحلیل قرار گرفت. یافته های پژوهش حاضر نشان داد توانایی های اجتماعی و توانایی های ارتباطی در کودکان مبتلابه اوتیسم با عملکرد بالا و کودکان مبتلابه اوتیسم با عملکرد پایین دارای تفاوت معنادار بوده(p<0/001)، و همچنین بین این دو گروه ازلحاظ متغیر رفتارهای کلیشه ای تفاوت معنی داری در سطح (p<0/001)، وجود ندارد.

در این پژوهش، نانوذرات کاتالیستی اکسیدهای آهن، کبالت، نیکل (و ترکیب آن ها) نشانده شده بر بستر کاربید سیلیسیم (sic) نانومتری و میکرومتری، به روش تلقیح مرطوب تهیه شده اند. نانولوله های کربنی در اتمسفر گاز آرگون با تجزیه کاتالیستی گاز استیلن به روش رسوب گذاری از فاز بخار شیمیایی (cvd) بر نانوذرات کاتالیستی تهیه شده، رشد یافت. اثر برخی از عوامل کاتالیستی و غیرکاتالیستی موثر بر رشد، قطر و ساختار نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار گرفت. این عوامل شامل دمای کلسینه شدن نانوذرات کاتالیستی، نوع و ترکیب کاتالیست، نسبت درصد وزنی کاتالیست/بستر، نسبت ترکیب کاتالیستی در غلظت ثابت بستر، دمای واکنش و اندازه بستر می باشند. از شاخص های مهم این پژوهش استفاده از پودر sic به عنوان بستر می باشد.

آئروژلها مواد متخلخلی هستند که حفرههای نانومتری آنها در مقیاس مزو یا میکرو میباشد. چگالی پایین، تخلخل و سطح در معرض داخلی بالا از دیگر ویژگیهای این مواد میباشد. در این پژوهش نانو کامپوزیت سیلیکا آئروژل/ نانوذرات فریت کبالت به روش سل-ژل آمادهسازی و تحت فرایند 6 آبه در حلالهایی چون متانول )??( 9 آبه و نیترات کبالت )???( فوق بحرانی خشک شد. بدین منظور نیترات آهن و آب دیونیزه حل شده و به پیشماده سیلیکا اضافه و قرار دادن این محلول بر روی همزن مغناطیسی به شکل گیری سل یکنواختی منجر شد. پس از گذشت زمان معین و انجام عمل هیدرولیز، ژل بدست آمده در دستگاه خشک کن فوق بحرانی قرار دادهشد و در نهایت گاز جایگزین مایع موجود در نمونهها گردید و آئروژل نهایی حاصل شد. به منظور بررسی نمونههای تولید شده از نقطه نظر ساختاری، مورفولوژی و خواص مغناطیسی به تحلیل دادههای حاصل از آنالیزهای sem ، tem ، xrd ، ft-ir ، bet و vsm پرداخته شد. همانگونه که انتظار میرفت این نانو کامپوزیت ضمن حفظ ویژگیهای سیلیکا- آئروژل از جمله تخلخل بالا و چگالی پایین رفتار فرومغناطیس نانوذرات را نیز داشت.

یکی از موضوعات اصلی در الکترونیک; ساخت،اندازه گیری و فهم مشخصه های جریان- ولتاژ یک محیط الکترونی درسیستم های مولکولی می باشد. بنابراین در این پژوهش به بررسی خواص الکترونی نانو لوله bc2n تک دیواره نوع زیگ زاگ ساندویچ شده بین دو الکترود فلزی که نانو لوله کربنی از نوع زیگ زاگ می-باشد پرداخته ایم. روش های عددی به کار رفته در این محاسبات مبتنی بر هامیلتونی تنگ بست، رهیافت تابع گرین، مدل نیوز- اندرسون و فرمول بندی لانداور می باشد. نتایج نشان می دهد که نانو لوله bc2n همانند نانو لوله کربنی هردو خاصیت فلزی و نیمه رسانایی را دارا می-باشد. با تغییر در خصوصیات ساختاری نانو لوله از جمله قطر، طول و قدرت جفت شدگی مولکول/ الکترود، ویژگی های الکترونی متفاوتی حاصل می شود. با توجه به حالت های پلکانی جریان –ولتاژ،این سیستم مولکولی به عنوان نامزدی مناسب برای ابزار الکترونی نانو مقیاس معرفی می شود.

در این پایان نامه ایتریم به زیرکونیم تزریق شده است و نانو کامپوزیت حاصل با تکنیک های مختلف مورد ارزیابی قرار داده شده و در نتایج حاصل برای به کارگیری در نانوحسگرها مورد ارزیابی قرار داده شده است.

: نانوساختارها به علت خواص ترابردی، الکتریکی و نوری، به طورگسترده مورد استفاده قرار گرفته اند. چاه کوانتومی ساختار نامتجانس دوگانه، ساختاری است که یک یا بیش از یک ماده نیم رسانا را شامل می شود، که در آن حرکت حامل های بار در یک بعد فضا محدود هستند. کاربردهای نوری همچون لیزرهای چاه کوانتومی، نمایشگرها و دیگر ابزارهای نورگسیل، به طور تئوری بررسی شده است و در برخی از موارد نیز تحقق یافته اند.در این پایان نامه، پذیرفتاری های غیرخطی مربوط به انتقالات درون باندی در نوار رسانش به صورت تئوری برای ساختار نامتجانس دوگانه چاه کوانتومی gaas محاسبه می شود. پذیرفتاری غیرخطی مرتبه دوم در مواد غیرخطی بدون مرکز تقارن برای سیستم های دو و سه ترازه محاسبه شده است. تولید هارمونیک مرتبه دوم برای ساختار نامتجانس دوگانه چاه کوانتومی gaas مورد بررسی قرارگرفته است.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این تحقیق انتشار امواج الکترومغناطیسی با قطبش (مد ) ، در امتداد فصل مشترک دو محیط مختلف خود- متمرکز غیر خطی نوع کر، مورد بررسی قرار می گیرد. برای توصیف انتشار این مدها در چنین محیطی از معادله غیرخطی شرودینگر استفاده می شود. جوابهای مربوط به دامنه موج الکتریکی منجر به شکل مانای معادله غیر خطی شرودینگر می شود. با در نظر گرفتن دامنه میدان مختلط، معادله غیرخطی شرودینگر به معادله ای تبدیل می شود که در این پایان نامه مورد نظر است. برای استفاده از تحلیل کیفی و تعبیر مکانیکی معادلات دیفرانسیلی، روش صفحه فاز به کار برده شده است. امواج الکترومغناطیس می توانند در فصل مشترک بین دو محیط نیمه بینهایت منتشر شوند. چنانچه یکی از دو محیط، خود – متمرکز غیر خطی(نوع کر) باشد، در این صورت پاسخهای معادله ای که بازای دامنه میدان مختلط از معادله شرودینگر بدست می آید با اعمال شرایطی خاص، منجر به مدهای ویژهای می شوند که سالیتونهای فضایی نامیده می شوند.

لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps در زوایای نزدیک به عمود سطح مختلف بررسی کنیم و با استفاده از روش خود- انرژی به تحلیل ساختاری فیلم بپردازیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که اندازه گیری های فتوگسیلی بر روی اکسید فرا نازک برای حفظ مشخصه ی اکسیدی باید در زوایای نزدیک به عمود سطح از 9- 1 در جه انجام شود. علاوه بر این جریان نشتی نقش مهمی در عملکرد ترانزیستور دارد. با کوچک تر شدن ترانزیستورها ضخامت گیت دی الکتریک نیز کم تر می شود که این عامل سبب افزایش جریان نشتی می شود. با قرار دادن نانولوله ی کربنی به عنوان کانال ترانزیستورهای اثر میدانی، جریان نشتی به طور قابل ملاحظه ای کاهش می یابد. علاوه بر آن، می توان جریان نشتی را به طور چشم گیری با تغییر قطر نانولوله، طول نانولوله و استفاده از همپوشانی نامتقارن گیت با گیت نزدیک تر به چشمه کاهش داد.

در این تحقیق نانولوله های کربنی، خالص سازی و با استفاده از روش اکسایش با اسید، عامل دار و باز شدند. جهت ساخت نانوکامپوزیت های مغناطیسی، نانولوله های عامل دار شده با عناصر آهن وکبالت پوشش داده شدند و سپس توسط آنالیز های tem وxrd شناسایی و خواص مغناطیسی آنها با agfm اندازه گیری شد. نتایج پوشش دادن نانولوله ها نشان می دهد که با پوشش دادن آنها، خواص مغناطیسی نانولوله ها تغییر می کند که می تواند جهت مصارف مختلف صنعتی، الکترونیکی و پزشکی(دارو رسانی) مورد استفاده قرار گیرد.

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پرداختیم.در این راستا خواص مکانیکی نانولوله های کربنی زیگزاگ را مورد بررسی قرار داده و با استفاده از مدل تحلیلی بوتیکر مقاومت هال و مقاومت ترانزیستورهای اثز میدانی را محاسبه کردیم. وجود سد شاتکی در پیوندگاه های کانال هایی در مقیاس نانو، امکان کار کردی تقریباً بالستیکی mosfet را باعث می شوند. این سدهای انرژی باعث محدودیت رسانندگی ترانزیستور می گردد و در نتیجه، نظریه ی ناتوری ( natori ) را به حوزه ی بالستیکی ماسفت کاهش می دهد. نظریه ی تحلیلی ما نشان می دهد که پیوندگاه swcnt – hwfm همانند تماس اهمی در نانو لوله های فلزی بالستیکی ( در دمای اتاق ) عمل می کند و سبب می شود تا به این نتیجه برسیم که رسانش در ترابرد بالستیکی به مقدار 4e^2/h برسد.

در این رسالهء تحقیقی معادله شرودینگر را در چاه کوانتمی یک بعدی حل کردیم . برای حل این معادله از روش آنالیز عددی استفاده می کنیم . سپس از داده های مفروض ، نمودار تابع موج حامل را برحسب ضخامت چاه ترسیم نمودیم . تابع موج حامل در خارج چاه شکل نوسانی و میرائی را دارد. بنابراین عوامل موثر در میراکردن را باید درنظر گرفت برای همین عوامل موثر موج را برشمردیم. در فصلهای اول رساله عوامل را بیان و بررسی کردیم تا تاثیر آنها را بر qw بشناسیم هرچه بیشتر بتوان تابع موج را در خارج چاه سریعتر میرا کرد،آنگاه حبس حامل بهتر صورت گرفته و در نتیجه راندمان و بهرهء لیزری افزایش می یابد. تمام مجاهدت ها برای حبس هرچه بهتر الکترونها و فوتونها صورت می گیرد همانطور که از شکل ترسیم شده مشهود است عواملی باعث می شوند تا این حبس بطور کامل صورت نگیرد.فرآیندهائی نظیر فرآیند اوژه، پراکندگی برخورد دینامیکی حامل، تونل زنی، و استتار، اکسیتون همه و همه عواملی هستند که باعث نشت حامل به خارج ناحیهء فعال می شوند و در نتیجه راندمان و بهره لیزر کاهش می یابد . اگر بتوان بطریقی که در این رساله مطرح شده است جریان آستانه را پائین آورد و یا شکاف نوار را افزایش داد . آنگاه راندمان لیزر افزایش می یابد.